公开(公告)号：CN107895730B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201710905815.8

申请日：2017-09-29

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 毛杜立 ,  林志强 ,  马渕圭司 ,  陈刚 ,  戴森·H·戴 ,  比尔·潘 ,  奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 ,  杨大江

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14647 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H04N5/2355 ,  H04N5/35563 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378 ,  H04N5/379

摘要： 本申请案涉及一种堆叠式图像传感器，其包含第一多个光电二极管，所述第一多个光电二极管包含安置在第一半导体材料中的第一光电二极管和第二光电二极管。所述第一半导体材料靠近所述第一光电二极管的厚度小于所述第一半导体材料靠近所述第二光电二极管的厚度。第二多个光电二极管经安置在第二半导体材料中。所述第二多个光电二极管与所述第一多个光电二极管光学对准。互连层经安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间。所述互连层包含安置在所述第二光电二极管和包含于所述第二多个光电二极管中的第三光电二极管之间的光学屏蔽件。所述光学屏蔽件防止图像光的第一部分到达所述第三光电二极管。

公开(公告)号：CN104465681B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201410441186.4

申请日：2014-09-01

申请人： 索尼公司

发明人： 菊地晃司

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685

摘要： 本发明涉及固态摄像装置、制造固态摄像装置的方法以及包括该固体摄像装置的电子装置。所述固态摄像装置包括：彼此相邻的多个相位差检测像素；以及分离结构，其布置成分离进入所述多个相位差检测像素的每个光接收单元的光，所述分离结构形成为侧壁面具有倾斜且横截面具有逐渐减小的形状。根据本发明，能够防止AF的精确性降低。

公开(公告)号：CN105374831B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201410808034.3

申请日：2014-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘铭棋

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： 本发明提供了图像传感器和用于形成图像传感器的方法。该图像传感器包括：衬底，并且该衬底包括像素区、外围区和边界区，并且边界区形成在像素区和外围区之间。该图像传感器还包括形成在像素区中的第一栅极堆叠件结构以及形成在外围区中的第二栅极堆叠件结构。第二栅极堆叠件结构包括高k介电层和第一金属层。

公开(公告)号：CN109786403A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810783247.3

申请日：2018-07-17

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李元俊

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14641 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/378

摘要： 图像传感器。一种图像传感器包括：光电转换元件，所述光电转换元件被构造为接收入射光并且将接收到的光转换为电荷；多个传输晶体管，所述多个传输晶体管电联接到所述光电转换元件，以响应于传输信号而选择性地将所述电荷传输到所述光电转换元件外部；以及滞后防止结构，所述滞后防止结构被形成在所述光电转换元件的中心处，并且被构造为接收所述传输信号以与所述多个传输晶体管一起操作，以便于将所述电荷传输到所述光电转换元件外部。

公开(公告)号：CN109638029A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811377900.2

申请日：2014-06-20

申请人： 索尼公司

发明人： 野村宏利

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/232 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H04N5/23212 ,  H04N5/3696 ,  H04N5/374 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378

摘要： 一种固态成像装置包括多个像素，每一个像素包括通过光电转换光而产生电荷的光电转换单元以及读取电平对应于该光电转换单元中产生的电荷的像素信号的晶体管。作为该多个像素的至少一部分的相差像素以这样的方式构造：该光电转换单元被分成多个光电转换单元，并且绝缘的光屏蔽膜埋设在用于将该多个光电转换单元彼此分隔开的区域中。

公开(公告)号：CN109637973A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811547160.2

申请日：2018-12-18

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 田俊 ,  黄永彬 ,  王永刚

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/146 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/1463

摘要： 本发明技术方案公开了一种浅沟槽隔离结构及其形成方法。所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有衬垫氧化层和硬掩膜层，所述半导体衬底包括像素区和逻辑区，且所述像素区和逻辑区都形成有浅沟槽；在所述像素区的浅沟槽内填充刻蚀阻止层；进一步刻蚀所述逻辑区的浅沟槽至设计深度；去除所述像素区的浅沟槽内的刻蚀阻止层；在所述像素区和逻辑区的浅沟槽内填充绝缘介质，再去除所述硬掩膜层。所述浅沟槽隔离结构的形成方法可以避免现有技术在逻辑区和像素区形成的浅沟槽在半导体衬底上的部分存在高度差导致的缺陷。

公开(公告)号：CN108807440A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810612052.2

申请日：2018-06-14

申请人： 上海华力集成电路制造有限公司

发明人： 李岩 ,  张武志

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/14689

摘要： 本发明公开了一种CMOS图像传感器，形成于P型半导体衬底上且包括多个像素单元；各像素单元包括表面钳位光电二极管，钳位光电二极管包括形成于P型半导体衬底中的N型埋层和形成于所述N型埋层表面的表面P+层；相邻的表面钳位光电二极管之间的P型半导体衬底表面形成有场氧层；在场氧层的底部形成有第一P型掺杂隔离区；在N型埋层的底部形成有全面注入的第二P型掺杂隔离区，第一P型掺杂隔离区的底部表面的深度大于等于第二P型掺杂隔离区的顶部表面的深度使第一P型掺杂隔离区的底部和第二P型掺杂隔离区相交叠。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能保证实现衬底噪声隔离的条件下节省成本。

公开(公告)号：CN105321966B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201410817565.9

申请日：2014-12-24

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 艾瑞克·A·G·韦伯斯特 ,  霍华德·E·罗兹 ,  多米尼克·马塞提

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/14645 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14652 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/028

摘要： 本申请案涉及种可见光及红外线图像传感器。种像素阵列包含安置在第半导体层上的SiGe层。多个像素安置在所述第半导体层中。所述多个像素包含:(1)第像素部分,其通过间隔区域与所述SiGe层分离;及(2)第二像素部分,其包含与所述SiGe层接触的第掺杂区域。所述像素阵列还包含安置在所述多个像素中的个别像素之间的钉扎阱。所述钉扎阱的第部分延伸穿过所述第半导体层。所述钉扎阱的第二部分延伸穿过所述第半导体层及所述SiGe层。

公开(公告)号：CN108269813A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201711430935.3

申请日：2017-12-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李贵德 ,  李泰渊

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14893 ,  H01L31/062 ,  H01L27/14614

摘要： 一种图像传感器可包括衬底，其包括多个单元像素区并且具有彼此面对的第一表面和第二表面。单元像素区中的每一个可包括：在衬底中彼此间隔开的多个浮置扩散部件；存储节点，它们设置在衬底中并且与浮置扩散部件间隔开，并且面对浮置扩散部件；转移栅极，其邻近于浮置扩散部件与存储节点之间的区；以及光电转换部件，它们按次序堆叠在第一表面和第二表面之一上。光电转换部件中的每一个可包括分别设置在其顶表面和底表面上的公共电极和像素电极，并且各个像素电极可电连接至对应的一个存储节点。

公开(公告)号：CN105097856B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201410815014.9

申请日：2014-12-23

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 艾瑞克·A·G·韦伯斯特

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14605 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14649 ,  H04N5/378

摘要： 本申请案涉及一种增强型背侧照明的近红外图像传感器。图像传感器包含安置于半导体材料中以响应于经引导穿过所述半导体材料的背侧的光而积累图像电荷的光电二极管。散射结构接近于所述半导体材料的前侧安置，使得穿过所述背侧引导到所述半导体材料中的所述光往回散射穿过所述光电二极管。深沟槽隔离结构安置于所述半导体材料中，所述深沟槽隔离结构隔离所述光电二极管且界定光学路径，使得在所述光学路径中往回散射穿过所述光电二极管的所述光由所述DTI全内反射。抗反射涂层安置于所述半导体材料的所述背侧上且使由所述散射结构散射的所述光全内反射以将所述光局限为保持在所述光学路径中直到其被吸收为止。