公开(公告)号：CN1551373A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044704.5

申请日：2004-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  池田义人 ,  田中毅 ,  井上薰 ,  上田大助 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766

Abstract: 一种半导体装置，由III－V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1－xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1－yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。

公开(公告)号：CN103620783B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280030161.4

申请日：2012-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 坂田祐辅 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  益田洋司 ,  栗山仁志 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置具备：第一电极(113)，被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极(115)，被形成在光电转换膜(114)上；电荷积蓄区域(104)，与第一电极(113)电连接，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷；放大晶体管(108a)，对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大；复位栅极电极，对电荷积蓄区域(104)进行复位；以及由半导体材料构成的接触插头(107)，用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接，且与电荷积蓄区域(104)直接接触。

公开(公告)号：CN103620783A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280030161.4

申请日：2012-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 坂田祐辅 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  益田洋司 ,  栗山仁志 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置具备：第一电极(113)，被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极(115)，被形成在光电转换膜(114)上；电荷积蓄区域(104)，与第一电极(113)电连接，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷；放大晶体管(108a)，对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大；复位栅极电极，对电荷积蓄区域(104)进行复位；以及由半导体材料构成的接触插头(107)，用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接，且与电荷积蓄区域(104)直接接触。

公开(公告)号：CN103493202A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019936.8

申请日：2012-04-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冲野彻 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  田中毅

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，具备：基板(30)、形成在基板(30)上的绝缘体层(31)、形成在绝缘体层(31)上的半导体层(32)、形成在半导体层(32)上的硅层(33)。硅层(33)具有多个像素部，该多个像素部各自具有：光电变换部(34)，其将光变换为信号电荷；和电路，其读出信号电荷。绝缘体层(31)的折射率比半导体层(32)的折射率小。

公开(公告)号：CN100563032C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200410103700.X

申请日：2004-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  田中毅 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/41 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/66871 ,  H01L21/28 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/8128

Abstract: 在使用III～V族氮化物半导体的半导体装置中，可以确实抑制由III～V族氮化物半导体的上表面的空穴引起的频率分散。在衬底11上顺次形成了由氮化铝(AlN)形成的缓冲层12，由不掺杂的氮化镓(GaN)形成的沟道层13及由氮化镓铝(AlGaN)形成的载流子供给层14，在载流子供给层14的上部设置了断面V字形状的凹陷部分14b。在载流子供给层14上，设置填充凹陷部分14b形式的栅极电极15的同时，在栅极电极15的侧方以一定的间隔设置源极电极16及漏极电极17。

公开(公告)号：CN102893400B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201180023800.X

申请日：2011-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  石井基范 ,  斋藤繁 ,  大竹悠介 ,  藤原一夫 ,  岛田恭博 ,  广濑裕

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L31/02325 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/18

Abstract: 一种固体摄像装置（10），多个像素被排列成二维状，该固体摄像装置具备硅层（101）；多个光电二极管（111），在硅层（101）内与多个像素对应地形成，通过将入射的光进行光电变换而生成信号电荷；以及多个滤色器（122a～122c），在硅层（101）的上方与多个像素对应地形成；多个滤色器（122a～122c）分别在作为相邻的滤色器之间的区域、并且是硅层（101）侧的区域的区域中，形成有折射率比滤色器（122a～122c）低的凸部（121），多个滤色器（122a～122c）分别在凸部（121）的上方与相邻的滤色器接触。

公开(公告)号：CN103946982A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056111.3

申请日：2012-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  坂田祐辅 ,  益田洋司 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 固体摄像装置具备：被配置为矩阵状的多个像素(11)；半导体衬底(101)；第一电极(113)，按每个像素(11)被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；电荷积蓄区域(104)，被形成在半导体衬底(101)，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而生成的信号电荷；接触插塞(107)，将对应的像素(11)的第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接；N型杂质区域(117)，被形成在电荷积蓄区域(104)的表面中的、与接触插塞(107)接触的区域；P型杂质区域(151)，被形成在不与接触插塞(107)接触的区域；以及低浓度N型杂质区域(150)，被形成在N型杂质区域(117)与P型杂质区域(151)之间。

公开(公告)号：CN102105985B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200980127511.7

申请日：2009-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤繁 ,  田中圭介 ,  岁清公明 ,  广濑裕 ,  石井基范

IPC: H01L27/14 ,  G02B3/08 ,  G02B5/20

CPC classification number: G02B3/0056 ,  G02B3/0087 ,  G02B3/08 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685

Abstract: 一种固体摄像元件，在斜向入射时，减低因向波导路内入射的光的角度增加导致的聚光损失及混色增加，在灵敏度提高方面具备有效的结构，其特征为，具备：Si基板(6)；多个单位像素，配置于Si基板(6)上；布线层(4)，形成于多个单位像素上；光波导区域(401)，形成于单位像素中包含的光电变换区域上，并且穿透布线层(4)；以及聚光元件(501)，形成于光波导区域(401)上；聚光元件(501)是具有有效折射率分布的折射率分布型微透镜。

公开(公告)号：CN102668083A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080052831.3

申请日：2010-08-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  广濑裕 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明的固体摄像装置具有：半导体基板(1)；矩阵状地配置于该半导体基板(1)的上部而形成的n型的多个光电变换部(11)；形成于半导体基板(1)的一个面即电荷检测面，并对积累于光电变换部(11)的电荷进行检测的输出电路(12)；形成于该输出电路(12)的下侧，且包含与各光电变换部(11)相接的高浓度p型层的p型的多个分离扩散层(10)；形成于半导体基板(1)中的与上述一个面相对的另一面即光入射面，且透过不同波长的光的彩色滤光器(17)、(18)以及(19)。各光电变换部(11)的形状与彩色滤光器(17)、(18)以及(19)相对应，根据构成分离扩散层(10)的高浓度p型层而不同。

公开(公告)号：CN102668083B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201080052831.3

申请日：2010-08-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  冲野彻 ,  广濑裕 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明的固体摄像装置具有：半导体基板(1)；矩阵状地配置于该半导体基板(1)的上部而形成的n型的多个光电变换部(11)；形成于半导体基板(1)的一个面即电荷检测面，并对积累于光电变换部(11)的电荷进行检测的输出电路(12)；形成于该输出电路(12)的下侧，且包含与各光电变换部(11)相接的高浓度p型层的p型的多个分离扩散层(10)；形成于半导体基板(1)中的与上述一个面相对的另一面即光入射面，且透过不同波长的光的彩色滤光器(17)、(18)以及(19)。各光电变换部(11)的形状与彩色滤光器(17)、(18)以及(19)相对应，根据构成分离扩散层(10)的高浓度p型层而不同。