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公开(公告)号：CN109075181A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780022788.8
申请日：2017-06-29
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/10 , H04N5/374 , H04N9/07
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/146 , H01L27/14667 , H01L27/14669 , H01L51/0046 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , H01L51/0069 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/4246 , H04N5/33 , H04N5/374 , H04N9/045 , H04N9/07
Abstract: 本公开的摄像装置具备包括将入射的光变换为电荷的光电变换部的至少1个单位像素单元。光电变换部包括：第1电极；透光性的第2电极；第1光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于第1波长具有吸收峰值的第1材料；以及第2光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于与第1波长不同的第2波长具有吸收峰值的第2材料。第1材料的离子势的绝对值比第2材料的离子势的绝对值大0.2eV以上。
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公开(公告)号：CN108885137A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780008612.7
申请日：2017-01-24
Applicant: AMS传感器英国有限公司
CPC classification number: G01J3/42 , G01J3/2803 , G01J5/024 , G01J5/0853 , G01J5/12 , G01J5/20 , G01J2005/123 , G01J2005/202 , H01L23/34 , H01L27/1446 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14649 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L27/16 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/16 , H01L31/1804 , H01L37/025
Abstract: 我们公开了一种红外(IR)检测器阵列，包括在包含蚀刻部分的半导体基底上形成的至少一个介电膜(2，3)；至少两个IR检测器(4，5)，以及在所述介电膜的一个或所有两个侧面的内部或是其上形成的至少一个图案化层(7)，用于控制所述IR检测器中的至少一个的IR吸收。所述图案化层包括横向间隔结构。
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公开(公告)号：CN102378903A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080015171.1
申请日：2010-03-30
Applicant: 松下电工株式会社
Inventor： 辻幸司
CPC classification number: H01L27/14669 , G01J5/02 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/06 , G01J5/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种红外阵列传感器，包括：基础衬底；具有阵列结构并形成于所述基础衬底的表面侧的空腔；和分别由所述基础衬底支承的像素部以覆盖所述空腔。每个像素部包括膜结构，该膜结构包括通过狭缝分隔开的分区膜结构。每个分区膜结构包括热传感器。每个像素部的膜结构包括用于将其自身的分区膜结构彼此连接的连接件。
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公开(公告)号：CN101978246A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109704.X
申请日：2009-03-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L27/1446 , G01J5/20 , H01L27/14669 , H01L37/00
Abstract: 在具有测辐射热计元件(11)以及基准元件(21)的红外线检测器(1)中，包含：测辐射热计薄膜(22)，与基板(10)的表面分离且被支撑于基板(10)的表面上；散热用金属膜(23)，经由绝缘膜(31)而被形成在测辐射热计薄膜(22)的基板(10)侧的表面上；以及多个金属柱(25)，与散热用金属膜(23)以及基板(10)热性连接，从而可以经由绝缘膜(31)、散热用金属膜(23)、金属柱(25)、基板侧散热用金属膜(24)有效地使由红外线所产生的受光部(22a)的热向基板(10)散热，因而可以正确地仅测定因使用环境的变化而产生的温度变化，有效地降低使用环境的温度变化的影响，并达成小型化。
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公开(公告)号：CN101375140A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003604.X
申请日：2007-01-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L27/14669 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/12
Abstract: 红外线吸收膜(2)，具备：含有TiN的第一层(21)，及含有Si系化合物的第二层(22)，将从第二层(22)侧入射的红外线的能量变换成热。TiN对比8μm短的波长区域的红外线的吸收率高，另一方面对比8μm长的波长区域的红外线反射率高。因此，在将对长波长区域的红外线的吸收率优异的Si系化合物层层叠在TiN层上时，则可使TiN层中吸收率低的波长区域的红外线在Si系化合物层适当地吸收，同时，可对要透过Si系化合物层的红外线在TiN层的界面反射而回到Si系化合物层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109052306A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810765874.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
CPC classification number: H01L27/14669 , B81C1/00 , G01J5/0225 , G01J5/024 , G01J5/046 , G01J5/048 , G01J5/0853 , G01J5/12 , G01J5/16 , G01J2005/123 , H01L27/146 , H01L27/14612 , H01L27/14629 , H01L27/14643 , H01L27/14649 , H01L31/0224 , H01L31/09 , B81B7/02 , B81B7/0006 , B81B7/0009 , B81B2201/0292 , B81C1/00222 , H01L35/325
Abstract: 本发明披露了一设备和形成该设备的方法，即可扩展的热电式红外探测器。该方法包括提供制备有晶体管和传感器区域的衬底。通过以下方法处理衬底：在衬底中形成下传感器腔，用牺牲材料填充下传感器腔，在传感器区域中形成介电膜，在晶体管区域中形成晶体管以及形成微电机械系统(MEMS)组件在传感器区域中的介电膜上。该方法通过形成具有多个层间介电(ILD)层的后段线(BEOL)电介质而继续，该ILD层具有设置在衬底上用于互连设备部件的金属层和通孔层。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定上传感器腔，并且BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。
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公开(公告)号：CN105118840B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201510401838.6
申请日：2015-07-09
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L21/82
CPC classification number: H01L31/117 , H01L27/14623 , H01L27/14632 , H01L27/14658 , H01L27/14669 , H01L27/14676
Abstract: 本发明提供一种非可见光平板检测器及其制备方法、影像设备，属于检测技术领域，其可解决现有的非可见光平板检测器的结构复杂、制备工艺繁琐的问题。本发明的非可见光平板检测器，包括多个检测单元，以及设置在检测单元上方、用于将非可见光转换成可见光的非可见光转换层，每个所述检测单元包括设置在基底上的薄膜晶体管，依次设置在薄膜晶体管上方，且在基底上的投影与所述薄膜晶体管的在基底上的投影至少部分重叠的第一绝缘层、第一电极、半导体光电转换模块、第二电极。
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公开(公告)号：CN102884627A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180018553.4
申请日：2011-04-12
Applicant: 米克罗森斯电子工贸有限公司
IPC: H01L27/14
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/024 , H01L27/1203 , H01L27/14669 , H01L27/14683
Abstract: 本发明讨论了利用由制造厂限定的绝缘体上硅（SOI）的互补金属氧化物半导体（CMOS）晶片制成非制冷红外检测器的多种方法，各SOI-CMOS晶片均可包括：基体层；绝缘层，其具有像素区和围绕像素区的壁区；像素结构，其形成在绝缘层的像素区上；壁结构，其邻近像素结构形成，并位于绝缘层的壁区上；介电层，其覆盖像素结构和壁结构；像素掩膜，其形成在介电层内部，并在干式蚀刻工艺过程中保护像素结构；以及壁掩膜，其形成在介电层内部，并在干式蚀刻工艺过程中保护壁结构，由此在干式蚀刻工艺之后，释放在壁结构和像素结构之间限定的空间。
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公开(公告)号：CN101632006B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200780046037.6
申请日：2007-12-14
Applicant: 原子能委员会 , 保尔·萨巴梯埃图卢兹第三大学 , 国家科研中心
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/2658 , C04B35/6263 , C04B35/63416 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/449 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/658 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C23C16/406 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/20 , H01L27/14669 , H01L27/14875 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及具有尖晶石铁氧体/一氧化铁结构的材料作为红外辐射的辐射热检测用薄膜形式敏感材料的用途，排除可能存在的掺杂剂，所述结构的化学组成具有经验式(I)：(Fe1-zMz)xO，其中x严格小于1且严格大于0.75。本发明还涉及用于红外辐射检测和红外成像的辐射热测量装置，其包含至少一个带有如上定义的薄膜形式敏感元件的传感器。
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公开(公告)号：CN101512308B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200680055785.6
申请日：2006-09-08
Applicant: 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
IPC: G01J5/20 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14669 , G01J5/06 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开一种测辐射热仪，包括隔膜、第一间隔体和第二间隔体，该隔膜包括电阻层和接触层。在朝向基底的一侧，该接触层具有第一接触区域和第二接触区域，第一间隔体在该第一接触区域电接触该接触层，第二间隔体在该第二接触区域电接触该接触层。以这种方式，该隔膜被保持为远离该基底预定的距离。该接触层由间隙横向截断，使得该接触层被划分为至少两部分，第一部分包括该第一接触区域，且第二部分包括该第二接触区域，并且从该第一接触区域至该第二接触区域在该接触层中不存在直接连接，并且该电阻层与该接触层的该第一和第二部分接触。
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