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公开(公告)号：CN118588727A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410669632.0
申请日：2021-07-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及一种具有减色式滤光器图案的图像传感器。一种图像传感器包含光电二极管阵列及与所述光电二极管阵列光学对准的彩色滤光器阵列。所述光电二极管阵列包含安置在半导体材料的相应部分内的多个光电二极管。所述彩色滤光器阵列包含经布置以形成多个平铺最小重复单元的多个彩色滤光器。每一最小重复单元包含至少具有红色光谱光响应的第一彩色滤光器、具有黄色光谱光响应的第二彩色滤光器及具有全色光谱光响应的第三彩色滤光器。
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公开(公告)号：CN109216386B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810635918.1
申请日：2018-06-20
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种具有增强近红外量子效率及调制传递函数的CMOS图像传感器。一种图像传感器包括：半导体材料，其具有受照表面及非受照表面；光电二极管，其形成于所述半导体材料中，从所述受照表面延伸以接收穿过所述受照表面的入射光，其中所述接收到的入射光在所述光电二极管中生成电荷；转移栅极，其电耦合到所述光电二极管以响应于转移信号从所述光电二极管转移所述所生成的电荷；浮动扩散，其电耦合到所述转移栅极以接收从所述光电二极管转移的所述电荷；及近红外NIR量子效率QE及调制传递函数MTF增强结构。
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公开(公告)号：CN106873269B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201610892443.5
申请日：2016-10-13
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333
Abstract: 一种新颖的头戴式显示器，包括：显示/图像传感器。在具体实施例中，该显示/图像传感器形成在单硅裸片上，其包括显示像素以及感光像素。显示像素和感光像素各自以行和列布置，且感光像素和显示像素的阵列交错。每个感光像素的中心位于显示像素的相邻行和相邻列之间。
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公开(公告)号：CN112510055A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010925627.3
申请日：2020-09-04
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及用于改善近红外线灵敏度及通道分离的光控制。在一个实施例中，一种图像传感器包含：多个光电二极管，其布置在像素阵列的行及列中；及滤光器层，其具有配置在所述多个光电二极管上方的多个滤光器。所述滤光器层具有面向所述多个光电二极管的第一侧及背对所述第一侧的第二侧。所述图像传感器还包含具有配置在所述多个光电二极管上方的多个彩色滤波器的彩色滤波器层。所述彩色滤波器层具有面向所述滤光器层的所述第二侧的第一表面及背对所述第一侧的第二表面。个别微透镜经配置以引导传入光穿过对应的滤光器及彩色滤波器而到达相应的光电二极管上。
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公开(公告)号：CN109216385B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810628043.2
申请日：2018-06-19
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种具有增强近红外量子效率的CMOS图像传感器。一种图像传感器包括：半导体材料，其具有受照表面及非受照表面；光电二极管，其形成于所述半导体材料中，从所述受照表面延伸以接收穿过所述受照表面的入射光，其中所述接收到的入射光在所述光电二极管中生成电荷；转移栅极，其电耦合到所述光电二极管以响应于转移信号从所述光电二极管转移所述所生成的电荷；浮动扩散，其电耦合到所述转移栅极以接收从所述光电二极管转移的所述电荷；近红外NIR量子效率QE增强结构，其在所述光电二极管的某一区域内包括至少两个NIR QE增强元件，其中所述NIR QE增强结构经配置以通过衍射、偏转及反射中的至少一者修改所述半导体材料的所述受照表面处的所述入射光以重新分布所述光电二极管内的所述入射光以改进所述图像传感器的光学灵敏度，包含近红外光灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110223993A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910159651.8
申请日：2019-03-04
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及一种具有用于高动态范围成像的嵌入式分裂像素的像素阵列。一种像素单元包含第二光电二极管，所述第二光电二极管在半导体材料中横向环绕第一光电二极管。所述第一光电二极管及所述第二光电二极管适于响应于入射光而光生图像电荷。浮动扩散部安置在所述半导体材料中，接近所述第二光电二极管的外周界。第一转移栅极接近所述半导体材料而安置在介于所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间的第一沟道区域上方。所述第一转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第一光电二极管转移到所述第二光电二极管。第二转移栅极接近所述半导体材料而安置在介于所述第二光电二极管与所述浮动扩散部之间的第二沟道区域上方。所述第二转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第二光电二极管转移到所述浮动扩散部。
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公开(公告)号：CN117174721A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310431130.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 用于改进四元光电二极管QPD通道不平衡的半QPD。在一个实施例中，一种图像传感器包含布置成安置在半导体材料中的像素阵列的行及列的多个像素。每一像素包含多个子像素。每一子像素包括多个第一光电二极管、多个第二光电二极管及多个第三光电二极管。所述多个像素经配置以通过所述半导体材料的被照明表面接收入射光。多个小微透镜个别地分布在每一子像素的个别第一光电二极管及个别第二光电二极管上方。多个大微透镜各自分布在每一子像素的多个第三光电二极管上方。所述小微透镜的直径小于所述大微透镜的直径。
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公开(公告)号：CN110854142A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910110212.8
申请日：2019-02-11
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N9/097
Abstract: 本申请案涉及并入有选择性红外滤光器的组合式可见及红外图像传感器。本发明揭示一种像素阵列，其包括：绿色像素，其包括第一绿色滤光器及第一清透滤光器；红色像素，其包括红色滤光器及第一特殊滤光器；蓝色像素，其包括蓝色滤光器及第二特殊滤光器；以及IR像素，其包括IR滤光器及第二绿色滤光器与第二清透滤光器中的一者，其中所述第一特殊滤光器以第一IR最小传输率在以850nm为中心的阻带处抑制IR的传输，且所述第二特殊滤光器以第二IR最小传输率在以850nm为中心的所述阻带处抑制IR的传输，且其中所述第一最小IR传输率不同于所述第二最小IR传输率。
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公开(公告)号：CN109216386A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810635918.1
申请日：2018-06-20
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种具有增强近红外量子效率及调制传递函数的CMOS图像传感器。一种图像传感器包括：半导体材料，其具有受照表面及非受照表面；光电二极管，其形成于所述半导体材料中，从所述受照表面延伸以接收穿过所述受照表面的入射光，其中所述接收到的入射光在所述光电二极管中生成电荷；转移栅极，其电耦合到所述光电二极管以响应于转移信号从所述光电二极管转移所述所生成的电荷；浮动扩散，其电耦合到所述转移栅极以接收从所述光电二极管转移的所述电荷；及近红外NIR量子效率QE及调制传递函数MTF增强结构。
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公开(公告)号：CN107872618A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710778716.8
申请日：2017-09-01
Applicant: 豪威科技股份有限公司
CPC classification number: H04N5/23212 , G02B3/0018 , G02B3/0056 , G02B5/20 , G02B7/34 , G02B7/36 , G03B13/36 , H04N5/2253 , H04N5/2254 , H04N5/232122 , H04N5/3696
Abstract: PDAF成像系统包括图像传感器和图像数据处理单元。图像传感器具有非对称微透镜PDAF检测器，非对称微透镜PDAF检测器包括∶(a)多个像素和(b)微透镜，多个像素形成具有至少两行和两列的子阵列，微透镜位于多个像素中的每个像素上方并且关于垂直于子阵列的轴线旋转非对称。该轴线与微透镜的顶面的局部极值相交。图像数据处理单元能够接收来自多个像素中的每个像素的电信号并且根据接收的电信号生成PDAF信号。用于形成鸥翼微透镜的方法包括在基板上形成在板中具有孔的板。该方法还包括对板进行回流。
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