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公开(公告)号：CN111433914B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN201880077750.5
申请日：2018-12-12
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 根据本公开的一个实施例的第一受光元件设有：多个像素；光电转换单元，其设置为相对所述多个像素的共用层，并且包括化合物半导体材料；以及第一电极层，其设置在所述光电转换单元的光入射表面侧上的所述多个像素之间，并且具有遮光性。
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公开(公告)号：CN115460385B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210968148.9
申请日：2019-01-29
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N23/84 , H04N25/13 , H04N25/131 , H04N25/70 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/772 , H04N25/779 , G06T7/11 , G06T7/10 , G06T5/50 , G06T3/4015
摘要： 本发明涉及图像处理器、图像处理方法和摄像设备。其中，图像处理器可包括：图像分割处理部，其基于包括多个像素值的第一图像图谱数据产生多个第一图谱数据；插值处理部，其利用插值处理产生与多个第一图谱数据相对应的多个第二图谱数据；合成处理部，其通过以下方式产生第三图谱数据：基于多个第二图谱数据中彼此相对应的位置处的像素值，产生与彼此相对应的位置相对应的位置处的像素值；以及插值控制器，插值控制器被构造成基于第一图像图谱数据确定插值处理中的处理方法，其中，插值控制器被构造成基于第一图像图谱数据、第二图像图谱数据和第三图像图谱数据产生合成的图谱数据，并基于合成的图谱数据确定插值处理中的处理方法。
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公开(公告)号：CN118448429A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410521867.5
申请日：2018-06-08
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/76 , H10K39/32
摘要： 根据本发明，提供了一种包括像素的光检测装置和电子设备。所述像素包括：第一成像元件；第二成像元件；与所述第二成像元件电连接的第一传输晶体管、第一复位晶体管和第一选择晶体管；第三成像元件；与所述第三成像元件电连接的第二传输晶体管、第二复位晶体管和第二选择晶体管；以及片上微透镜，其中所述第一成像元件包括第一电极、第三电极以及面向所述第一电极和所述第三电极的第二电极，并且所述第一和第二传输晶体管、所述第一和第二复位晶体管以及所述第一和第二选择晶体管中的最小通道长度比所述第三电极与所述第一电极之间的最小距离短。
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公开(公告)号：CN113875023A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080035134.0
申请日：2020-06-17
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L51/44 , H01L27/146 , H01L27/30 , G01J1/44
摘要： 提供具有更高功能的光电转换元件。所述光电转换元件包括：第一光电转换器，所述第一光电转换器检测第一波长范围内的光并进行光电转换；第二光电转换器，所述第二光电转换器检测第二波长范围内的光以进行光电转换，并获得物体的距离信息；以及滤光器，所述滤光器设置在所述第一光电转换器与所述第二光电转换器之间，并容易透射第二波长范围内的光而不是第一波长范围内的光。所述第一光电转换器包括层叠结构和电荷累积电极，在所述层叠结构中依次层叠有第一电极、第一光电转换层及第二电极，并且所述电荷累积电极被设置为与所述第一电极分离并且隔着绝缘层与所述第一光电转换层相对。
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公开(公告)号：CN112002808A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010731230.0
申请日：2016-05-19
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料在单层膜形式下的空穴迁移率高于所述第二有机半导体材料的单层膜的空穴迁移率。
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公开(公告)号：CN112002806A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010730884.1
申请日：2016-05-19
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 根据本发明一个实施方式的光电转换元件，其包括：相互面对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，所述光电转换层被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且还包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料、第二有机半导体材料和第三有机半导体材料。所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。所述第二有机半导体材料在单层膜形式下在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数高于所述第一有机半导体材料的单层膜和所述第三有机半导体材料的单层膜在可见光区域内的极大光吸收波长的线吸收系数。所述第三有机半导体材料的HOMO能级是在所述第二有机半导体材料的HOMO能级以上的值。
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公开(公告)号：CN111034174A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880053632.0
申请日：2018-08-10
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N5/359 , H01L27/146 , H04N5/369
摘要： 根据本公开实施例的固态摄像器件包括第一电极、第二电极、光电转换层和电压施加器。第一电极包括彼此独立的多个电极。第二电极与电极电极相对地布置。光电转换层布置在第一电极和第二电极之间。电压施加器在电荷累积时段和电荷非累积时段期间向第一电极和第二电极中的至少一者施加不同的电压。
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公开(公告)号：CN106847842A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610873625.8
申请日：2012-04-28
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 山口哲司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14621 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L27/307 , H01L31/02164 , H01L31/02165 , H01L31/0232 , H01L51/442 , H01L51/447
摘要： 本发明公开了一种摄像器件和包括该摄像器件的电子装置。所述摄像器件包括：基板，其具有第一侧和作为光入射侧的第二侧，所述基板包括第一光电转换单元和第二光电转换单元；配线层，其布置成邻近所述基板的所述第一侧；以及光电转换膜，其布置在所述基板的所述第二侧上，其中，所述第二光电转换单元的至少一部分布置在所述第一光电转换单元与所述光电转换膜之间，且所述基板布置在所述光电转换膜与所述配线层之间。根据本发明，能够减小由于光电转换膜与光电转换层在入射光的光轴方向上的布置位置的差异所引起的灵敏度相对于F值的变化，所以能够降低各颜色的灵敏度的F值依赖。
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公开(公告)号：CN115312666A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210905108.X
申请日：2017-06-08
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 根据本公开的一个实施方式，光电转换元件包括：彼此相对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间，且包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，其中，所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，并且所述第二有机半导体材料具有比所述第一有机半导体材料的HOMO能级深的HOMO能级。
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公开(公告)号：CN107170767B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201710421752.9
申请日：2013-12-19
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 山口哲司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/361 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/30
摘要： 公开了一种摄像装置，其包括：光电转换器，所述光电转换器包括有机光电转换元件；传输晶体管，所述传输晶体管与所述光电转换器耦合；浮动扩散区，所述浮动扩散区与所述传输晶体管耦合；以及放大晶体管，所述放大晶体管与所述浮动扩散区耦合，其中，所述传输晶体管包括氧化物半导体层的至少一部分。本发明的摄像装置能够抑制暗电流的产生，进而实现高可靠性的单元构造。
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