公开(公告)号：CN119561494A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411205954.6

申请日：2024-08-30

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： P·帕兰卡 ,  A·冈达维拉普 ,  D·蒙达尔

IPC: H03B5/04 ,  H03K19/0175

Abstract: 本申请涉及基于迁移率和PTAT温度补偿的振荡器频率。在示例中，系统(100)包括第一晶体管(102)，其具有耦合到电流镜(126)的第一端子，以及耦合到第一电流源(116)和电阻器(120)的控制端子。系统(100)包括第二晶体管(104)，其具有耦合到电流镜(126)的第一端子、与第一晶体管(102)的第二端子耦合的第二端子，以及耦合到电阻器(120)和第二电流源(118)的控制端子。系统(100)包括第三晶体管(106)，其具有耦合到电压端子(122)的第一端子、耦合到第二晶体管(104)的控制端子的第二端子，以及耦合到第二晶体管(104)的第一端子的控制端子。系统(100)包括第四晶体管(108)，其具有耦合到电流镜(126)的控制端子、彼此耦合并与第一晶体管(102)的第二端子耦合的第一端子和第二端子。

公开(公告)号：CN110047994B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN201910034769.8

申请日：2019-01-15

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： D·坎德 ,  Q·Z·洪 ,  A·阿里 ,  G·B·希恩

IPC: H10N97/00 ,  H01C7/00 ,  H01C17/00 ,  H01C17/12

Abstract: 本申请涉及一种具有贯穿通孔的薄膜电阻器，其中公开了包括薄膜电阻器(TFR)结构的器件。TFR结构是通过一个或多个导电通孔可访问的，所述导电通孔从上金属层垂直延伸以完全穿透位于其下方的TFR层。导电通孔在穿透部位处或其附近耦合到TFR层的一个或多个侧壁。TFR结构可以通过包括以下步骤的方法制造：蚀刻完全穿过TFR层和TFR层上方的介电层的通孔沟槽，并且用耦合到TFR层的侧壁的导体填充通孔沟槽。

公开(公告)号：CN112135301B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202010985330.6

申请日：2015-06-05

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： R·M·本德林 ,  A·E·埃克佩杨 ,  P·伯特兰德 ,  B·F·约翰逊

IPC: H04W16/14 ,  H04W74/0816 ,  H04W72/541 ,  H04W72/21 ,  H04W36/00

Abstract: 本发明涉及用于通过载波侦听在共享频谱中发送LTE波形的方法和装置。在所述的示例中，公开了在共享频谱上操作长期演进(LTE)通信系统的方法。在LTE频段上初始化用户设备(UE)(400)。基站(eNB)监测共享频谱(402)以确定其是否是BUSY(404)。如果共享频谱不是BUSY，则eNB在共享频谱上向UE发送(406)。如果该共享频谱是BUSY，则eNB等待第一时间(408)，并且在第一时间之后，指示UE腾出该共享频谱(410)。

公开(公告)号：CN110783262B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN201910687093.2

申请日：2019-07-29

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： P·M·埃莫森 ,  B·S·库克

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/535 ,  H01L23/62 ,  H01L23/64 ,  H10D89/60

Abstract: 本申请公开增材制造的可编程电阻跳线。第一导电布线结构(220)电连接到第一电子部件(208)。第二导电布线结构(220)电连接到第二电子部件(210)。增材沉积工艺将材料(224)沉积在经处理的晶圆(200)的表面上方以形成导电或电阻结构，该导电或电阻结构从第一导电布线结构(220)的部分延伸到第二导电布线结构(220)的部分，以配置包括第一和第二电子部件(208、210)的电路。

公开(公告)号：CN110380711B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN201910287251.5

申请日：2019-04-11

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： R·乔汉 ,  V·K·辛格哈尔 ,  V·J·梅内泽斯 ,  M·M·梅赫达尔

IPC: H03K4/50 ,  H03K3/012

Abstract: 本申请公开具有超低短路电流的低频振荡器。在所描述的示例中，锯齿波形发生器(301、303)产生具有第一上升时间的锯齿波形。梳状波形电路(320)具有电源端子，该电源端子经耦合以从锯齿波形发生器的输出接收锯齿波形(vsup)。梳状波形电路响应于锯齿波形产生梳状波形(310)。梳状波形具有的第二上升时间比第一上升时间快。

公开(公告)号：CN110865227B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN201910794342.8

申请日：2019-08-27

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： S·迪特里希 ,  J·柯克纳

IPC: G01R19/165 ,  H02M3/158

Abstract: 本申请公开了降压模式谷值电流感测复制线性化。用于DC/DC升压转换器(100)的电流测量线性化电路(105)包括背栅感测晶体管(Mbg,sense)和背栅复位晶体管(Mbg，复位)。背栅感测晶体管具有耦合到高侧功率晶体管(MP0)的第一体接触(BG_MP0)的第一端子(漏极)和耦合到谷值电流检测电路110中的第一复制晶体管(MP1)的第二体接触(BG_MP1)的第二端子(源极)。背栅复位晶体管具有耦合到最大参考电压(Vmax)的第一端子(源极)和耦合到第二体接触的第二端子(漏极)，该最大参考电压等于输入电压(Vin)和输出电压(Vout)中的较大者。

公开(公告)号：CN111382450B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201911374689.3

申请日：2019-12-27

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： K·S·奇特尼斯 ,  C·L·福尔科 ,  S·戈文达拉安 ,  M·N·莫迪 ,  W·A·米尔斯 ,  G·R·舒尔茨 ,  A·S·蒙德拉

IPC: G06F21/60 ,  G06F21/53

Abstract: 本申请关于安全可靠的虚拟化域特定硬件加速器。本公开涉及嵌入式计算系统(200)的各种实现方式。嵌入式计算系统(200)包括硬件加速器(HWA)线程用户(202A，202B，204)和创建并发出消息请求的第二HWA线程用户(202A，202B，204)。HWA线程用户(202A，202B，204)和第二HWA线程用户(202A，202B，204)与微控制器(MCU)子系统(214)通信。嵌入式计算系统还包括HWA线程用户与MCU子系统之间的第一处理器间通信(IPC)接口以及第二HWA线程用户与MCU子系统之间的第二IPC接口，其中第一IPC接口与第二IPC接口隔离。MCU子系统还与第一域特定HWA(208，210，212)和第二域特定HWA(208，210，212)通信。

公开(公告)号：CN111801894B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN201880090652.5

申请日：2018-01-05

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： 张俊

IPC: H03M3/00

Abstract: 一种数模转换器(100)，该数模转换器用于响应于包括多个位的数字值来生成模拟输出电压，该转换器包括：(i)第一开关电阻器网络(200)，其具有第一配置并用于响应于多个位中的第一组位将第一输入差分信号转换为第一模拟输出；以及(ii)第二开关电阻器网络(300)，其耦合到第一开关电阻器网络，该第二开关电阻器网络具有不同于第一配置的第二配置，并且用于响应于多个位中的第二组位将第二输入差分信号转换为第二模拟输出。

公开(公告)号：CN111742396B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN201980014398.5

申请日：2019-03-28

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： D·康德 ,  Y·邵 ,  D·库伦

IPC: H01L21/3213 ,  H10D84/40

Abstract: 一种集成电路(IC)(295)包括具有半导体表面层(209)的衬底(208)，该半导体表面层包括具有互连晶体管的功能电路(180)，其上包括介电层(230)，该介电层(230)上方具有包括金属层级的金属堆叠。包括至少一种金属的薄膜电阻器(TFR)层(260a、260b)位于金属堆叠内。至少一个电容器(280、285)位于金属堆叠中，包括在由金属层级(240)之一形成的金属底板上方的电容器介电层(245)。电容器顶板(260a)形成在电容器介电层(245)上，并且由相同的TFR层形成的至少一个电阻器(290)在电容器(280、285)的侧向上。

公开(公告)号：CN111758154B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201980015406.8

申请日：2019-03-27

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： S·梅耶 ,  M·H·恩泽伯格海姆 ,  R·波尔特

IPC: H01L21/46

Abstract: 本申请公开一种微电子器件(300)，其包括在第一介电层(302)上的金属层(304)。蚀刻停止层(306)设置在金属层(304)上方并且在与金属层(304)直接相邻的第一介电层(302)上。蚀刻停止层(306)包括金属氧化物，并且厚度小于10纳米。第二介电层(308)设置在蚀刻停止层(306)上方。从向下延伸至蚀刻停止层(306)的蚀刻区域(310)去除第二介电层(308)。蚀刻区域(310)至少部分地在金属层(304)上方延伸。在微电子器件(300)的一种版本中，蚀刻停止层(306)可以在蚀刻区域(310)中在金属层(304)上方延伸。在另一种版本中，蚀刻停止层(306)可以在蚀刻区域(310)中去除。通过使用等离子体蚀刻工艺蚀刻第二介电层(308)，并停止在蚀刻停止层(306)上，形成微电子器件(300)。