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公开(公告)号:CN103620783B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201280030161.4
申请日:2012-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H04N5/357 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14806 , H01L21/76886 , H01L23/485 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置具备:第一电极(113),被形成在半导体衬底(101)的上方;光电转换膜(114),被形成在第一电极(113)上,且对光进行光电转换,从而得到信号电荷;第二电极(115),被形成在光电转换膜(114)上;电荷积蓄区域(104),与第一电极(113)电连接,积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷;放大晶体管(108a),对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大;复位栅极电极,对电荷积蓄区域(104)进行复位;以及由半导体材料构成的接触插头(107),用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接,且与电荷积蓄区域(104)直接接触。
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公开(公告)号:CN103620783A
公开(公告)日:2014-03-05
申请号:CN201280030161.4
申请日:2012-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H04N5/357 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14806 , H01L21/76886 , H01L23/485 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置具备:第一电极(113),被形成在半导体衬底(101)的上方;光电转换膜(114),被形成在第一电极(113)上,且对光进行光电转换,从而得到信号电荷;第二电极(115),被形成在光电转换膜(114)上;电荷积蓄区域(104),与第一电极(113)电连接,积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷;放大晶体管(108a),对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大;复位栅极电极,对电荷积蓄区域(104)进行复位;以及由半导体材料构成的接触插头(107),用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接,且与电荷积蓄区域(104)直接接触。
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