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公开(公告)号：CN118630024A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410206148.4
申请日：2024-02-26
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/772 , H04N25/76
摘要： 本公开涉及用于从光电二极管的电荷转移的垂直转移栅极掺杂分布。一种像素单元包含安置于半导体材料中的光电二极管。浮动扩散部安置于所述半导体材料中。转移栅极包含在所述光电二极管与所述浮动扩散部之间安置于所述半导体材料中的垂直转移栅极结构。所述转移栅极耦合于所述光电二极管与所述浮动扩散部之间。钝化层安置于所述半导体材料中并靠近所述垂直转移栅极。所述钝化层具有靠近所述垂直栅极结构的具非均匀分布的掺杂轮廓的区域，使得所述钝化层中靠近所述垂直栅极结构的所述区域沿着第一方向的第一掺杂浓度小于所述钝化层中靠近所述垂直栅极结构的所述区域沿着第二方向的第二掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN118841421A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410290603.3
申请日：2024-03-14
申请人： 豪威科技股份有限公司
发明人： 臧辉
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请涉及用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离结构及其方法。一种像素包含具有第一侧及第二侧的半导体衬底。从所述第一侧延伸出第一深沟槽隔离DTI结构及第二DTI结构。所述第一DTI结构包含宽部分及从所述宽部分延伸的窄部分。所述宽部分的第一宽度大于所述窄部分的第二宽度，且所述宽部分延伸到第一深度。所述像素进一步包含在所述第一DTI结构与所述第二DTI结构之间安置于所述半导体衬底中的光电二极管区域。单元深沟槽隔离CDTI结构安置于所述第一DTI结构的所述宽部分与所述第二DTI结构之间。所述CDTI结构延伸到第二深度。所述第一深度及所述第二深度从所述半导体衬底的所述第一侧延伸基本上相等的距离。
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公开(公告)号：CN114078891B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202110896794.4
申请日：2021-08-05
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/76
摘要： CMOS图像传感器具有光电二极管单元的阵列，每个光电二极管单元包括通过垂直转移栅极晶体管耦接到单个浮动节点扩散的四个掩埋光电二极管。每个单元还具有耦接到浮动节点扩散的复位晶体管、具有耦接到浮动节点扩散的栅极的源极跟随器晶体管以及耦接到源极跟随器晶体管的读取选择晶体管。复位晶体管、源极跟随器晶体管和读取选择晶体管主要具有与沿图像传感器的光电二极管阵列的光电二极管的整个水平行延伸的线的夹角大于30度且小于60度的栅极和形状边缘，以及在光电二极管阵列的光电二极管上方垂直地形成，并且在与光电二极管阵列的光电二极管相同的集成电路中。
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公开(公告)号：CN113889493B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110724464.7
申请日：2021-06-29
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请案涉及金属深沟槽隔离偏置解决方案。一种图像传感器包含安置在像素区域中且接近半导体层的前侧的光电二极管。在经安置接近所述半导体层的背侧的背侧氧化物层中形成背侧金属光栅。在所述半导体层中形成具有多个像素区域部分及边缘区域部分的深沟槽隔离DTI结构。将所述像素区域部分安置在所述半导体层的所述像素区域中使得入射光被引导通过所述背侧金属光栅，通过所述半导体层的所述背侧，且在所述DTI结构的所述像素区域部分之间到达所述光电二极管。所述DTI结构的所述边缘区域部分经安置在所述像素区域外部的边缘区域中。用DTI偏置电压偏置所述DTI结构的所述边缘区域部分。
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公开(公告)号：CN116454102A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210991437.0
申请日：2022-08-18
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L29/10
摘要： 本公开涉及掩埋沟道晶体管结构及工艺。晶体管包含形成在具有第一导电类型的半导体衬底中的沟槽。所述沟槽在所述晶体管的沟道宽度平面中界定至少一个非平面衬底结构，所述非平面衬底结构具有多个侧壁部分及安置在所述多个侧壁部分之间的尖端部分。在所述侧壁部分及所述尖端部分上外延生长外延覆盖层。具有所述半导体衬底的掺杂部分的沟道掺杂层形成在所述非平面衬底结构中并由所述外延覆盖层围封。隔离层安置在所述沟槽中及所述外延覆盖层之上。栅极安置在所述隔离层上且延伸到所述沟槽中。
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公开(公告)号：CN114628420A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111295918.X
申请日：2021-11-03
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供了一种闪烁减轻像素阵列基板和一种用于制造闪烁减轻像素阵列基板的方法。该闪烁减轻像素阵列基板包括半导体基板和金属环。半导体基板包括小光电二极管区域。半导体基板的后表面形成在与小光电二极管区域上方的后表面的后表面区域平行的横截面平面中包围小光电二极管区域的沟槽。金属环(i)至少部分地填充沟槽，(ii)在横截面平面中包围小光电二极管区域，并且(iii)在后表面上方延伸。该用于制造闪烁减轻像素阵列基板的方法包括(i)在与小光电二极管区域上方的后表面的后表面区域平行的横截面平面中包围小光电二极管区域的沟槽中以及(ii)在后表面区域上形成金属层。方法还包括减小位于后表面区域上方的金属层的二极管上方区段的厚度。
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公开(公告)号：CN114497093A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111175633.2
申请日：2021-10-09
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供了一种像素阵列基板和一种图像传感器中的像素阵列的像素单元。像素阵列基板包括在半导体基板中形成的浮动扩散区域和第一光电二极管。所述半导体基板的顶表面限定出沟槽1A和沟槽1B，所述沟槽1A和所述沟槽1B中的每一个(i)从所述沟槽1A和所述沟槽1B之间的所述顶表面的平面区域延伸到所述半导体基板中，并且(ii)具有位于所述浮动扩散区域和所述第一光电二极管之间的相对于所述浮动扩散区域的相应的远端。在平行于所述顶表面的水平面中并且沿着所述沟槽1A和所述沟槽1B之间的沟槽间方向，所述沟槽1A和所述沟槽1B之间的第一空间间隔随着与所述浮动扩散区域的距离的增加而增加。
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公开(公告)号：CN113327951A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202011205574.4
申请日：2020-11-02
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种用于形成转移栅极的方法，包括：(i)在半导体衬底的表面上形成电介质柱；以及(ii)在半导体衬底上围绕电介质柱生长外延层。电介质柱具有超过外延层相对于表面的外延层高度的柱高度。方法还包括去除电介质柱以在外延层中产生沟槽。像素包括具有与背表面相对的正表面的掺杂半导体衬底。正表面形成沿着垂直于正表面和背表面的方向z相对于正表面在掺杂半导体衬底内延伸深度zT的沟槽。像素具有掺杂浓度分布，掺杂浓度分布相对于方向z的导数在深度zT处不连续。
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公开(公告)号：CN112825323A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN202010947336.4
申请日：2020-09-10
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种像素，包括半导体衬底、低κ电介质和半导体衬底中的光电二极管区域。半导体衬底具有形成沟槽的衬底顶表面。沟槽延伸到半导体衬底中并且具有相对于围绕沟槽的衬底顶表面的平面区域的沟槽深度。低κ电介质在沟槽深度与相对于平面区域的低κ深度之间的沟槽中。低κ深度小于沟槽深度。光电二极管区域在半导体衬底中并且包括(i)在沟槽下方的底部光电二极管部分和(ii)与沟槽相邻的顶部光电二极管部分。顶部光电二极管部分在相对于平面区域小于低κ深度的光电二极管深度处开始，并且朝向底部光电二极管部分延伸并且邻接底部光电二极管部分。
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公开(公告)号：CN115377218B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210143965.0
申请日：2022-02-17
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/146 , H01L29/423
摘要： 本申请案涉及金字塔形晶体管。晶体管包含由沟道宽度平面中的三角形形状或梯形形状及沟道长度平面中的梯形形状界定的金字塔形栅极沟槽。所述金字塔形栅极沟槽的侧壁部分形成在所述沟道宽度平面中具有三角形形状或梯形形状的沟道。有利地，此类晶体管增加跨导而不会增加像素宽度。还提供并入此类晶体管的装置、图像传感器及像素，以及其制造方法。
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