公开(公告)号：CN108886030A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022655.0

申请日：2017-03-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： E·罗特施尔 ,  B·米歇尔 ,  S·帕雷德斯 ,  P·鲁赫

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L31/0521 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0547 ,  Y02E10/52

摘要： 描述了光伏系统(1)和相关系统以及用于冷却这种光伏系统(1)的方法。该光伏系统(1)包括并排布置的光伏电池(10)，以形成光伏电池(10)的阵列(5)。它还包括冷却装置(20)，该冷却装置包括一个或多个层(21‑23)，其中这些层(21‑23)与光伏电池(10)的阵列(5)相对地延伸并与其热连通，以便在操作中冷却电池(10)。构造一个或多个层(21‑23)使得光伏系统(1)的热阻在光伏电池(10)的阵列(5)上变化，以便在操作中以不同的热移除速率从阵列(5)的光伏电池(10)移除热量。

公开(公告)号：CN108540048A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810208427.9

申请日：2018-03-14

申请人： 东南大学

发明人： 廖小平 ,  严嘉彬

IPC分类号： H02S10/10 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L35/10 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 ,  B82Y40/00

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H02S10/10 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0682 ,  H01L35/10 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 ,  H01L35/325

摘要： 本发明的自供能无线传感节点中的热电光电集成化纳米能量收集器，衬底为N型硅片，光电池的受光面上制作有绒面结构、第一氮化硅薄膜和背电场结构，N型纳米注入区和P型纳米注入区交错排列，纳米注入区上淀积了一层二氧化硅层钝化层，并开了一系列的电极接触孔；在光电池叉指电极的上方，许多热电偶串联成热电堆，而每个热电偶又由N型多晶硅纳米线热电偶臂和P型多晶硅纳米线热电偶臂构成，热电偶臂上包含多列多晶硅纳米线，采用纳米线支撑结构作为连接；在热电堆的上方，通过牺牲层释放制作出的空腔结构，空腔的上方为金属板，与热电堆之间隔有第三氮化硅薄膜。

公开(公告)号：CN108369973A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680074391.9

申请日：2016-12-13

申请人： 太阳能公司 ,  道达尔销售服务公司

发明人： 金泰锡 ,  罗伯特·韦尔 ,  加布里埃尔·哈利 ,  尼尔斯-彼得·哈德 ,  延斯-德克·莫施纳 ,  马蒂厄·穆尔斯 ,  米歇尔·阿尔塞纳·恩加姆·托科

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L31/022458 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/52

摘要： 本发明描述了在基于箔的金属化方法中使用含金属的热扩散阻挡层来制造太阳能电池的方法，以及所制得的太阳能电池。例如，制造太阳能电池的方法包括在基板中或上方形成多个半导体区域。该方法还包括在多个半导体区域上方形成含金属的热扩散阻挡层。该方法还包括在含金属的热扩散阻挡层上形成金属晶种层。该方法还包括在金属晶种层上形成金属导体层。该方法还包括将金属导体层激光焊接至金属晶种层。在激光焊接过程中，含金属的热扩散阻挡层保护多个半导体区域。

公开(公告)号：CN108281503A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711475598.X

申请日：2017-12-29

申请人： 太阳能公司

发明人： 林承笵 ,  王宏明 ,  大卫·大川 ,  刘易斯·阿布拉

IPC分类号： H01L31/05 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/1876

摘要： 本文描述了制造具有通过电池级互连耦接的多个子电池的太阳能电池的方法，以及所得的太阳能电池。在一个实例中，太阳能电池包括多个子电池。所述多个子电池中的每个子电池具有已分割的物理上分离的半导体基板部分。所述多个子电池中的每个子电池包括子电池上金属化结构，所述子电池上金属化结构使所述子电池的发射极区互连。子电池间金属化结构耦接所述多个子电池中的相邻子电池。所述子电池间金属化结构在组成上不同于所述子电池上金属化结构。

公开(公告)号：CN107994100A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201711347587.3

申请日：2017-12-15

申请人： 岭南师范学院

发明人： 张军 ,  廖峻 ,  薛书文 ,  邵乐喜

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03928

摘要： 本发明公开了一种柔性单晶颗粒薄膜及其太阳能电池的制备方法，包括（1）利用印刷法在柔性衬底上依次制备阿拉伯树胶层、环氧树脂层，形成粘结剂层；（2）用静电转印法把单晶颗粒植入粘结剂层中；（3）先用研磨机磨掉表层的环氧树脂，使单晶颗粒表面裸露，再用等离子体刻蚀清洁裸露的单晶颗粒表面，得到柔性单晶颗粒薄膜；（4）在柔性单晶颗粒薄膜上制备缓冲层、窗口层以及电极层得到柔性单晶颗粒薄膜太阳能电池；本发明采用卷对卷法结合静电转印技术制备大面积柔性单晶颗粒薄膜的制备，克服现有技术中因导电材料在使用过程中容易被折断而影响柔性单晶颗粒薄膜的可靠性问题，在工业化生产方面具有明显的优势。

公开(公告)号：CN104918878B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201380056223.3

申请日：2013-10-25

申请人： 艾利迪公司 ,  原子能与替代能源委员会

发明人： 娜塔莉·德绍克斯 ,  伯努瓦·阿姆斯塔特 ,  菲力浦·吉莱

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/28

CPC分类号： H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及光电子设备(10)，该设备包括：基板(14)；在基板的一个表面(16)上的触头(18)；半导体元件(24)，每个元件承接触头；至少覆盖每个触头的侧面(21)的部分，该部分防止半导体元件在所述侧面上的生长；和从前述表面延伸至基板并且对于每对触头而言将来自该对的一个触头与来自该对的另一个触头连接的电介质区域(22)。

公开(公告)号：CN107946384A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711220995.2

申请日：2017-11-28

申请人： 佛山市宝粤美科技有限公司

发明人： 赵红英

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种硅-PEDOT:PSS杂化太阳能电池及其制备方法，用以提高硅-PEDOT:PSS杂化太阳能电池的光电转换效率。硅-PEDOT:PSS杂化太阳能电池的制作方法包括：硅基底的清洗；硅基底的表面钝化处理；硅纳米线/PEDOT:PSS复合膜的制备；PEDOT:PSS/硫化亚铜纳米颗粒/氧化石墨烯复合导电层的制备；背面界面层的制备；正面银栅电极的制备；背面电极的制备。

公开(公告)号：CN107799612A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710962476.7

申请日：2014-06-05

申请人： 索尔伏打电流公司

发明人： 英瓦尔·奥贝里 ,  约纳斯·奥尔松 ,  达米尔·阿索利 ,  尼克拉斯·安图

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548

摘要： 一种太阳能电池结构(1)，所述结构包括制造于具有直接带隙的半导体材料中的细长的纳米线(2)的阵列。每一纳米线(2)具有至少第一区段(3)及第二区段(4)。所述结构包括：第一电极层(7)，其实现与每一第一区段(3)的至少一个部分的欧姆接触；第二光学透明电极层(8)，其实现与每一第二区段的至少一个部分的接触。每一纳米线(2)包括少数载流子屏障元件(6)以用于在与所述第二电极层(8)的所述接触处最小化少数载流子的复合。

公开(公告)号：CN107403799A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710296140.1

申请日：2017-04-28

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 宇佐美达矢

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L31/03529 ,  G02B6/00 ,  G02B6/12004 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  Y02E10/547 ,  H01L27/04 ,  H01L21/02109

摘要： 本公开涉及半导体器件及其制造方法，例如，提供了一种半导体器件，其包括能够降低光接收元件的制造成本并改进光接收元件的光学性能的光接收元件。例如，形成Ge光电二极管的结构本体的p型锗层、本征锗层和n型锗层根据连续选择性外延生长来形成。具有开口部分的绝缘膜形成在SOI衬底的硅层上，并且本征锗层形成为从开口部分突出到绝缘膜上方。简而言之，通过使用具有开口部分的绝缘膜，本征锗层的截面形成为蘑菇形状。

公开(公告)号：CN107221569A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710598436.9

申请日：2017-07-21

申请人： 湘潭大学

发明人： 李正 ,  刘曼文

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/117

CPC分类号： H01L31/117 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/035281

摘要： 新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器，有一六棱柱半导体基体，中央柱状电极位于沟槽电极正中，沟槽电极为六边形框中空电极，沟槽电极刻蚀成结构相同且结构上互为互补的两瓣；沟槽电极的一对平行边正中有斜纹状实体缝隙，新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器顶面的沟槽电极和中央柱状电极上覆盖有电极接触层，顶面其他半导体部分覆盖二氧化硅绝缘层，底面设置有二氧化硅衬底层；在沟槽电极间没有刻蚀成电极从而剩下斜纹状实体缝隙，新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器在斜纹状半导体基体的基础上以沟槽电极顶点为圆心，斜纹状实体缝隙的宽度为半径做圆，圆弧外的半导体基质都刻蚀成电极，留下带弧状的斜纹体半导体基体，提升探测器性能。