用于图像传感器的沟槽隔离

    公开(公告)号:CN109686748B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN201811201788.7

    申请日:2018-10-16

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本申请案涉及用于图像传感器的沟槽隔离。一种图像传感器包含多个光电二极管,所述多个光电二极管安置于半导体材料中以将图像光转换成图像电荷。浮动扩散部接近于所述多个光电二极管而安置以从所述多个光电二极管接收所述图像电荷。多个转移晶体管经耦合以响应于施加到所述多个转移晶体管的栅极端子的电压而将所述图像电荷从所述多个光电二极管转移到所述浮动扩散部中。第一沟槽隔离结构从所述半导体材料的前侧延伸到所述半导体材料中且环绕所述多个光电二极管。第二沟槽隔离结构从所述半导体材料的后侧延伸到所述半导体材料中。所述第二沟槽隔离结构安置于所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间。

    具有相位检测自动对焦像素的图像传感器

    公开(公告)号:CN110868519B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201910183912.X

    申请日:2019-03-12

    IPC分类号: H04N5/225 H04N5/335 H04N5/369

    摘要: 本申请案涉及具有相位检测自动对焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括中心区及两个平行边缘区,其中中心区位于两个平行边缘区之间。中心区包括沿着行及列的第一子阵列安置的多个图像像素,其中多个图像像素中的每一者包括形成在第一光接收元件上方的偏移位置处的第一微透镜ML,以作为用于缩短中心区中的图像像素的出射光瞳距离的对策,且两个平行边缘区中的每一者包括沿着行及列的第二子阵列安置的多个相位检测自动对焦PDAF像素,其中多个PDAF像素中的每一者包括形成在第二光接收元件上方的对准位置处的第二微透镜ML;且PDAF像素中的至少一者位于远离边缘区的中心的距离处以沿着射入倾角接收入射光。

    具有相位检测自动对焦像素的图像传感器

    公开(公告)号:CN110868519A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201910183912.X

    申请日:2019-03-12

    IPC分类号: H04N5/225 H04N5/335 H04N5/369

    摘要: 本申请案涉及具有相位检测自动对焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括中心区及两个平行边缘区,其中中心区位于两个平行边缘区之间。中心区包括沿着行及列的第一子阵列安置的多个图像像素,其中多个图像像素中的每一者包括形成在第一光接收元件上方的偏移位置处的第一微透镜ML,以作为用于缩短中心区中的图像像素的出射光瞳距离的对策,且两个平行边缘区中的每一者包括沿着行及列的第二子阵列安置的多个相位检测自动对焦PDAF像素,其中多个PDAF像素中的每一者包括形成在第二光接收元件上方的对准位置处的第二微透镜ML;且PDAF像素中的至少一者位于远离边缘区的中心的距离处以沿着射入倾角接收入射光。

    用于图像传感器的沟槽隔离

    公开(公告)号:CN109686748A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201811201788.7

    申请日:2018-10-16

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本申请案涉及用于图像传感器的沟槽隔离。一种图像传感器包含多个光电二极管,所述多个光电二极管安置于半导体材料中以将图像光转换成图像电荷。浮动扩散部接近于所述多个光电二极管而安置以从所述多个光电二极管接收所述图像电荷。多个转移晶体管经耦合以响应于施加到所述多个转移晶体管的栅极端子的电压而将所述图像电荷从所述多个光电二极管转移到所述浮动扩散部中。第一沟槽隔离结构从所述半导体材料的前侧延伸到所述半导体材料中且环绕所述多个光电二极管。第二沟槽隔离结构从所述半导体材料的后侧延伸到所述半导体材料中。所述第二沟槽隔离结构安置于所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间。