-
公开(公告)号：CN105552094B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201510700902.0
申请日：2015-10-26
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14656 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本申请案涉及一种像素单元、成像系统及在像素单元中制作光学隔离结构的方法。像素单元包含光电二极管，所述光电二极管安置于半导体材料中以响应于经引导到所述光电二极管的入射光而积累图像电荷。全局快门栅极晶体管安置于所述半导体材料中且耦合到所述光电二极管以选择性地耗尽来自所述光电二极管的所述图像电荷。存储晶体管安置于所述半导体材料中以存储所述图像电荷。光学隔离结构安置于所述半导体材料中接近于所述存储晶体管以隔离所述存储晶体管的侧壁与所述半导体材料中的在所述存储晶体管外侧的杂散光及杂散电荷。所述光学隔离结构填充有钨。
-
公开(公告)号：CN104103652B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310544735.6
申请日：2013-11-06
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 胡信中 , 杨大江 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 戴幸志 , 陈刚
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14643
Abstract: 本发明涉及具有穿过具有隔离区的触点蚀刻终止层耦合的金属触点的图像传感器。图像传感器像素包含安置在半导体层中的一个或一个以上光电二极管。像素电路安置在所述半导体层中、耦合到所述一个或一个以上光电二极管。钝化层在所述像素电路和所述一个或一个以上光电二极管上方安置在所述半导体层附近。触点蚀刻终止层安置在所述钝化层上方。一个或一个以上金属触点穿过所述触点蚀刻终止层耦合到所述像素电路。在所述触点蚀刻终止层中界定一个或一个以上隔离区，所述隔离区将所述一个或一个以上金属触点耦合到所述像素电路所穿过的触点蚀刻终止层材料与所述一个或一个以上光电二极管隔离。
-
公开(公告)号：CN107895730A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201710905815.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H04N5/2355 , H04N5/35563 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H04N5/379
Abstract: 本申请案涉及一种堆叠式图像传感器，其包含第一多个光电二极管，所述第一多个光电二极管包含安置在第一半导体材料中的第一光电二极管和第二光电二极管。所述第一半导体材料靠近所述第一光电二极管的厚度小于所述第一半导体材料靠近所述第二光电二极管的厚度。第二多个光电二极管经安置在第二半导体材料中。所述第二多个光电二极管与所述第一多个光电二极管光学对准。互连层经安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间。所述互连层包含安置在所述第二光电二极管和包含于所述第二多个光电二极管中的第三光电二极管之间的光学屏蔽件。所述光学屏蔽件防止图像光的第一部分到达所述第三光电二极管。
-
公开(公告)号：CN105932033B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610318158.2
申请日：2013-08-07
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L27/14609 , H01L27/1462 , H01L27/14643 , H01L31/103
Abstract: 本发明涉及用以减少图像记忆效应的带负电荷层。一种图像传感器像素包含安置于半导体层中的具有第一极性掺杂类型的光电二极管区。具有第二极性掺杂类型的钉扎表面层安置于所述半导体层中的所述光电二极管区上方。所述第二极性与所述第一极性相反。第一极性电荷层接近所述光电二极管区上方的所述钉扎表面层而安置。触点蚀刻停止层接近所述第一极性电荷层而安置于所述光电二极管区上方。所述第一极性电荷层安置于所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间，使得第一极性电荷层抵消在所述触点蚀刻停止层中感应的具有第二极性的电荷。钝化层也安置于所述光电二极管区上方在所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间。
-
公开(公告)号：CN106601760A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610341351.8
申请日：2016-05-20
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/762 , H01L31/101
Abstract: 本发明涉及一种光电检测器、图像传感器及图像传感器操作的方法。光电检测器包含安置在半导体材料中的第一掺杂区域及安置在所述半导体材料中的第二掺杂区域。所述第二掺杂区域电耦合到所述第一掺杂区域，且所述第二掺杂区域是与所述第一掺杂区域相反的多数电荷载子类型。所述光电检测器还包含安置在所述半导体材料中的沟槽中的量子点层，且所述量子点层电耦合到所述第二掺杂区域。传递门经安置以允许电荷从所述第二掺杂区域传递到浮动扩散区。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108010073B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201710940686.6
申请日：2017-10-11
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: G06T7/514
Abstract: 有源深度成像系统和操作其的方法使用第一和第二成像仪的每个捕获发光体开和发光体关图像数据。发光体开图像数据包括表示成像场景和从发光体发射的并由成像场景内物体反射的光的信息。发光体关图像数据包括表示没有来自发光体发射的光的成像场景的信息。对于由第一和第二成像仪捕获的每个图像集，从发光体开图像数据减去发光体关图像数据以确定场景内的照明光。然后通过第一和第二成像仪的相减的图像数据确定光入射其上的物体的深度。
-
公开(公告)号：CN107566764B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201710531763.2
申请日：2017-06-30
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/353 , H04N9/04 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：基板；以及多个红外像素，形成在基板的前侧且配置为检测入射在基板前侧上的红外光。每一个红外像素包括：光电二极管；无植入物的区域，位于光电二极管上方；以及光电门，形成在基板上方和光电二极管之上。图像传感器还包括：多个彩色像素，分散在红外像素之间，每一个彩色像素包括钉扎光电二极管且配置为检测可见光。每一个红外像素的光电二极管可包括：深电荷累积区域，在一个或多个相邻彩色像素的钉扎光电二极管下面。还说明了制造方法，所述方法包括：在基板上方形成任何阻挡植入元件(例如，多晶硅光电门)之前，形成深电荷累积区域和关联元件。
-
公开(公告)号：CN109659328A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811067853.1
申请日：2018-09-13
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及源极跟随器接触件。一种图像传感器包含安置在第一半导体材料中的光电二极管，以吸收入射在所述图像传感器上的光子并产生图像电荷。浮动扩散区安置在所述第一半导体材料中并且经定位以从所述光电二极管接收所述图像电荷，并且转移晶体管耦合在所述光电二极管与所述浮动扩散区之间，以响应于转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到浮动扩散区中。具有栅极端子的源极跟随器晶体管耦合到所述浮动扩散区，以输出所述浮动扩散区中的所述图像电荷的放大信号。所述栅极端子包含与所述浮动扩散区接触的第二半导体材料，并且栅极氧化物部分地安置在所述第二半导体材料与所述第一半导体材料之间。所述第二半导体材料延伸超出所述浮动扩散区的横向边界。
-
公开(公告)号：CN107437552A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710374063.7
申请日：2017-05-24
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 毛杜立 , 特吕格弗·维拉森 , 约翰内斯·索尔胡斯维克 , 马渕圭司 , 陈刚 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 比尔·潘 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 林志强 , 马思光 , 杨大江 , 博伊德·艾伯特·佛勒
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H04N5/23229 , H04N5/3559 , H04N5/3591 , H04N5/3592 , H04N5/37452 , H04N5/37457 , H01L27/14605 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及用于检测不闪烁发光二极管的系统及方法。一种用于检测不闪烁发光二极管LED的图像传感器包含具有像素的像素阵列。每一像素包含：包含第一及第二子像素的子像素、双浮动扩散DFD晶体管及耦合到所述DFD晶体管的电容器。第一子像素包含用于获取第一图像电荷的第一光敏元件及用于选择性地将所述第一图像电荷从所述第一光敏元件转移到第一浮动扩散FD节点的第一转移栅极晶体管。第二子像素包含用于获取第二图像电荷的第二光敏元件及用于选择性地将所述第二图像电荷从所述第二光敏元件转移到第二FD节点的第二转移栅极晶体管。DFD晶体管耦合到所述第一及所述第二FD节点。还描述其它实施例。
-
公开(公告)号：CN104617116B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410074543.8
申请日：2014-03-03
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14641 , H01L27/14645
Abstract: 本申请案涉及一种用于图像传感器的大‑小像素方案及其使用。一种供在高动态范围图像传感器中使用的图像传感器像素包含第一光电二极管、多个光电二极管、共享浮动扩散区、第一转移栅极及第二转移栅极。所述第一光电二极管安置于半导体材料中。所述第一光电二极管具有第一曝光面积及第一掺杂浓度。所述多个光电二极管也安置于所述半导体材料中。所述多个光电二极管中的每一光电二极管具有所述第一曝光面积及所述第一掺杂浓度。所述第一转移栅极经耦合以将第一图像电荷从所述第一光电二极管转移到所述共享浮动扩散区。所述第二转移栅极经耦合以将分布式图像电荷从所述多个光电二极管中的每一光电二极管转移到所述共享浮动扩散区。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.036 seconds)
