一种像素，包括半导体衬底、低κ电介质和半导体衬底中的光电二极管区域。半导体衬底具有形成沟槽的衬底顶表面。沟槽延伸到半导体衬底中并且具有相对于围绕沟槽的衬底顶表面的平面区域的沟槽深度。低κ电介质在沟槽深度与相对于平面区域的低κ深度之间的沟槽中。低κ深度小于沟槽深度。光电二极管区域在半导体衬底中并且包括(i)在沟槽下方的底部光电二极管部分和(ii)与沟槽相邻的顶部光电二极管部分。顶部光电二极管部分在相对于平面区域小于低κ深度的光电二极管深度处开始，并且朝向底部光电二极管部分延伸并且邻接底部光电二极管部分。