公开(公告)号：CN110380711B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN201910287251.5

申请日：2019-04-11

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： R·乔汉 ,  V·K·辛格哈尔 ,  V·J·梅内泽斯 ,  M·M·梅赫达尔

IPC: H03K4/50 ,  H03K3/012

Abstract: 本申请公开具有超低短路电流的低频振荡器。在所描述的示例中，锯齿波形发生器(301、303)产生具有第一上升时间的锯齿波形。梳状波形电路(320)具有电源端子，该电源端子经耦合以从锯齿波形发生器的输出接收锯齿波形(vsup)。梳状波形电路响应于锯齿波形产生梳状波形(310)。梳状波形具有的第二上升时间比第一上升时间快。

公开(公告)号：CN114267391A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111149473.4

申请日：2021-09-29

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： M·M·梅赫达尔 ,  V·J·梅内泽斯

IPC: G11C11/413 ,  G06N3/063 ,  G06N20/00

Abstract: 本申请公开机器学习硬件加速器。在存储器设备中，静态随机存取存储器(SRAM)电路包括按行和列排列并配置为存储数据的SRAM单元阵列[401、403]。SRAM阵列[401、403]被配置为：在SRAM阵列[401、403]中的查找表中存储用于机器学习(ML)过程的第一组信息；以及从查找表沿着SRAM单元的行连续地访问来自选择的SRAM单元组的信息。存储器控制器电路被配置为基于用于ML过程的第二组信息来选择SRAM单元组。

公开(公告)号：CN110380711A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910287251.5

申请日：2019-04-11

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： R·乔汉 ,  V·K·辛格哈尔 ,  V·J·梅内泽斯 ,  M·M·梅赫达尔

IPC: H03K4/50 ,  H03K3/012

Abstract: 本申请公开具有超低短路电流的低频振荡器。在所描述的示例中，锯齿波形发生器(301、303)产生具有第一上升时间的锯齿波形。梳状波形电路(320)具有电源端子，该电源端子经耦合以从锯齿波形发生器的输出接收锯齿波形(vsup)。梳状波形电路响应于锯齿波形产生梳状波形(310)。梳状波形具有的第二上升时间比第一上升时间快。