-
公开(公告)号：CN107070444A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611034789.8
申请日：2016-11-18
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H03K19/00 , H03K19/003
CPC分类号： G11C11/223 , G11C11/221 , G11C11/2297 , H03K19/0016 , H03K19/18 , H03K19/0013 , H03K19/00361
摘要： 介绍了一种装置，所述装置包括：第一功率域，其具有将由第一可切换正电源和第一可切换负电源供电的第一倒相器；以及第二功率域，其具有包括p型和n型FE‑FET的第二倒相器，所述第二倒相器具有耦合到所述第一倒相器的输出的输入。
-
公开(公告)号：CN106030824A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201480076342.X
申请日：2014-03-27
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/88 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H03K17/693 , G11C5/066 , H01L27/092 , H01L29/7391 , H01L29/775 , H03K19/094 , H03K19/0948
摘要： 本发明描述了具有隧穿场效应晶体管(TFET)器件的复用器电路。例如，复用器电路包括彼此耦合的第一组隧穿场效应晶体管(TFET)器件。第一组TFET器件接收第一数据输入信号、第一选择信号和第二选择信号。第二组TFET器件彼此耦合并且接收第二数据输入信号、第一选择信号和第二选择信号。输出端子耦合到第一组TFET和第二组TFET。输出端子生成复用器电路的输出信号。
-
公开(公告)号：CN110970446A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910800177.2
申请日：2019-08-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L27/1159 , H01L27/11592 , H01L27/11597
摘要： 实施例包括三维(3D)存储器，其包括NOR逻辑门，其中，NOR逻辑门包括基于铁电的晶体管。本文解决了其他实施例。
-
公开(公告)号：CN110556377A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910360831.2
申请日：2019-04-30
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L27/108 , G11C11/22
摘要： 本文描述了反铁电(AFE)存储器单元以及对应的方法和装置。例如，在一些实施例中，本文公开的AFE存储器单元包括采用位于两个电容器电极之间的AFE材料的电容器。向这种电容器的一个电极施加电压允许提升另一电极处的电荷，其中，两个电极之间的AFE材料的非线性行为可以有利地彰显其本身，因为假设向第一电极施加给定电压，那么对于提升之前的所述电容器的第二电极上的电荷的不同值而言，在第二电极处的电荷提升的倍数可以是显著不同的。将第二电容器电极连接至存储器单元的存储节点可以允许提升存储节点上的电荷，使得所述存储器单元的不同逻辑状态变得更加清晰可辨，从而实现提高的保持时间。
-
公开(公告)号：CN106030824B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201480076342.X
申请日：2014-03-27
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/88 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明描述了具有隧穿场效应晶体管(TFET)器件的复用器电路。例如，复用器电路包括彼此耦合的第一组隧穿场效应晶体管(TFET)器件。第一组TFET器件接收第一数据输入信号、第一选择信号和第二选择信号。第二组TFET器件彼此耦合并且接收第二数据输入信号、第一选择信号和第二选择信号。输出端子耦合到第一组TFET和第二组TFET。输出端子生成复用器电路的输出信号。
-
公开(公告)号：CN107004444A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063160.3
申请日：2015-11-11
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G11C11/412 , G11C11/419 , H03K3/356
摘要： 实施例包括用于使电压电平移位的电路的装置、方法和系统。所述电路可以包括：第一反相器，所述第一反相器包括被耦合用于传递低电压信号的第一晶体管；以及第二反相器，所述第二反相器被耦合用于接收所述低电压信号。所述电路还可以包括第二晶体管，所述第二晶体管被耦合用于从所述第二反相器接收所述低电压信号以用作反馈器件并产生高电压信号。在实施例中，所述第一晶体管不对称地导通以防止所述高电压信号交越到所述低电压域。还描述了低电压存储器阵列。在实施例中，所述用于使电压电平移位的电路可以辅助在包括低电压域的低电压存储器阵列的逻辑组件与高电压域的逻辑组件之间的通信。还可以描述另外的实施例。
-
公开(公告)号：CN106463509B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201480079614.1
申请日：2014-07-08
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 描述了一种存储器位单元，包括：储存节点；存取晶体管，该存取晶体管耦合到储存节点；电容器，该电容器具有耦合到储存节点的第一端子；以及一个或多个负微分电阻器件，该一个或多个负微分电阻器件耦合到储存节点，以使得存储器位单元不具有接地线或电源线的其中之一或两者。
-
-
公开(公告)号：CN108141206A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680055703.1
申请日：2016-09-02
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H03K3/356113 , H01L29/66977 , H03K3/012 , H03K3/35625
摘要： 描述了一种装置，所述装置包括：第一p型隧穿场效应晶体管(TFET)；第一n型TFET，所述第一n型TFET与所述第一p型TFET串联耦合；第一节点，所述第一节点耦合至所述第一p型和n型TFET的栅极端子；第一时钟节点，所述第一时钟节点耦合至所述第一TFET的源极端子，所述第一时钟节点用于提供第一时钟；以及第二时钟节点，所述第二时钟节点耦合至所述第二TFET的源极端子，所述第二时钟节点用于提供第二时钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.021 秒)
