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公开(公告)号：CN118803448A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410325427.2
申请日：2024-03-21
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N25/772 , H04N25/779 , H04N25/771 , H04N25/46
Abstract: 本公开涉及一种用于减轻MIM图像滞后的优化像素设计。一种像素电路包含光电二极管，所述光电二极管被配置成响应于入射光而光生图像电荷。转移晶体管耦合在所述光电二极管与浮动扩散部之间，以将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部。复位晶体管耦合在像素电压源与所述浮动扩散部之间。横向溢出积分电容器LOFIC网络包含：第一LOFIC，其耦合在所述浮动扩散部与第一偏置电压源之间；及第二LOFIC，其耦合在所述浮动扩散部与第二偏置电压源之间。在积分周期结束时，所述第一LOFIC被配置成被正向偏置，且所述第二LOFIC被配置成被反向偏置，并且在读出周期期间，从所述第一LOFIC放电的图像电荷与从所述第二LOFIC放电的图像电荷彼此补偿。
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公开(公告)号：CN118352367A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202311432538.5
申请日：2023-10-31
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/57
Abstract: 本公开涉及一种用于滞后减缓的高k金属绝缘体金属MIM电容器网络。像素电路包含光电二极管，其经配置以响应于入射光而光生图像电荷。浮动扩散经耦合以接收来自所述光电二极管的所述图像电荷。转移晶体管耦合在所述光电二极管与所述浮动扩散之间。所述转移晶体管经配置以将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散。复位晶体管耦合在复位电压与所述浮动扩散之间。多个电容器开关对耦合在所述复位晶体管与偏置电压源之间。所述多个电容器开关对中的每一者包含横向溢出积分电容器LOFIC及耦合到所述LOFIC的开关晶体管。
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公开(公告)号：CN116230729A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310339677.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及一种背侧金属栅格及金属垫简化。图像传感器包含半导体材料，所述半导体材料包含安置在所述半导体材料中的多个光电二极管。所述图像传感器还包含：第一绝缘材料，其安置成靠近所述半导体材料的前侧；以及互连件，其安置在靠近所述半导体材料的所述前侧的所述第一绝缘材料中。金属垫从所述半导体材料的背侧延伸穿过所述第一绝缘材料并接触所述互连件。金属栅格安置成靠近所述半导体材料的所述背侧，且所述半导体材料安置在所述金属栅格与靠近所述前侧安置的所述第一绝缘材料之间。
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公开(公告)号：CN114628420A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111295918.X
申请日：2021-11-03
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种闪烁减轻像素阵列基板和一种用于制造闪烁减轻像素阵列基板的方法。该闪烁减轻像素阵列基板包括半导体基板和金属环。半导体基板包括小光电二极管区域。半导体基板的后表面形成在与小光电二极管区域上方的后表面的后表面区域平行的横截面平面中包围小光电二极管区域的沟槽。金属环(i)至少部分地填充沟槽，(ii)在横截面平面中包围小光电二极管区域，并且(iii)在后表面上方延伸。该用于制造闪烁减轻像素阵列基板的方法包括(i)在与小光电二极管区域上方的后表面的后表面区域平行的横截面平面中包围小光电二极管区域的沟槽中以及(ii)在后表面区域上形成金属层。方法还包括减小位于后表面区域上方的金属层的二极管上方区段的厚度。
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公开(公告)号：CN110047855B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811579034.5
申请日：2018-12-24
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种用于制造光电传感器阵列集成电路的方法包括形成隔离沟槽，该隔离沟槽通过包括以下的方法形成：在[110]‑取向的单晶硅衬底晶片上沉积硬掩膜层，在该硬掩膜层上沉积光刻胶、使光刻胶曝光并显影以在沟槽的位置限定光刻胶开口，穿过该光刻胶开口进行等离子体干法刻蚀以在硬掩膜层中在沟槽的位置形成开口，和穿过硬掩膜层中的开口进行各向异性湿法刻蚀。在特定的实施方案中，在填充钨之前，用P型硅、二氧化硅介质和其它氧化物层对沟槽加衬。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108511470B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810154833.1
申请日：2018-02-23
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 陈刚 , 王勤 , 毛杜立 , 戴森·H·戴 , 林赛·亚历山大·格朗
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及图像传感器及成像系统。一种图像传感器包含分裂双光电二极管DPD对阵列。所述分裂DPD对阵列的第一群组完全由第一维分裂DPD对构成或完全由第二维分裂DPD对构成。由所述第一维分裂DPD对构成的所述分裂DPD对阵列的每一第一群组邻近于由所述第二维分裂DPD对构成的所述分裂DPD对阵列的另一第一群组。所述第一维正交于所述第二维。多个浮动扩散FD区域经布置于所述分裂DPD对的每一第一群组中。多个转移晶体管中的每一者耦合到相应分裂DPD对的相应光电二极管，且耦合于所述相应光电二极管与所述多个FD区域的相应者之间。
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公开(公告)号：CN105448942B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201510589903.2
申请日：2015-09-16
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及图像传感器及制造图像传感器的方法。图像传感器包含多个光电二极管，所述多个光电二极管接近第一半导体层的前侧安置以响应于被引导到所述第一半导体层的所述前侧中的光而积累图像电荷。多个钉扎阱安置于所述第一半导体层中。所述钉扎阱将包含于所述多个光电二极管中的个别光电二极管分离。接近所述第一半导体层的背侧安置多个电介质层。所述电介质层经调谐使得波长实质上与包含于被引导到所述第一半导体层的所述前侧中的光中的第一波长相等的光从所述电介质层反射回接近所述第一半导体层的所述前侧安置的所述多个光电二极管中的相应一者。
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公开(公告)号：CN109103207A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810636929.1
申请日：2018-06-20
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种单曝光高动态范围传感器。所述单曝光高动态范围HDR图像传感器包含安置于半导体材料中的第一光电二极管及第二光电二极管，所述第二光电二极管具有小于所述第一光电二极管的满阱容量。所述图像传感器还包含：第一浮动扩散部，其安置于所述半导体材料中；及第一转移栅极，其耦合到所述第一光电二极管以将累积在所述第一光电二极管中的第一图像电荷转移到所述第一浮动扩散部中。第二浮动扩散部安置于所述半导体材料中，且第二转移栅极耦合到所述第二光电二极管以将累积在所述第二光电二极管中的第二图像电荷转移到所述第二浮动扩散部中。衰减层安置于所述第二光电二极管与朝向所述单曝光HDR图像传感器引导的图像光之间以阻挡所述图像光的一部分到达所述第二光电二极管。
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公开(公告)号：CN107895729A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201710905557.3
申请日：2017-09-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 毛杜立 , 特吕格弗·维拉森 , 约翰内斯·索尔胡斯维克 , 马渕圭司 , 陈刚 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 比尔·潘 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 林志强
IPC: H01L27/146 , H04N5/235 , H04N5/341
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/14636 , H01L27/14656 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/14603 , H01L27/14614 , H04N5/2357 , H04N5/341
Abstract: 本发明揭示一种减少照明诱发的闪烁的图像传感器像素和一种成像系统。实例图像传感器像素可包含光电二极管、转移栅极、抗溢出栅极及第一及第二源极跟随器晶体管。所述光电二极管可捕获光且作为响应产生电荷，且所述光电二极管可具有电荷容量。所述转移栅极可将电荷选择性地转移到第一浮动扩散区，且当所述产生的电荷大于所述光电二极管电荷容量时，所述抗溢出栅极可将过量电荷选择性地转移到第二浮动扩散区。所述第一源极跟随器晶体管可通过栅极直接耦合到所述第一浮动扩散区，所述第一源极跟随器响应于第一行选择晶体管的启用选择性地输出第一信号到第一位线，且所述第二源极跟随器晶体管可电容耦合到所述第二浮动扩散区，所述第二源极跟随器响应于第二行选择晶体管的启用选择性地输出第二信号到第二位线。
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公开(公告)号：CN104702924B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201410725825.X
申请日：2014-12-03
Applicant: 豪威科技股份有限公司
CPC classification number: H04N5/332 , H04N5/23245 , H04N9/045
Abstract: 一种用于捕获可见光图像以及红外光图像两者的图像传感器包含：具有长度、宽度以及高度的半导体基板；安置于半导体基板中的多个可见光光检测器；以及安置于半导体基板中的多个组合光光检测器。多个可见光光检测器中的每一个在高度方向上具有各自的深度，且多个组合光光检测器中的每一个在高度方向上具有大于多个可见光光检测器中的每一个的各自的深度的各自的深度。
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