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公开(公告)号：CN107895729B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201710905557.3
申请日：2017-09-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 毛杜立 , 特吕格弗·维拉森 , 约翰内斯·索尔胡斯维克 , 马渕圭司 , 陈刚 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 比尔·潘 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 林志强
IPC: H01L27/146 , H04N5/235 , H04N5/341
Abstract: 本发明揭示一种减少照明诱发的闪烁的图像传感器像素和一种成像系统。实例图像传感器像素可包含光电二极管、转移栅极、抗溢出栅极及第一及第二源极跟随器晶体管。所述光电二极管可捕获光且作为响应产生电荷，且所述光电二极管可具有电荷容量。所述转移栅极可将电荷选择性地转移到第一浮动扩散区，且当所述产生的电荷大于所述光电二极管电荷容量时，所述抗溢出栅极可将过量电荷选择性地转移到第二浮动扩散区。所述第一源极跟随器晶体管可通过栅极直接耦合到所述第一浮动扩散区，所述第一源极跟随器响应于第一行选择晶体管的启用选择性地输出第一信号到第一位线，且所述第二源极跟随器晶体管可电容耦合到所述第二浮动扩散区，所述第二源极跟随器响应于第二行选择晶体管的启用选择性地输出第二信号到第二位线。
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公开(公告)号：CN104103652B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310544735.6
申请日：2013-11-06
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 胡信中 , 杨大江 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 戴幸志 , 陈刚
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14643
Abstract: 本发明涉及具有穿过具有隔离区的触点蚀刻终止层耦合的金属触点的图像传感器。图像传感器像素包含安置在半导体层中的一个或一个以上光电二极管。像素电路安置在所述半导体层中、耦合到所述一个或一个以上光电二极管。钝化层在所述像素电路和所述一个或一个以上光电二极管上方安置在所述半导体层附近。触点蚀刻终止层安置在所述钝化层上方。一个或一个以上金属触点穿过所述触点蚀刻终止层耦合到所述像素电路。在所述触点蚀刻终止层中界定一个或一个以上隔离区，所述隔离区将所述一个或一个以上金属触点耦合到所述像素电路所穿过的触点蚀刻终止层材料与所述一个或一个以上光电二极管隔离。
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公开(公告)号：CN107895730A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201710905815.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H04N5/2355 , H04N5/35563 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H04N5/379
Abstract: 本申请案涉及一种堆叠式图像传感器，其包含第一多个光电二极管，所述第一多个光电二极管包含安置在第一半导体材料中的第一光电二极管和第二光电二极管。所述第一半导体材料靠近所述第一光电二极管的厚度小于所述第一半导体材料靠近所述第二光电二极管的厚度。第二多个光电二极管经安置在第二半导体材料中。所述第二多个光电二极管与所述第一多个光电二极管光学对准。互连层经安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间。所述互连层包含安置在所述第二光电二极管和包含于所述第二多个光电二极管中的第三光电二极管之间的光学屏蔽件。所述光学屏蔽件防止图像光的第一部分到达所述第三光电二极管。
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公开(公告)号：CN107689382B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201710652231.4
申请日：2017-08-02
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 马渕圭司 , 戴森·H·戴 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 毛杜立 , 真锅宗平
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本申请案涉及一种线性对数图像传感器。用于高动态范围图像传感器中的像素阵列包含在所述像素阵列中布置在多个行和列中的多个像素。所述像素中的每一者包含安置在半导体材料中的线性子像素和对数子像素。所述线性子像素经耦合以产生具有线性响应的线性输出信号，且所述对数子像素经耦合以响应于入射光而产生具有对数响应的对数输出信号。位线耦合到所述线性子像素和对数子像素以接收所述线性输出信号和所述对数输出信号。所述位线为耦合到所述多个像素的多个位线中的一者。所述多个位线中的每一者耦合到所述多个像素的对应分组。
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公开(公告)号：CN107437552A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710374063.7
申请日：2017-05-24
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 毛杜立 , 特吕格弗·维拉森 , 约翰内斯·索尔胡斯维克 , 马渕圭司 , 陈刚 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 比尔·潘 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 林志强 , 马思光 , 杨大江 , 博伊德·艾伯特·佛勒
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H04N5/23229 , H04N5/3559 , H04N5/3591 , H04N5/3592 , H04N5/37452 , H04N5/37457 , H01L27/14605 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及用于检测不闪烁发光二极管的系统及方法。一种用于检测不闪烁发光二极管LED的图像传感器包含具有像素的像素阵列。每一像素包含：包含第一及第二子像素的子像素、双浮动扩散DFD晶体管及耦合到所述DFD晶体管的电容器。第一子像素包含用于获取第一图像电荷的第一光敏元件及用于选择性地将所述第一图像电荷从所述第一光敏元件转移到第一浮动扩散FD节点的第一转移栅极晶体管。第二子像素包含用于获取第二图像电荷的第二光敏元件及用于选择性地将所述第二图像电荷从所述第二光敏元件转移到第二FD节点的第二转移栅极晶体管。DFD晶体管耦合到所述第一及所述第二FD节点。还描述其它实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109103207A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810636929.1
申请日：2018-06-20
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种单曝光高动态范围传感器。所述单曝光高动态范围HDR图像传感器包含安置于半导体材料中的第一光电二极管及第二光电二极管，所述第二光电二极管具有小于所述第一光电二极管的满阱容量。所述图像传感器还包含：第一浮动扩散部，其安置于所述半导体材料中；及第一转移栅极，其耦合到所述第一光电二极管以将累积在所述第一光电二极管中的第一图像电荷转移到所述第一浮动扩散部中。第二浮动扩散部安置于所述半导体材料中，且第二转移栅极耦合到所述第二光电二极管以将累积在所述第二光电二极管中的第二图像电荷转移到所述第二浮动扩散部中。衰减层安置于所述第二光电二极管与朝向所述单曝光HDR图像传感器引导的图像光之间以阻挡所述图像光的一部分到达所述第二光电二极管。
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公开(公告)号：CN107895729A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201710905557.3
申请日：2017-09-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 毛杜立 , 特吕格弗·维拉森 , 约翰内斯·索尔胡斯维克 , 马渕圭司 , 陈刚 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 比尔·潘 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 林志强
IPC: H01L27/146 , H04N5/235 , H04N5/341
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/14636 , H01L27/14656 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/14603 , H01L27/14614 , H04N5/2357 , H04N5/341
Abstract: 本发明揭示一种减少照明诱发的闪烁的图像传感器像素和一种成像系统。实例图像传感器像素可包含光电二极管、转移栅极、抗溢出栅极及第一及第二源极跟随器晶体管。所述光电二极管可捕获光且作为响应产生电荷，且所述光电二极管可具有电荷容量。所述转移栅极可将电荷选择性地转移到第一浮动扩散区，且当所述产生的电荷大于所述光电二极管电荷容量时，所述抗溢出栅极可将过量电荷选择性地转移到第二浮动扩散区。所述第一源极跟随器晶体管可通过栅极直接耦合到所述第一浮动扩散区，所述第一源极跟随器响应于第一行选择晶体管的启用选择性地输出第一信号到第一位线，且所述第二源极跟随器晶体管可电容耦合到所述第二浮动扩散区，所述第二源极跟随器响应于第二行选择晶体管的启用选择性地输出第二信号到第二位线。
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公开(公告)号：CN109103207B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201810636929.1
申请日：2018-06-20
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种单曝光高动态范围传感器。所述单曝光高动态范围HDR图像传感器包含安置于半导体材料中的第一光电二极管及第二光电二极管，所述第二光电二极管具有小于所述第一光电二极管的满阱容量。所述图像传感器还包含：第一浮动扩散部，其安置于所述半导体材料中；及第一转移栅极，其耦合到所述第一光电二极管以将累积在所述第一光电二极管中的第一图像电荷转移到所述第一浮动扩散部中。第二浮动扩散部安置于所述半导体材料中，且第二转移栅极耦合到所述第二光电二极管以将累积在所述第二光电二极管中的第二图像电荷转移到所述第二浮动扩散部中。衰减层安置于所述第二光电二极管与朝向所述单曝光HDR图像传感器引导的图像光之间以阻挡所述图像光的一部分到达所述第二光电二极管。
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公开(公告)号：CN107437552B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710374063.7
申请日：2017-05-24
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 毛杜立 , 特吕格弗·维拉森 , 约翰内斯·索尔胡斯维克 , 马渕圭司 , 陈刚 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 比尔·潘 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 林志强 , 马思光 , 杨大江 , 博伊德·艾伯特·佛勒
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H04N5/23229 , H04N5/3559 , H04N5/3591 , H04N5/3592 , H04N5/37452 , H04N5/37457
Abstract: 本发明涉及用于检测不闪烁发光二极管的系统及方法。一种用于检测不闪烁发光二极管LED的图像传感器包含具有像素的像素阵列。每一像素包含：包含第一及第二子像素的子像素、双浮动扩散DFD晶体管及耦合到所述DFD晶体管的电容器。第一子像素包含用于获取第一图像电荷的第一光敏元件及用于选择性地将所述第一图像电荷从所述第一光敏元件转移到第一浮动扩散FD节点的第一转移栅极晶体管。第二子像素包含用于获取第二图像电荷的第二光敏元件及用于选择性地将所述第二图像电荷从所述第二光敏元件转移到第二FD节点的第二转移栅极晶体管。DFD晶体管耦合到所述第一及所述第二FD节点。还描述其它实施例。
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公开(公告)号：CN104979365B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410371322.7
申请日：2014-07-30
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 杨大江 , 胡信崇 , 菲利浦·约翰·希兹迪尔 , 戴森·H·戴 , 陈刚 , 杨存宇 , 林志强
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14649 , H01L27/14658 , H01L31/167
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器像素及图像传感器。图像传感器像素包含光敏元件、浮动扩散区域、转移栅极、电介质电荷捕集区域及第一金属接触件。所述光敏元件安置在半导体层中以接收沿着垂直轴的电磁辐射。所述浮动扩散区域安置在所述半导体层中，而所述转移栅极安置在所述半导体层上以控制所述光敏元件中产生的电荷到所述浮动扩散区域的流动。所述电介质电荷捕集装置安置在所述半导体层上以接收沿着所述垂直轴的电磁辐射且响应于所述电磁辐射捕集电荷。所述电介质电荷捕集装置经进一步配置以响应于所述所捕集的电荷在所述光敏元件中引致电荷。所述第一金属接触件耦合到所述电介质电荷捕集装置以向所述电介质电荷捕集装置提供第一偏压。
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