公开(公告)号：CN108701723A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780009670.1

申请日：2017-02-22

申请人： 威世半导体有限公司

发明人： 丹尼尔·伯格 ,  萨沙·库恩 ,  彼得·穆乐科

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L25/16 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/167

CPC分类号： H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/12 ,  H01L31/167 ,  H01L33/62

摘要： 本发明提供光电装置，尤其是光电传感装置，其包括具有纵向延伸及横向延伸之承载装置(12)，其中，该承载装置(12)具有排列平行于该纵向延伸之复数个电性传导接触轨道(92,92’)，以及其中，该承载装置在顶部侧具有复数个接触腔室，它们平行于承载装置的横向延伸排列并且由分离的网格(104)形成。每一个接触轨道(92,92’)于每一个接触腔室中是电性可接触的，以使能够在该个别的腔室中以可变安装方式而安装至少一个光电发送器(40)及/或至少一个光电接收器(42)。

公开(公告)号：CN108603791A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780008832.X

申请日：2017-01-24

申请人： AMS传感器英国有限公司

发明人： F·乌德雷亚 ,  S·Z·艾利 ,  R·H·霍普尔 ,  J·加德纳 ,  A·德卢卡

IPC分类号： G01J5/12 ,  G01J5/02 ,  G01J5/20

CPC分类号： H01L27/14669 ,  G01J5/024 ,  G01J5/12 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/123 ,  G01J2005/202 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/16 ,  H01L31/024 ,  H01L31/028 ,  H01L31/09 ,  H01L31/103 ,  H01L31/112 ,  H01L31/12 ,  H01L37/025

摘要： 我们在这里公开了一种热IR检测器阵列设备，该设备包括由基底支撑的介电膜(2)，所述膜具有包括IR检测器(4、5)的阵列，其中该阵列大小是至少是3x3或更大，并且在所述膜层内部嵌入了轨迹(3)，以分离所述阵列的每一个像素，所述轨迹还充当了散热器和/或冷接点区域。

公开(公告)号：CN104247020B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201380018899.3

申请日：2013-04-03

申请人： 赫普塔冈微光有限公司

发明人： 哈特穆特·拉德曼 ,  亚历山大·比特斯

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L31/00 ,  H01L25/065

CPC分类号： H04M1/72527 ,  B32B38/0004 ,  G01J1/0271 ,  G01J1/0407 ,  G01S7/4813 ,  G01S17/026 ,  G01V8/12 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/12 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/941 ,  H03K2017/9455 ,  H03K2217/94108 ,  Y10T156/1052 ,  H01L2924/00

摘要： 一种光学近程传感器模块包括衬底、安装在衬底的第一表面上的光发射器及安装在衬底的第一表面上的光检测器，所述光发射器可操作以发射第一波长的光，所述光检测器可操作以检测第一波长的光。模块包括实质平行于衬底安置的光学构件，及分离构件，其中分离构件安置在衬底与光学构件之间。多个模块可能以晶片级工艺制造且可由可回流材料构成，以便模块可更加容易地并入装置中，当模块整合到装置时或在后续制造工艺期间，至少部分地在高温下制造装置。

公开(公告)号：CN107799625A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710752947.1

申请日：2017-08-29

申请人： 佳能株式会社

发明人： 阿部英人 ,  渡边冈树

IPC分类号： H01L31/12 ,  B65H7/14 ,  B65H5/06 ,  B65H3/06

CPC分类号： G03G15/5029 ,  G03G15/50 ,  G03G21/16 ,  G03G21/1647 ,  G03G21/1695 ,  G03G2215/00721 ,  G03G2221/1606 ,  H05K7/12 ,  H01L31/12 ,  B65H3/06 ,  B65H5/062 ,  B65H7/14 ,  B65H2701/1131 ,  B65H2801/03

摘要： 本发明涉及一种光断路器单元，包括光断路器和构造成可拆卸地支撑光断路器的支撑部分。光断路器包括：构造成发出光的发光部分、构造成接收从发光部分发出的光的感光部分、以及构造成能够弹性地变形的爪部分。支撑部分包括：安装光断路器的安装表面、限定了插入爪部分的孔且设置在安装表面上且构造成与爪部分接合的孔部分、以及从安装表面突出并且构造成在爪部分与孔部分接合的状态下管控光断路器在变形方向上的位置的突出部，爪部分能够沿着所述变形方向弹性地变形。本发明还涉及一种包括光断路器单元的片材传送装置、以及包括片材传送装置的成像装置。

公开(公告)号：CN107210332A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074020.6

申请日：2015-01-20

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 河面英夫 ,  田口晃一 ,  王丸武志

IPC分类号： H01L31/12

CPC分类号： H03K3/011 ,  G01K3/10 ,  G01K7/00 ,  G01K7/01 ,  H01G9/0003 ,  H01G9/28 ,  H01L25/167 ,  H01L31/12 ,  H01L31/167 ,  H03K3/017

摘要： 在基板(1)之上形成有：第1及第2电路(2，3)；光耦合器(4)；以及基板温度监视电路(5)。光耦合器(4)具备一次侧发光二极管(6)和受光元件(7)，该一次侧发光二极管(6)将从第1电路(2)输入的电信号转换为光信号，该受光元件(7)将该光信号转换为电信号而输出至第2电路(3)。基板温度监视电路(5)通过读取光耦合器(4)的一次侧发光二极管(6)的Vf电压值，从而对基板(1)的温度进行监视。

公开(公告)号：CN103975435B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201280059676.7

申请日：2012-11-30

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 畑野启介 ,  山口哲司 ,  平田晋太郎

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10

CPC分类号： H01L27/307 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/12 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/42 ,  H01L51/441 ,  H01L51/442 ,  H01L51/447 ,  H01L51/448

摘要： 本发明提供能够抑制水分与气体从诸如芯片的端面以及结合垫上的开口的侧面等横向侵入的固态摄像装置及制造该固态摄像装置的方法。根据本发明，该固态摄像装置包括设置有有机膜的功能区域以及围绕该功能区域的防护环。

公开(公告)号：CN104205529B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280072050.X

申请日：2012-04-04

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 松末明洋

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01L23/02 ,  H01L31/02

CPC分类号： H01S5/0262 ,  H01L31/12 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0427 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/0683 ,  H01L2924/00014

摘要： 在层叠陶瓷基板(1)的上表面设置有配线(2、3)。陶瓷块体(6)设置在层叠陶瓷基板1上。在陶瓷块体(6)的表面上设置有包含半导体激光器(7)在内的多个电子部件。设置在陶瓷块体(6)的表面的配线(11、12)将多个电子部件的一部分和配线(2、3)连接。在层叠陶瓷基板(1)上设置有带玻璃窗(15)的金属制罩体(16)，该金属制罩体(16)将陶瓷块体(6)、以及半导体激光器(7)等多个电子部件覆盖。

公开(公告)号：CN104851937A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410652795.4

申请日：2014-11-17

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 南川智宏

IPC分类号： H01L31/12 ,  H01L31/02 ,  H03K17/78

CPC分类号： H01L31/165 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/103 ,  H01L31/02 ,  H01L31/12 ,  H03K17/78

摘要： 本发明提供一种半导体装置，提高半导体装置的特性。使用于半导体继电器的半导体装置构成为，具备形成于第1半导体岛区域的第1二极管、形成于第2半导体岛区域的第2二极管、覆盖第2半导体岛区域的遮光膜(多晶硅膜PS2)和将第1二极管与第2二极管电连接的配线Mb。并且，配线Mb配置成横越包围第2半导体岛区域的氧化硅膜OX的上方。另外，遮光膜位于配线Mb的下方，在与配线Mb的重叠区域具有缺口部N。这样，通过设置缺口部N，遮光膜的端部(线L1、线L2)错开配置。由此，能防止由于氧化硅膜OX上的凹部与遮光膜的阶梯而导致在配线Mb的整个宽度形成深凹部(G)，能防止配线Mb的断线。

公开(公告)号：CN103890973A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280052356.9

申请日：2012-10-30

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 奥芝浩之

IPC分类号： H01L31/12 ,  H01L31/10

CPC分类号： H01L31/12 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/173

摘要： 本发明提供一种利用了受光发光一体型元件的受光发光装置及传感器装置。本发明的受光发光装置是利用了受光元件和发光元件被设置在基板的一个主面上的受光发光一体型元件的受光发光装置，基板由一导电型半导体构成，在基板的另一个主面的至少与受光元件以及发光元件对应的区域配置至少一个电极层，受光元件具有形成在基板的一个主面侧的第1另一导电型半导体层、形成在第1另一导电型半导体层的上表面的第1阳极电极、和形成在基板的一个主面的上表面的第1阴极电极，电极层、第1阳极电极以及第1阴极电极被设为相同电位。

公开(公告)号：CN103250249A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180059153.8

申请日：2011-11-02

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 安纳尼亚·卢鲁图达斯 ,  拉萨·克里希南·维克内斯

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L33/52 ,  H01L31/147

CPC分类号： H01L31/12 ,  H01L25/167 ,  H01L31/147 ,  H01L2224/48137

摘要： 本发明提出一种光电子器件（10），所述光电子器件包括壳体（1）、发射辐射的半导体芯片（2）和探测辐射的半导体芯片（3）。在壳体中构成第一腔（4a）和第二腔（4b），其中发射辐射的半导体芯片（2）设置在第一腔（4a）中并且借助于第一浇注料（5a）来浇注。探测辐射的半导体芯片（3）设置在第二腔（4b）中并且借助于第二浇注料（5b）来浇注，其中在第二浇注料（5b）中嵌入吸收颗粒，所述吸收颗粒适合于至少部分地吸收由发射辐射的半导体芯片发射的辐射。此外，提出这种器件（10）的应用和一种用于制造所述器件的方法。