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公开(公告)号：CN108975263B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810796468.4
申请日：2018-07-19
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
Abstract: 公开了一器件和形成该器件的方法。该器件包括衬底，该衬底具有设置在晶体管区域中的晶体管组件和设置在混合区域中下传感器腔膜上的微电子机械系统(MEMS)组件。MEMS组件用作热电式红外传感器，热电堆线结构，该热电堆线结构包括设置在反向掺杂的第一和第二线段的一部分上的吸收层。后段线(BEOL)电介质设置在具有多个层间介电(ILD)层的衬底上。该ILD层具有金属层和通孔层。ILD层包括金属线和用于互连器件组件的通孔触点。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定BEOL或上传感器腔，BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。
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公开(公告)号：CN108975263A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810796468.4
申请日：2018-07-19
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
CPC classification number: G01J5/024 , B81B7/0006 , B81C1/00246 , G01J5/0225 , G01J5/046 , G01J5/048 , G01J5/12 , G01J2005/123 , H01L27/146
Abstract: 公开了一器件和形成该器件的方法。该器件包括衬底，该衬底具有设置在晶体管区域中的晶体管组件和设置在混合区域中下传感器腔膜上的微电子机械系统(MEMS)组件。MEMS组件用作热电式红外传感器，热电堆线结构，该热电堆线结构包括设置在反向掺杂的第一和第二线段的一部分上的吸收层。后段线(BEOL)电介质设置在具有多个层间介电(ILD)层的衬底上。该ILD层具有金属层和通孔层。ILD层包括金属线和用于互连器件组件的通孔触点。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定BEOL或上传感器腔，BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。
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公开(公告)号：CN109052306B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201810765874.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
Abstract: 本发明披露了一设备和形成该设备的方法，即可扩展的热电式红外探测器。该方法包括提供制备有晶体管和传感器区域的衬底。通过以下方法处理衬底：在衬底中形成下传感器腔，用牺牲材料填充下传感器腔，在传感器区域中形成介电膜，在晶体管区域中形成晶体管以及形成微电机械系统（MEMS）组件在传感器区域中的介电膜上。该方法通过形成具有多个层间介电（ILD）层的后段线（BEOL）电介质而继续，该ILD层具有设置在衬底上用于互连设备部件的金属层和通孔层。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定上传感器腔，并且BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。
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公开(公告)号：CN109052306A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810765874.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 迈瑞迪创新科技有限公司
CPC classification number: H01L27/14669 , B81C1/00 , G01J5/0225 , G01J5/024 , G01J5/046 , G01J5/048 , G01J5/0853 , G01J5/12 , G01J5/16 , G01J2005/123 , H01L27/146 , H01L27/14612 , H01L27/14629 , H01L27/14643 , H01L27/14649 , H01L31/0224 , H01L31/09 , B81B7/02 , B81B7/0006 , B81B7/0009 , B81B2201/0292 , B81C1/00222 , H01L35/325
Abstract: 本发明披露了一设备和形成该设备的方法，即可扩展的热电式红外探测器。该方法包括提供制备有晶体管和传感器区域的衬底。通过以下方法处理衬底：在衬底中形成下传感器腔，用牺牲材料填充下传感器腔，在传感器区域中形成介电膜，在晶体管区域中形成晶体管以及形成微电机械系统(MEMS)组件在传感器区域中的介电膜上。该方法通过形成具有多个层间介电(ILD)层的后段线(BEOL)电介质而继续，该ILD层具有设置在衬底上用于互连设备部件的金属层和通孔层。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定上传感器腔，并且BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。
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