公开(公告)号：CN110047994B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN201910034769.8

申请日：2019-01-15

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： D·坎德 ,  Q·Z·洪 ,  A·阿里 ,  G·B·希恩

IPC: H10N97/00 ,  H01C7/00 ,  H01C17/00 ,  H01C17/12

Abstract: 本申请涉及一种具有贯穿通孔的薄膜电阻器，其中公开了包括薄膜电阻器(TFR)结构的器件。TFR结构是通过一个或多个导电通孔可访问的，所述导电通孔从上金属层垂直延伸以完全穿透位于其下方的TFR层。导电通孔在穿透部位处或其附近耦合到TFR层的一个或多个侧壁。TFR结构可以通过包括以下步骤的方法制造：蚀刻完全穿过TFR层和TFR层上方的介电层的通孔沟槽，并且用耦合到TFR层的侧壁的导体填充通孔沟槽。

公开(公告)号：CN110047994A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910034769.8

申请日：2019-01-15

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： D·坎德 ,  Q·Z·洪 ,  A·阿里 ,  G·B·希恩

IPC: H01L49/02 ,  H01C7/00 ,  H01C17/00 ,  H01C17/12

Abstract: 本申请涉及一种具有贯穿通孔的薄膜电阻器，其中公开了包括薄膜电阻器(TFR)结构的器件。TFR结构是通过一个或多个导电通孔可访问的，所述导电通孔从上金属层垂直延伸以完全穿透位于其下方的TFR层。导电通孔在穿透部位处或其附近耦合到TFR层的一个或多个侧壁。TFR结构可以通过包括以下步骤的方法制造：蚀刻完全穿过TFR层和TFR层上方的介电层的通孔沟槽，并且用耦合到TFR层的侧壁的导体填充通孔沟槽。