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公开(公告)号:CN109768793A
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201811241258.5
申请日:2018-10-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 和气刚
IPC: H03K19/003 , H03K19/0175 , G06F13/40
CPC classification number: H01L31/167 , H01L25/167 , H03K3/012 , H03K3/356 , H03K5/1534 , H03K17/78 , H03K17/955 , H03K19/017509 , H03K19/017518
Abstract: 提供了一种半导体装置、半导体系统以及控制半导体装置的方法,其中半导体装置能够减少电力消耗。根据一个实施例,半导体装置包括:光耦合器控制电路,所述光耦合器控制电路在检测到从外部提供的输入信号的变化时将所述电流传递至第一信号路径达预定时段;绝缘电路,所述绝缘电路根据流动至所述第一信号路径的电流,将指示所述输入信号的变化的脉冲信号从所述第一信号路径发送到与所述第一信号路径绝缘的第二信号路径;保持电路,所述保持电路从由所述绝缘单元发送到所述第二信号路径的所述脉冲信号生成输入再现信号作为所述输入信号的再现信号;以及内部电路,所述内部电路接收由所述保持电路生成的所述输入再现信号。
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公开(公告)号:CN109478586A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201780041851.2
申请日:2017-07-05
Inventor: 洪恩珠
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/02165 , H01L31/107 , H01L31/167 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/40 , H01L33/58 , H01L33/62
Abstract: 实施例提供一种半导体元件,该半导体元件包括:衬底;以及半导体结构,该半导体结构被布置在衬底上,其中半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的光吸收层,并且光吸收层具有1.2至1.5的值作为其上表面的最大外周长度相对于其上表面的最大面积的比率。
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公开(公告)号:CN104637954B
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201510002775.7
申请日:2007-10-31
Applicant: 伊利诺伊大学评议会 , 艾克斯瑟乐普林特有限公司
Inventor: J·罗杰斯 , R·纳佐 , M·梅尔特 , E·梅纳德 , A·J·巴卡 , M·穆塔拉 , J-H·安 , S-I·朴 , C-J·于 , H·C·高 , M·斯托伊克维奇 , J·尹
IPC: H01L27/12 , H01L31/0725 , H01L31/18 , H01L31/054
CPC classification number: H01L25/50 , B81C2201/0185 , B82Y10/00 , H01L21/00 , H01L25/042 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/78603 , H01L29/78681 , H01L31/02005 , H01L31/02008 , H01L31/02168 , H01L31/02325 , H01L31/02327 , H01L31/0288 , H01L31/03046 , H01L31/043 , H01L31/0525 , H01L31/0543 , H01L31/0547 , H01L31/0693 , H01L31/0725 , H01L31/167 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1868 , H01L31/1876 , H01L31/1892 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/483 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091 , H01S5/021 , H01S5/02284 , H01S5/183 , H01S5/3013 , H01S5/34326 , H01S5/423 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基光学系统的方法,所述方法包含以下步骤:提供具有接收表面的光学构件;和经由接触印刷将可印刷半导体元件组装在所述光学构件的所述接收表面上,其中所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构,该半导体结构具有选自0.0001毫米至1000毫米范围的长度、选自0.0001毫米至1000毫米范围的宽度和选自0.00001毫米至3毫米范围的厚度。
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公开(公告)号:CN104916629B
公开(公告)日:2017-10-31
申请号:CN201510081875.3
申请日:2015-02-15
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H01L31/12 , H01L31/167
CPC classification number: H01L31/167 , H01L31/12 , H01L2224/05554 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供光电传感器,该光电传感器具有能够通过弯折来实现标准的平面形状(直线)类型与标准的外形L字形状类型这2类的模块。投光引线具有在从第1基部到第2基部之间改变投光引线延伸的方向的第1方向变换部。受光引线具有在从第3基部到第4基部之间改变受光引线延伸的方向的第2方向变换部。从光的光轴方向观察的从第1基部经由第1方向变换部到第2基部的投光引线的长度,比在从第1基部到第2基部之间以90度弯折1次的L字形的第1假想引线的从光的光轴方向观察的长度短。从光轴方向观察的从第3基部经由第2方向变换部到达第4基部的受光引线的长度,比在从第3基部到第4基部之间以90度弯折1次的L字形的第2假想引线的长度短。
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公开(公告)号:CN106463568A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580031807.4
申请日:2015-06-30
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H01S5/02276 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/167 , H01L31/173 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/16152 , H01S5/005 , H01S5/02208 , H01S5/02248 , H01S5/02252 , H01S5/0683 , H01S5/183 , H01L2924/00014
Abstract: 在所描述的示例中,光电子封装件(200)包括内部封装件(100),该内部封装件包括:电介质衬底,其至少具有第一电介质层级,该第一电介质层级具有在管芯附连区上的光电探测器(PD)管芯(110);将第一触点连接到第一外部键合焊盘(FEBP 111)的第一布线;以及将第二触点连接到第二外部键合焊盘(SEBP 112)的第二布线。外部封装件(OP 170)包括陶瓷衬底(171),该陶瓷衬底(171)包括在底座部分(171a)上与PD直线对准的、包括第一电极(181)和第二电极(182)的光源管芯(180)。第一键合线(161)将FEBP(111)连接到第一端子(191),第二键合线(162)将SEBP将第一电极连接到第三端子(193),并且第四键合线(166)将第二电极连接到第四端子(194)。(112)连接到第二端子(192),第三键合线(165)
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公开(公告)号:CN106409822A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610116679.X
申请日:2016-03-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/16
CPC classification number: H01L25/167 , H01L25/165 , H01L31/02005 , H01L31/167 , H01L33/62 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够使封装小型化,且还能缩短接合线的光耦合装置。实施方式的光耦合装置具备:第1光接收芯片,具有第1上表面及第1侧面,所述第1上表面在一端侧具有第1区域及在另一端侧具有第2区域;第2光接收芯片,具有第2上表面及第2侧面,所述第2上表面在一端侧具有第3区域及另一端侧的第4区域,且以在第1方向,所述第3区域与所述第1区域并排,且所述第2侧面与所述第1侧面对向的方式配置;第1发光芯片,设置在所述第1区域;第2发光芯片,设置在所述第4区域;第1连接部,配置在所述第2区域,利用接合线电连接在所述第2发光芯片;以及第2连接部,配置在所述第3区域,利用接合线电连接在所述第1发光芯片。
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公开(公告)号:CN106057778A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610367262.0
申请日:2016-05-27
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L25/16
CPC classification number: H01L31/167 , G01J1/0209 , G01J1/0214 , G01J1/0271 , G01J1/0488 , G01J1/4204 , G01J5/10 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/02165 , H01L31/18 , Y02P70/521 , H01L23/552 , H01L25/167
Abstract: 公开了一种封装结构及其制造方法。所述封装结构包括:引线框架;第一光传感器,所述第一光传感器与所述引线框架电连接;光发射器,所述光发射器与所述第一光传感器隔开,并且与所述引线框架电连接;第一塑封体,所述第一塑封体中形成沟槽,所述沟槽将所述第一塑封体分为覆盖所述光发射器的第一部分和覆盖所述第一光传感器的第二部分,所述第一塑封体的第一部分具有面向所述第一光传感器的侧面;以及光阻层,所述光阻层位于所述第一塑封体的所述侧面上。所述光阻层防止特定波长的光波透过该光阻层而影响光传感器的正常工作,保证光传感器的抗干扰能力,实现对光传感器集成封装的同时,节省了封装结构的体积。
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公开(公告)号:CN103748793B
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201280041037.8
申请日:2012-08-29
Applicant: 苹果公司
IPC: G01S17/02 , G01S7/481 , G01J1/02 , G01J1/04 , G01J1/06 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/167 , H01L31/173
CPC classification number: H01L31/02162 , G01J1/0214 , G01J1/0233 , G01J1/0271 , G01J1/0488 , G01J1/06 , G01S7/4811 , G01S17/026 , H01L31/02325 , H01L31/167 , H01L31/173 , Y10T29/49117 , Y10T29/49204
Abstract: 本发明描述了一种用于在便携式计算设备中使用的接近传感器。具体地讲,描述了接近传感器的各个实施例,其中所述接近传感器配合到移动电话的极小部分中并精确地确定与所述移动电话的表面紧邻的用户的头部的存在。
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公开(公告)号:CN101936752B
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201010219256.3
申请日:2010-06-30
Applicant: 安华高科技通用IP(新加坡)公司
IPC: G01D5/34
CPC classification number: H01L31/167 , G01D5/34715 , G01S7/4813 , G01S17/026 , H01L24/97 , H01L31/173 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/14 , H03K17/941 , H03K2017/9455 , H03K2217/94108 , Y10T29/4913 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了具有成型的红外光抑制阻挡和红外光透过组件的光学接近传感器封装。该光学接近传感器包括红外光发射器、红外光探测器、设置在光发射器上方并覆盖光发射器的第一成型的光学透射性红外光透过组件以及设置在光探测器上方并覆盖光探测器的第二成型的光学透射性红外光透过组件。基本光非透射性红外光阻挡组件位于光发射器和第一成型的光学透射性红外光透过组件与光探测器与第二成型的光学透射性红外光透过组件之间。红外光阻挡组件充分地削弱或阻挡光发射器与光探测器之间的不期望的直接、散射或折射光的透射,并由此使得光发射器与光探测器之间串扰和干涉最小。
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公开(公告)号:CN104124284B
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201410144047.5
申请日:2014-04-11
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H01L31/00
CPC classification number: G01J1/42 , G01J1/08 , H01L31/02005 , H01L31/167 , H01L2924/0002 , H01R4/2425 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可靠性高且能够削减制造工时的光电传感器。该光电传感器具有传感器电路装配体。传感器电路装配体包括投光元件、受光元件、投光支撑部、受光支撑部以及连接部。投光元件与受光元件相互相向。投光支撑部从投光元件延伸,并支撑投光元件。受光支撑部从受光元件延伸,并支撑受光元件。连接部连接投光支撑部的一端与受光支撑部的一端。连接部包括密封部及从密封部突出的第一连接端子。第一连接端子包括第一压接部以及用于能够向压接方向按压第一压接部的第一按压部。
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