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公开(公告)号：CN102292975A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200980155171.9
申请日：2009-10-23
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H04N5/3458 , H04N5/347 , H04N5/3537 , H04N5/3742 , H04N9/045
摘要： 本发明是提供一种固体摄像元件、照相机系统和固体摄像元件的驱动方法。在发光强度低的情况下，能够以高灵敏度、高帧频率、高分辨率来进行拍摄。固体摄像元件具备：多种类的像素组，其中，各像素具备具有依存于入射光的波长的灵敏度特性，且输出与接收到的光的强度相应的图像信号的光电变换部，并且灵敏度特性彼此不同；和从多种类的像素组的各个像素组读出像素信号，并输出与像素组的种类相应的图像的图像信号的读出电路。读出电路输出根据像素组的种类使图像的帧频率发生变化后得到的图像信号。
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公开(公告)号：CN1758380A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510099488.9
申请日：2005-09-05
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/22 , H01L27/115 , G06F12/14
摘要： 本发明的半导体器件包括：存储数据的非易失性的存储单元；采用所述存储单元中存储的数据和从外部输入的数据进行运算的运算单元；以及输出所述运算单元的运算结果的输出单元，所述存储单元的输出线仅连接到所述运算单元。
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公开(公告)号：CN1245721C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN01109426.5
申请日：2001-03-09
申请人： 松下电器产业株式会社
发明人： 加藤刚久
IPC分类号： G11C7/00 , G11C7/10 , H01L27/105
CPC分类号： G11C11/22
摘要： 在将强电介质电容器与场效应晶体管(FET)的栅极连接的半导体存储装置中，设FET的阈值电压(Vti)时的栅极电荷为Qti。在从强电介质电容器的极化值为0(C/cm2)的状态开始增加电压时的极化-电压特性中，设可以得到与Qti相当的极化值的电压值为Vtf。读出动作中FET的栅极电荷-栅极电压特性与强电介质电容器的极化-电压特性的交点就是记忆后的最坏情况0(C/cm2)的状态下的工作点。
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公开(公告)号：CN1482683A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03154304.9
申请日：2003-08-14
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11C11/22 , G11C7/1048 , G11C7/12
摘要： 本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法和驱动方法。在将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器的2个电极上施加读出电压，以增加读出极化值时的动作余量。半导体存储装置装备有具有将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器(C0)、(C1)的多个存储器单元。在构成多个存储器单元中的作为读出数据的存储器单元的强电介质电容器(C0)、(C1)的2个电极之间施加读出电压，并通过检测强电介质电容器(C0)、(C1)的极化值来读出存储在强电介质电容器(C0)、(C1)的数据。强电介质电容器(C0)、(C1)的滞后曲线向与读出电压的极性相反的电压侧移动。
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公开(公告)号：CN1466763A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01816271.1
申请日：2001-09-25
申请人： 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22
摘要： 一种铁电存储器636，包括一组存储器单元645，12，201，301，401，501，每个单元具有一铁电存储器元件44，218，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线25，49，125，325，425，525，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器20，42，120，320，420，在存储器单元及位元线之间，一设定开关14，114，314，414，514，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关16，116，316，416，516，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。
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公开(公告)号：CN1343008A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01131028.6
申请日：2001-09-04
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11C11/22
摘要： 本发明的半导体存储装置的驱动方法,其装置是由串联连接的铁电体电容器CF11、CF12、CF13、CF14和单元选择晶体管Q11、Q12、Q13、Q14构成的多个存储单元相互并联连接。第1共同节点N11与施加读出电压的第1置位线SET1连接,第2共同节点N12与第1复位线RST1和第1读出晶体管Q16的栅极连接。加到第1置位线SET1上的读出电压的大小设定为,在除去该读出电压时,读出数据的铁电体电容器的铁电体膜的极化偏移恢复到读出数据之前的偏移。在提高半导体存储装置的记忆特性的同时,谋求读出晶体管的动作的稳定性。
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公开(公告)号：CN1335647A
公开(公告)日：2002-02-13
申请号：CN01120041.3
申请日：2001-07-10
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/105 , G11C11/34
CPC分类号： G11C11/22 , G11C11/223
摘要： 一种半导体存储装置,存储单元包括利用强电介质膜的极化偏位来储存数据的强电介质电容器30,和与该强电介质电容器30并联连接的选择晶体管20。在沿位线方向连续连接多个强电介质电容器30的串联电路的一端侧上,连接通过检测所选择的强电介质电容器30的强电介质膜极化偏位来读出数据的读出晶体管10,利用多个强电介质电容器30、多个选择晶体管20以及1个读出晶体管10来构成存储单元部分。能提高半导体存储装置的保持特性。
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公开(公告)号：CN1329360A
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：CN01118832.4
申请日：2001-06-19
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11C11/22 , G11C11/223
摘要： 一种半导体存储装置的驱动方法,该半导体存储装置包括:强电介质电容器30、串联连接强电介质电容器30的读出FET10、以及并联连接强电介质电容器30的选择FET20。当读出储存在强电介质电容器30中的数据时,把低于该强电介质电容器30的矫顽电压的读出电压外加到强电介质电容器30的上电极31上,当除去该读出电压时,能使强电介质膜33的极化偏位返回到读出数据前的偏位上。提高具有强电介质电容器的半导体存储装置的保持特性。
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公开(公告)号：CN102668083B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080052831.3
申请日：2010-08-04
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/1464
摘要： 本发明的固体摄像装置具有：半导体基板(1)；矩阵状地配置于该半导体基板(1)的上部而形成的n型的多个光电变换部(11)；形成于半导体基板(1)的一个面即电荷检测面，并对积累于光电变换部(11)的电荷进行检测的输出电路(12)；形成于该输出电路(12)的下侧，且包含与各光电变换部(11)相接的高浓度p型层的p型的多个分离扩散层(10)；形成于半导体基板(1)中的与上述一个面相对的另一面即光入射面，且透过不同波长的光的彩色滤光器(17)、(18)以及(19)。各光电变换部(11)的形状与彩色滤光器(17)、(18)以及(19)相对应，根据构成分离扩散层(10)的高浓度p型层而不同。
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公开(公告)号：CN102265392A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152064.0
申请日：2009-10-23
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/22 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L21/28291 , G11C11/22 , G11C11/223 , H01L27/1159 , H01L29/516 , H01L29/6684 , H01L29/78391
摘要： 本发明的半导体存储单元具备由第1场效应晶体管构成的存储器元件(21)和由的第2场效应晶体管构成的选择开关元件(22)，第1场效应晶体管用铁电体膜构成栅极绝缘膜(13)，第2场效应晶体管用顺电体膜构成栅极绝缘膜(16)，铁电体膜和顺电体膜隔着由化合物半导体构成的半导体膜(14)而层叠。在铁电体膜侧形成第1场效应晶体管的第1栅极电极(12)，在顺电体膜侧与第1栅极电极(12)相对置地形成第2场效应晶体管的第2栅极电极(17)，半导体膜(14)构成第1以及第2场效应晶体管的公共的沟道层。
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