公开(公告)号：CN112652635B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201911244647.8

申请日：2019-12-06

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 彭进宝 ,  陆震伟 ,  高邵凡 ,  艾群咏 ,  钱胤 ,  戴森·戴 ,  单庆伟 ,  林赛·格朗

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本申请案涉及具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括用于收集图像信息的多个图像像素单元和用于收集相位信息的多个相位检测自动聚焦PDAF像素单元。所述PDAF像素单元中的每一个包含分别被两个微透镜覆盖的两个第一图像传感器像素。所述图像像素单元中的每一个包含彼此相邻的四个第二图像传感器像素，其中所述第二图像传感器像素中的每一个被单个微透镜覆盖。涂层安置于所述第一微透镜上并且形成跨整个图像传感器像素阵列的平坦表面。PDAF微透镜形成于所述涂层上以覆盖所述第一图像传感器像素。

公开(公告)号：CN109659328B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201811067853.1

申请日：2018-09-13

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 王昕 ,  杨大江 ,  马四光 ,  马渕圭司 ,  比尔·潘 ,  毛杜立 ,  戴森·戴

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本申请案涉及源极跟随器接触件。一种图像传感器包含安置在第一半导体材料中的光电二极管，以吸收入射在所述图像传感器上的光子并产生图像电荷。浮动扩散区安置在所述第一半导体材料中并且经定位以从所述光电二极管接收所述图像电荷，并且转移晶体管耦合在所述光电二极管与所述浮动扩散区之间，以响应于转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到浮动扩散区中。具有栅极端子的源极跟随器晶体管耦合到所述浮动扩散区，以输出所述浮动扩散区中的所述图像电荷的放大信号。所述栅极端子包含与所述浮动扩散区接触的第二半导体材料，并且栅极氧化物部分地安置在所述第二半导体材料与所述第一半导体材料之间。所述第二半导体材料延伸超出所述浮动扩散区的横向边界。

公开(公告)号：CN110636207B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201910163325.4

申请日：2019-03-05

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 陆震伟 ,  钱胤 ,  戴森·戴 ,  彭进宝 ,  张博洋 ,  赵诚

IPC分类号： H04N5/232 ,  H04N9/04

摘要： 本申请涉及具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括：多个图像像素单元，用以收集图像信息；以及多个相位检测自动聚焦PDAF像素单元，用以收集相位信息。所述PDAF像素单元中的每一个包含由共享微透镜覆盖的两个第一图像传感器像素。所述图像像素单元中的每一个包含彼此邻近的四个第二图像传感器像素，其中所述第二图像传感器像素中的每一个由个体微透镜覆盖。涂层安置在所述微透镜上并且跨越所述整个图像传感器像素阵列形成平坦化表面以接收入射光。

公开(公告)号：CN110993630B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201910849715.7

申请日：2019-09-09

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 陈刚 ,  郑源伟 ,  王勤 ,  杨存宇 ,  陈冠男 ,  毛杜立 ,  戴森·戴 ,  林赛·格朗

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N25/70

摘要： 本申请案涉及多厚度栅极电介质。图像传感器包含：一或多个光电二极管，其安置在半导体材料中以接收图像光并产生图像电荷；及浮动扩散，其用以从所述一或多个光电二极管接收所述图像电荷。一或多个转移晶体管经耦合以将所述一或多个光电二极管中的图像电荷转移到所述浮动扩散，并且源极跟随器晶体管经耦合以放大所述浮动扩散中的所述图像电荷。所述源极跟随器包含栅电极(耦合到所述浮动扩散)、源电极及漏电极，以及在所述源电极与漏电极之间安置在所述半导体材料中的作用区。电介质材料安置在所述栅电极与所述作用区之间，并具有第一厚度及第二厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，且所述第二厚度比所述第一厚度更靠近所述漏电极安置。

公开(公告)号：CN110868519B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910183912.X

申请日：2019-03-12

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 渡辺一史 ,  熊志伟 ,  文森特·瓦乃兹艾 ,  戴森·戴 ,  林赛·格朗

IPC分类号： H04N5/225 ,  H04N5/335 ,  H04N5/369

摘要： 本申请案涉及具有相位检测自动对焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括中心区及两个平行边缘区，其中中心区位于两个平行边缘区之间。中心区包括沿着行及列的第一子阵列安置的多个图像像素，其中多个图像像素中的每一者包括形成在第一光接收元件上方的偏移位置处的第一微透镜ML，以作为用于缩短中心区中的图像像素的出射光瞳距离的对策，且两个平行边缘区中的每一者包括沿着行及列的第二子阵列安置的多个相位检测自动对焦PDAF像素，其中多个PDAF像素中的每一者包括形成在第二光接收元件上方的对准位置处的第二微透镜ML；且PDAF像素中的至少一者位于远离边缘区的中心的距离处以沿着射入倾角接收入射光。

公开(公告)号：CN110943096A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910617610.9

申请日：2019-07-10

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 陈刚 ,  毛杜立 ,  戴森·戴 ,  林赛·格朗

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/374

摘要： 本发明涉及具有多级转移栅极的CMOS图像传感器。一种图像传感器像素包括：第一电荷存储节点，其经配置以具有第一电荷存储电势；第二电荷存储节点，其经配置以具有第二电荷存储电势且从所述第一电荷存储节点接收电荷，其中所述第二电荷存储电势大于所述第一电荷存储电势；及转移电路，其耦合于所述第一电荷存储节点与所述第二电荷存储节点之间，其中所述转移电路包括至少三个转移区域，其中：第一转移区域接近所述第一电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第一转移电势；第二转移区域耦合于所述第一转移区域与第三转移区域之间且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第二转移电势；及所述第三转移区域接近所述第三电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第三转移电势。电荷在多个转移信号脉冲之后完全地从所述第一电荷存储节点转移到所述第二电荷存储节点。

公开(公告)号：CN110504277A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910402023.8

申请日：2019-05-15

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 郑源伟 ,  陈刚 ,  毛杜立 ,  戴森·戴 ,  林赛·格朗

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/374

摘要： 本申请案涉及与垂直晶体管组合的垂直溢流漏极。图像传感器像素包含：光电二极管，其安置在半导体材料中以响应于入射在所述半导体材料的背侧上的光而产生图像电荷；以及钉扎层，其安置在所述半导体材料中并耦合到所述光电二极管。所述像素还包含垂直溢流漏极，其安置在所述半导体材料中并且耦合到所述钉扎层，使得所述钉扎层安置在所述垂直溢流漏极与所述光电二极管之间。浮动扩散部靠近所述光电二极管安置在所述半导体材料中，及垂直转移晶体管部分安置在所述半导体材料中并且耦合到所述光电二极管，以响应于施加到所述垂直转移晶体管的所述栅极端子的转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部。

公开(公告)号：CN109216385B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201810628043.2

申请日：2018-06-19

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 杨存宇 ,  赵城 ,  陈刚 ,  戴森·戴 ,  陆震伟

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明涉及一种具有增强近红外量子效率的CMOS图像传感器。一种图像传感器包括：半导体材料，其具有受照表面及非受照表面；光电二极管，其形成于所述半导体材料中，从所述受照表面延伸以接收穿过所述受照表面的入射光，其中所述接收到的入射光在所述光电二极管中生成电荷；转移栅极，其电耦合到所述光电二极管以响应于转移信号从所述光电二极管转移所述所生成的电荷；浮动扩散，其电耦合到所述转移栅极以接收从所述光电二极管转移的所述电荷；近红外NIR量子效率QE增强结构，其在所述光电二极管的某一区域内包括至少两个NIR QE增强元件，其中所述NIR QE增强结构经配置以通过衍射、偏转及反射中的至少一者修改所述半导体材料的所述受照表面处的所述入射光以重新分布所述光电二极管内的所述入射光以改进所述图像传感器的光学灵敏度，包含近红外光灵敏度。

公开(公告)号：CN106898626B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201610900029.4

申请日：2016-10-14

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 郑源伟 ,  陈刚 ,  毛杜立 ,  戴森·戴 ,  阿尔温德·库马尔 ,  张鸿智 ,  熊志伟

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本申请案涉及一种图像传感器及其一种制作方法。一种图像传感器包含多个光电二极管，所述多个光电二极管经布置成阵列且安置于半导体材料中，其中钉扎阱安置于所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间。所述图像传感器还包含微透镜层。所述微透镜层接近于所述半导体材料而安置且与所述多个光电二极管光学对准。间隔层安置于所述半导体材料与所述微透镜层之间。所述间隔层跨越所述阵列具有凹形横截面轮廓，且所述微透镜层与所述间隔层的所述凹形横截面轮廓保形。

公开(公告)号：CN110504277B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201910402023.8

申请日：2019-05-15

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 郑源伟 ,  陈刚 ,  毛杜立 ,  戴森·戴 ,  林赛·格朗

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N25/40

摘要： 本申请案涉及与垂直晶体管组合的垂直溢流漏极。图像传感器像素包含：光电二极管，其安置在半导体材料中以响应于入射在所述半导体材料的背侧上的光而产生图像电荷；以及钉扎层，其安置在所述半导体材料中并耦合到所述光电二极管。所述像素还包含垂直溢流漏极，其安置在所述半导体材料中并且耦合到所述钉扎层，使得所述钉扎层安置在所述垂直溢流漏极与所述光电二极管之间。浮动扩散部靠近所述光电二极管安置在所述半导体材料中，及垂直转移晶体管部分安置在所述半导体材料中并且耦合到所述光电二极管，以响应于施加到所述垂直转移晶体管的所述栅极端子的转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部。