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公开(公告)号：CN106936307B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201611187015.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H02M3/00
Abstract: 本申请公开用于具有低备用电流及快速瞬态响应的DC‑DC电源控制器的方法和设备。在示例布置(500，图5)中，设备包含输出直流输出电压的电压转换器(530)，所述电压转换器经配置以响应于使能控制信号而增大所述输出电压；至少一个反馈比较器(522)，其经配置以输出第一控制信号，所述反馈比较器响应于时钟信号输入(Cs)处的边缘而为活动的；用于输出第一时钟信号(Cs)的可调式频率振荡器(512)；及快速瞬态检测电路(516)，其经配置以在检测到所述输出电压中大于电压阈值的快速变化时异步输出第二信号(Cs2)；在所述第一时钟信号有效或所述第二信号有效且所述输出电压小于参考电压时，所述电压转换器(530)接收所述使能控制信号。本申请公开附加的设备和方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106936307A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201611187015.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H02M3/00
Abstract: 本申请公开用于具有低备用电流及快速瞬态响应的DC‑DC电源控制器的方法和设备。在示例布置(500，图5)中，设备包含输出直流输出电压的电压转换器(530)，所述电压转换器经配置以响应于使能控制信号而增大所述输出电压；至少一个反馈比较器(522)，其经配置以输出第一控制信号，所述反馈比较器响应于时钟信号输入(Cs)处的边缘而为活动的；用于输出第一时钟信号(Cs)的可调式频率振荡器(512)；及快速瞬态检测电路(516)，其经配置以在检测到所述输出电压中大于电压阈值的快速变化时异步输出第二信号(Cs2)；在所述第一时钟信号有效或所述第二信号有效且所述输出电压小于参考电压时，所述电压转换器(530)接收所述使能控制信号。本申请公开附加的设备和方法。
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公开(公告)号：CN110380711A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910287251.5
申请日：2019-04-11
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请公开具有超低短路电流的低频振荡器。在所描述的示例中，锯齿波形发生器(301、303)产生具有第一上升时间的锯齿波形。梳状波形电路(320)具有电源端子，该电源端子经耦合以从锯齿波形发生器的输出接收锯齿波形(vsup)。梳状波形电路响应于锯齿波形产生梳状波形(310)。梳状波形具有的第二上升时间比第一上升时间快。
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公开(公告)号：CN110380711B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201910287251.5
申请日：2019-04-11
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请公开具有超低短路电流的低频振荡器。在所描述的示例中，锯齿波形发生器(301、303)产生具有第一上升时间的锯齿波形。梳状波形电路(320)具有电源端子，该电源端子经耦合以从锯齿波形发生器的输出接收锯齿波形(vsup)。梳状波形电路响应于锯齿波形产生梳状波形(310)。梳状波形具有的第二上升时间比第一上升时间快。
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公开(公告)号：CN106898375B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201611173618.3
申请日：2016-12-13
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： S·R·施瑞德哈尔 , S·K·苏曼 , P·希萨拉曼 , K·B·钦塔马尼 , A·R·勒乐 , R·S·拉奥 , P·K·拉娜 , A·苏夫拉穆尼亚 , V·K·辛格哈尔 , M·S·沙哈 , B·K·波卢瑞
IPC: G11C11/417 , G11C5/14
Abstract: 一种片上系统(SOC)包括处理器和被耦合到该处理器的存储器系统(104)。该存储器系统(104)包括静态随机存取存储器(SRAM)存储体202和存储器控制器204。该SRAM存储体202包括被耦合到SRAM阵列电源和SRAM阵列中的SRAM存储单元的晶体管的源极的第一开关。该SRAM存储体202也包括被耦合到NWELL电源和SRAM存储单元的晶体管的本体的第二开关。第二开关被配置为在SRAM阵列的上电期间在第一开关闭合之前闭合。
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公开(公告)号：CN106898375A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201611173618.3
申请日：2016-12-13
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： S·R·施瑞德哈尔 , S·K·苏曼 , P·希萨拉曼 , K·B·钦塔马尼 , A·R·勒乐 , R·S·拉奥 , P·K·拉娜 , A·苏夫拉穆尼亚 , V·K·辛格哈尔 , M·S·沙哈 , B·K·波卢瑞
IPC: G11C11/417 , G11C5/14
CPC classification number: G11C11/417 , G11C11/413 , G11C5/14
Abstract: 一种片上系统(SOC)包括处理器和被耦合到该处理器的存储器系统(104)。该存储器系统(104)包括静态随机存取存储器(SRAM)存储体202和存储器控制器204。该SRAM存储体202包括被耦合到SRAM阵列电源和SRAM阵列中的SRAM存储单元的晶体管的源极的第一开关。该SRAM存储体202也包括被耦合到NWELL电源和SRAM存储单元的晶体管的本体的第二开关。第二开关被配置为在SRAM阵列的上电期间在第一开关闭合之前闭合。
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