公开(公告)号：CN109244132A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201711377620.7

申请日：2017-12-19

Applicant: 北京纳米能源与系统研究所

Inventor： 翟俊宜 ,  刘玉东

IPC: H01L29/78 ,  G01R33/09

CPC classification number: H01L29/78391 ,  G01R33/095

Abstract: 本发明提供一种基于磁致压电势晶体管，包括基底和设置在所述基底上的铁电晶体管，其中，所述基底由磁致伸缩材料构成，所述铁电晶体管中包括压电层。本发明的晶体管主要由三种不同功能材料磁致伸缩层基底材料、压电层材料和半导体层材料复合构成，并且垂直堆垛而成。本发明的基于磁致压电势晶体管还可以作为磁传感器。当该传感器置于磁场中，磁致伸缩材料产生应变并传给铁电晶体管中的压电材料，使压电材料产生压电势；该压电势可以作为栅电压，调节半导体内载流子浓度，使半导体内电阻发生变化，如果在半导体的源漏两端加电压，会使电流在施加磁场后发生变化。

公开(公告)号：CN109037317A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810584953.5

申请日：2018-06-08

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 刘香根

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78391 ,  G11C11/223 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/15 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/516 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L29/42356

Abstract: 一种铁电存储器件包括：衬底；以及顺序层叠在衬底的表面上的铁电层、可变电阻存储层和栅电极。铁电层根据可变电阻存储层的电阻状态而具有多个不同剩余极化值中的任意一个。

公开(公告)号：CN108987409A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810270320.7

申请日：2018-03-29

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 李炯东

IPC: H01L27/11585 ,  H01L27/11587 ,  H01L27/11597

CPC classification number: G06N3/063 ,  G06N3/04 ,  H01L27/11587 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/78391

Abstract: 提供一种具有突触阵列的神经形态器件。神经形态器件的突触阵列可以包括输入神经元、输出神经元和突触。突触可以包括多个彼此并联地电连接的铁电场效应晶体管。

公开(公告)号：CN108369956A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680070615.9

申请日：2016-11-21

Applicant: 美光科技公司

Inventor： A·A·恰范 ,  D·V·N·拉马斯瓦米 ,  M·纳哈尔

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法包含在衬底上方形成非铁电含金属氧化物的绝缘体材料。在所述衬底上方形成包含至少两种不同组合物非铁电金属氧化物的复合堆叠。所述复合堆叠具有至少1×102西门子/厘米的总体导电率。使用所述复合堆叠来使所述非铁电含金属氧化物的绝缘体材料变为铁电的。在所述复合堆叠及所述绝缘体材料上方形成导电材料。本发明还揭示独立于制造方法的铁电电容器及铁电场效应晶体管。

公开(公告)号：CN107170828A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710426277.4

申请日：2017-06-08

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 廖敏 ,  肖文武 ,  周益春 ,  彭强祥 ,  钟向丽 ,  王金斌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78391 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684

Abstract: 本发明公开了一种铁电场效应晶体管，包括：衬底；在所述衬底上形成的源极区；在所述衬底上且同所述源极区分离形成的漏极区；在所述衬底上且在所述源极区和所述漏极区之间形成的绝缘层；在所述绝缘层上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的栅电极；在所述源极区上形成的源电极；以及在所述漏极区上形成的漏电极。本发明在晶体管中引入氧化铪基材料作为晶体管的栅介质材料，HfN作为绝缘层，使得该晶体管在制作工艺上与现有硅工艺兼容，且可以获得较低功耗、减小漏电流、实现长时间保持，可用于高性能、低功耗大规模存储集成电路。

公开(公告)号：CN106057873A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510718705.1

申请日：2015-10-29

Applicant: 财团法人交大思源基金会

Inventor： 张俊彦 ,  郑淳护 ,  邱于建

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/785 ,  H01L27/11585

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，包括基底、第一介电层、导体层、铁电材料层与电荷捕获层。第一介电层设置在基底上。导体层设置在第一介电层上。铁电材料层与电荷捕获层堆叠设置在第一介电层与导体层之间。本发明的半导体元件，具有较佳的存储器特性与晶体管特性。

公开(公告)号：CN105633169A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610124048.2

申请日：2016-03-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张春福 ,  韩根全 ,  李庆龙 ,  冯倩 ,  张进城 ,  郝跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/20 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种基于InAs材料的铁电场效应晶体管及其制备方法，解决现有Si基铁电栅介质场效应晶体管导通电流小和亚阈摆幅无法降低的问题。该晶体管包括：衬底1、源极2、沟道3、漏极4、绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7、栅电极8；沟道3位于衬底1上方中央位置，源极3和漏极4位于在沟道3的两侧。绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7及栅电极8依次由下至上竖直分布在沟道3的上方。本发明在场效应晶体管中引入InAs材料作为晶体管的沟道材料，使得该晶体管在较低工作电压的情况下能得到较低的亚阈摆幅和较高的开关速度。

公开(公告)号：CN103987680A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280055282.4

申请日：2012-11-07

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  金田敏彦

IPC: C04B35/622 ,  B28B11/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L27/1255 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1637 ,  B41J2/1645 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/67098 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L28/55 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/7869 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/317 ,  H01L41/332 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明的一种功能性设备的制造方法包括模压工艺、功能性固体材料层形成工艺。模压工艺中，在对以功能性固体材料前驱体溶液作为起始材料的功能性固体材料前驱体层推压用于形成模压结构的模具的期间的至少一部分时间内，以使对所述功能性固体材料前驱体层供应热量的热源的第一温度高于所述功能性固体材料前驱体层的第二温度的方式，对所述功能性固体材料前驱体层实施模压加工的模压工艺。另外，功能性固体材料层形成工艺中，在所述模压工艺后，在含氧气氛中通过用高于所述第一温度的第三温度对所述功能性固体材料前驱体层进行热处理，从而由所述功能性固体材料前驱体层形成功能性固体材料层。

公开(公告)号：CN103359785A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310085165.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C01G25/00 ,  C04B35/622 ,  C04B35/491

CPC classification number: H01B13/06 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L28/55 ,  H01L29/78391 ,  H01L37/025 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  H03H9/02574 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜的制造方法和PZT系铁电薄膜。该PZT系铁电薄膜的制造方法，在具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布PZT系铁电薄膜用组合物进行临时烧结之后，烧成而结晶化来在下部电极上制造PZT系铁电薄膜时，将PZT系铁电薄膜形成用组合物以CSD法涂布形成于下部电极表面上的溶胶膜，使用红外线且通过温度模式稳定地进行临时烧结，该温度模式包括：第1保持阶段，从室温等预定温度升温而保持在200℃～350℃的范围内的温度；和第2保持阶段，从第1保持阶段的保持温度升温而保持在比第1保持阶段的保持温度更高的350℃～500℃的范围内的温度。

公开(公告)号：CN102405522A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200980158826.8

申请日：2009-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中浩之 ,  金子幸広 ,  加藤刚久

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种半导体存储单元，具备栅极绝缘膜由铁电体膜(4)构成的MFSFET(21)所组成的存储元件、和栅极绝缘膜由顺电体膜(9)构成的MISFET(22)所组成的选择开关元件，铁电体膜(4)与顺电体膜(9)隔着非晶半导体膜(5)而层叠，在铁电体膜(4)侧，形成MFSFET(21)的第1栅电极(3)，在顺电体膜(9)侧，形成MISFET的第2栅电极(10)。非晶半导体膜(5)构成MFSFET(21)以及MISFET(22)的共用的沟道层，在非晶半导体膜(5)的主面上，形成MFSFET(21)以及MISFET(22)共用的源电极(6)以及漏电极(8)。