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公开(公告)号:CN101872775A
公开(公告)日:2010-10-27
申请号:CN201010159246.5
申请日:2010-04-26
申请人: 美商豪威科技股份有限公司
IPC分类号: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC分类号: H01L27/1463 , H01L27/14601
摘要: 本发明公开了用于减少串扰的多层图像传感器像素结构。图像传感器像素包括衬底、第一外延层、收集器层、第二外延层和光收集区域。衬底被掺杂为具有第一导电类型。第一外延层被布置在衬底之上并且被掺杂为也具有第一导电类型。收集器层被选择性地布置在第一外延层的至少一部分上并且被掺杂为具有第二导电类型。第二外延层被布置在收集器层上并且被掺杂为具有第一导电类型。光收集区域收集光生电荷载流子并被布置在第二外延层内。光收集区域也被掺杂为具有第二导电类型。
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公开(公告)号:CN101971340A
公开(公告)日:2011-02-09
申请号:CN200880126063.4
申请日:2008-12-16
申请人: 美商豪威科技股份有限公司
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L27/14625 , H01L27/14685
摘要: 本发明提供一种像素阵列,其使用衬底(101)形成,其中各个像素具有衬底、形成于该衬底中的感光区域(102、104、106)及反射器(140、142、144),该衬底具有用于接收入射光(150)的入射侧,该反射器具有复合形状的表面。该反射器被形成于该衬底的与该入射侧相对的部分中,使得入射在该反射器的该复合形状表面上的光(150)朝该感光区域反射。
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公开(公告)号:CN101872775B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201010159246.5
申请日:2010-04-26
申请人: 美商豪威科技股份有限公司
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L27/1463 , H01L27/14601
摘要: 本发明公开了用于减少串扰的多层图像传感器像素结构。图像传感器像素包括衬底、第一外延层、收集器层、第二外延层和光收集区域。衬底被掺杂为具有第一导电类型。第一外延层被布置在衬底之上并且被掺杂为也具有第一导电类型。收集器层被选择性地布置在第一外延层的至少一部分上并且被掺杂为具有第二导电类型。第二外延层被布置在收集器层上并且被掺杂为具有第一导电类型。光收集区域收集光生电荷载流子并被布置在第二外延层内。光收集区域也被掺杂为具有第二导电类型。
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