光侦测器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107946331A

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201711166455.0

    申请日:2013-09-27

    Abstract: 本发明提供一种光侦测器。一种光侦测器包括多个光电二极管区,其中至少一些经一光学滤光片覆盖。多个金属层位于该等光电二极管区与该光学滤光片之间。该等金属层包括最接近于该光学滤光片的一最上金属层及最接近于该等光电二极管区的一最下金属层。一个或多个层间介电层将该等金属层彼此隔开。该等金属层中的每一部分包括一个或多个金属部分及一个或多个介电部分。最上金属层不含任何金属部分下伏于该光学滤光片。

    受光元件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105280732B

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201510419547.X

    申请日:2015-07-16

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种受光元件,该受光元件能够加快响应速度,并且能够防止正极电极与负极电极的短路。本发明的受光元件具备:第1导电型的衬底;第1导电型的光吸收层,其在该衬底上形成,与该衬底相比带隙较小;第2导电型的扩散层,其在该光吸收层的一部分上形成;第1导电型的窗口层,其在该光吸收层上以包围该扩散层的方式形成,与该光吸收层相比带隙较大;正极电极,其在该扩散层上形成;以及负极电极,其在该衬底上,以不与该窗口层和该光吸收层接触,而与该衬底接触的方式设置,该受光元件形成有槽,该槽在俯视观察时包围该扩散层与该窗口层之间的边界,在剖视观察时贯通该窗口层和该光吸收层。

    光传感器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104756254B

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201380056008.3

    申请日:2013-11-05

    Inventor: 道山胜教

    Abstract: 光传感器具有半导体基板(10)、在半导体基板(10)上形成的绝缘膜(12)、在半导体基板(10)上形成的受光部(20)、以及隔着绝缘膜(12)在半导体基板(10)上形成的电极(30)。受光部(20)具有将光变换为电荷的受光元件(21)、和对受光元件(21)中积蓄的电荷进行放电的复位元件(22)。电极(30)具有用于向复位元件(22)施加控制电压的第一电极(31)。第一电极(31)具有遮光性。受光元件(21)的受光面的形状通过第一电极(31)来规定。

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