公开(公告)号：CN106537605B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580037459.1

申请日：2015-06-11

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·李 ,  J·J·徐 ,  X·陆 ,  M·M·诺瓦克 ,  S·H·康 ,  X·陈 ,  Z·王 ,  Y·陆

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L27/112 ,  G11C16/26 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/223 ,  G11C11/2259 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C16/26 ,  H01L27/11246 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/792

Abstract: 一种装置包括多次可编程(MTP)存储器器件。该MTP存储器器件包括金属栅极、基板材料、以及该金属栅极与该基板材料之间的氧化结构。该氧化结构包括氧化铪层和二氧化硅层。该氧化铪层与该金属栅极接触，以及与该二氧化硅层接触。该二氧化硅层与该基板材料接触。该MTP器件包括晶体管，并且该MTP存储器器件的非易失性状态是基于该晶体管的阈值电压的。

公开(公告)号：CN109037317A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810584953.5

申请日：2018-06-08

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 刘香根

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78391 ,  G11C11/223 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/15 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/516 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L29/42356

Abstract: 一种铁电存储器件包括：衬底；以及顺序层叠在衬底的表面上的铁电层、可变电阻存储层和栅电极。铁电层根据可变电阻存储层的电阻状态而具有多个不同剩余极化值中的任意一个。

公开(公告)号：CN108701481A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680083053.1

申请日：2016-04-01

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D.H.莫里斯 ,  U.E.阿夫齐 ,  I.A.扬

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C11/412 ,  G11C8/16 ,  G11C11/223 ,  G11C11/419 ,  H01L27/11

Abstract: 一个实施例提供了一种设备。所述设备包含：包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的第一反相器；被交叉耦合到所述第一反相器的第二反相器，所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管；被耦合到所述第一反相器的第一访问晶体管；以及耦合到所述第二反相器的第二访问晶体管。每个反相器的一个晶体管的栅电极包括极化层。

公开(公告)号：CN101853696A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010155006.8

申请日：2010-03-30

Applicant: 瑞创国际公司

Inventor： C·泰勒 ,  储钒 ,  孙山

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/12 ,  G11C11/223 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005

Abstract: 一种允许压印减轻的铁电存储器单元阵列包括：铁电存储器单元，其分别耦合到字线、板线和位线；字线驱动器，用于驱动所述字线；板线驱动器，用于驱动所述板线；位线驱动器，用于驱动所述位线；以及隔离设备驱动器，用于驱动耦合在所述位线和多个位线之间的隔离设备。用于减轻压印的方法包括：将位线耦合到各自的多个检测放大器；导通字线并且脉冲化与一行铁电存储器单元相关联的板线；将所述位线与所述各自的检测放大器断开；驱动所述板线为低电平并且驱动所述位线为高电平；驱动所述板线为高电平并且驱动所述位线为低电平；驱动所述板线为低电平并且悬空所述位线；用所述检测放大器来驱动所述位线；以及关断所述字线并且对所述位线预充电。所述方法可以在每次存储器存取之后被执行，或者可以在任何方便的时候用计数器和复原命令来执行。

公开(公告)号：CN1845251A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200610077864.9

申请日：1998-11-12

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中村孝

IPC: G11C11/22 ,  G11C5/00 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/223

Abstract: 一种使用了铁电体层的半导体存储器，包括：存储单元，由在栅极和半导体层之间具有铁电体层的铁电体存储FET组成；缓冲单元，可复制该存储单元的数据；和缓冲电路，把上述存储单元的数据复制到上述缓冲单元并把该被复制的数据再次写入到上述存储单元。这样，可以利用缓冲单元定期刷新存储单元的数据，因此，不会使数据消失并可以长时间保持数据。

公开(公告)号：CN1225024C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN01120041.3

申请日：2001-07-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/223

Abstract: 一种半导体存储装置，存储单元包括利用强电介质膜的极化偏位来储存数据的强电介质电容器30，和与该强电介质电容器30并联连接的选择晶体管20。在沿位线方向连续连接多个强电介质电容器30的串联电路的一端侧上，连接通过检测所选择的强电介质电容器30的强电介质膜极化偏位来读出数据的读出晶体管10，利用多个强电介质电容器30、多个选择晶体管20以及1个读出晶体管10来构成存储单元部分。能提高半导体存储装置的保持特性。

公开(公告)号：CN1210784C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN01118832.4

申请日：2001-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久

IPC: H01L21/82 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C11/223

Abstract: 一种半导体存储装置的驱动方法，该半导体存储装置包括：强电介质电容器(30)、串联连接强电介质电容器(30)的读出FET(10)、以及并联连接强电介质电容器(30)的选择FET(20)。当读出储存在强电介质电容器(30)中的数据时，把低于该强电介质电容器(30)的矫顽电压的读出电压外加到强电介质电容器(30)的上电极(31)上，当除去该读出电压时，能使强电介质膜(33)的极化偏位返回到读出数据前的偏位上。提高具有强电介质电容器的半导体存储装置的保持特性。

公开(公告)号：CN1312588A

公开(公告)日：2001-09-12

申请号：CN01103798.9

申请日：2001-02-15

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  有田浩二 ,  内山洁

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/516 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种半导体存储器件,当从能产生向上的极化或向下的残留极化的强电介质薄膜中读出对应极化状态的数据时,要在控制栅极上施加偏压,同时把有向下的残留极化的状态设为数据“1”,把从有向上的残留极化的状态到残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”。通过把残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”,使数据为“0”时的读出电流值近似为一固定值,所以能提高读出精度。并通过预先让一侧数据感应出轨迹来进一步提高读出精度。

公开(公告)号：CN108807416A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810413858.9

申请日：2018-05-03

Applicant: 格芯公司

Inventor： S·丁克尔 ,  拉夫·尹葛恩 ,  瑞夫·理查 ,  S·詹森

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/1159

CPC classification number: G11C11/225 ,  G11C11/005 ,  G11C11/223 ,  G11C11/2275 ,  G11C11/5657 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1159

Abstract: 本披露涉及包括基于埋置铁电材料的储存机制的非易失性晶体管元件，其提供储存元件，例如储存晶体管，其中，基于在SOI晶体管架构的埋置绝缘层中所形成的铁电材料提供至少一个储存机制。在另外的示例实施例中，在该栅极电极结构中实施一个另外的储存机制，以提供增加的总体信息密度。在一些示例实施例中，该栅极电极结构中的该储存机制以铁电材料形式提供。

公开(公告)号：CN103493140A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280011100.3

申请日：2012-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸广

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C11/223 ,  G11C11/221 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/11597 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明的目的在于提供一种驱动半导体存储装置的新方法。半导体存储装置包括第一～第四存储单元，各第一～第四存储单元具有第一栅极电极、强电介质膜、半导体膜、源极电极、漏极电极、常电介质膜和第二栅极电极。强电介质膜夹在第一栅极电极与半导体膜之间，源极电极和漏极电极夹在半导体膜与常电介质膜之间，常电介质膜夹在第二栅极电极与半导体膜之间。通过第一栅极电极、强电介质膜、源极电极和漏极电极，形成第一半导体晶体管，通过第二栅极电极、常电介质膜、源极电极和漏极电极，形成第二半导体晶体管。通过以规定的定时调整多个驱动信号，进行向第一、第二晶体管的数据保持和从第一、第二晶体管的数据读取。