公开(公告)号：CN106463516B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201580020970.0

申请日：2015-05-22

申请人： 太阳能公司

发明人： 林承笵 ,  加布里埃尔·哈利

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0443 ,  H01L27/1421 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/188 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开一种太阳能电池，所述太阳能电池可包含内置旁路二极管。在一个实施例中，所述太阳能电池可包含：设置于基板的第一部分之中或上方的有源区；以及设置于所述基板的第二部分之中或上方的旁路二极管。所述基板的所述第一部分和第二部分可借助凹槽物理分隔。金属化结构可将所述有源区耦接至所述旁路二极管。

公开(公告)号：CN109690792A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780056184.5

申请日：2017-09-11

申请人： 原子能与替代能源委员会

发明人： 诺伯特·穆西

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/107

CPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/1075 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明涉及一种SPAD光电二极管(200)，包括：具有正面和背面的第一导电类型的半导体衬底(201)；和第二导电类型的第一半导体区域(203)，其从其正面并在其背面的方向上延伸进入衬底(201)，第一区域(203)的侧面与衬底(201)接触，并且第一区域(203)的侧面和衬底(201)之间的结限定了光电二极管的雪崩区。

公开(公告)号：CN108963015A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710348713.0

申请日：2017-05-17

申请人： 上海耕岩智能科技有限公司

发明人： 黄建东

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L27/14692 ,  H01L27/146 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/1013 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/028 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0376 ,  H01L33/0054

摘要： 本发明提供了一种光侦测薄膜、器件、显示装置、光敏二极管的制备方法，光侦测薄膜包括光侦测二极管区域，所述光侦测二极管区域包括光敏二极管，每一光敏二极管电性连接至其对应的该薄膜晶体管，所述光侦测二极管区域的每一光敏二极管是由双结或双结以上p型/i型/n型结构串接堆叠形成。光电二极管第一层p型/i型/n型材料为非晶硅结构，第二p型/i型/n型材料或第二层以上的p型/i型/n型材料可以为微晶结构、或是掺有可扩展光敏波长范围之非结晶化合物材料。相较于采用只包含一层p型/i型/n型结构的光侦测薄膜的器件，本发明可以有效提高器件的光电转换量子效率以及拓展光侦测的波长范围。

公开(公告)号：CN108701736A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012714.6

申请日：2017-01-26

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 藤田和范 ,  藤嶋大介 ,  角村泰史 ,  田口干朗 ,  益子庆一郎

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547

摘要： 作为实施方式的一例的太阳能单电池(10)包括：n型晶体硅晶片(11)；形成于n型晶体硅晶片(11)的受光面上的、以氧化硅、碳化硅或者氮化硅为主要成分的第1钝化层(12)；形成于第1钝化层(12)上的n型晶体硅层(13)；形成于n型晶体硅晶片(11)的背面上的第2钝化层(16)；和形成于第2钝化层(16)上的p型非晶硅层(17)。

公开(公告)号：CN107078051A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580057501.6

申请日：2015-10-20

申请人： 摄津制油株式会社

发明人： 赤木成明 ,  镰田义辉 ,  大八木伸 ,  斋田利典 ,  森胁和弘 ,  山本裕三

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L31/0236

CPC分类号： C09K13/02 ,  C09K13/00 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及用于处理太阳能电池用半导体基板的表面的碱性蚀刻液，其是含有以通式(1)表示的至少一种羟基苯乙烯类聚合物以及碱性剂的蚀刻液。根据本发明，能够发挥以下效果：可在相对低温侧以更短时间对太阳能电池用半导体基板形成结构，生产性优异。

公开(公告)号：CN107002277A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580051744.9

申请日：2015-09-22

申请人： 太阳能公司 ,  道达尔销售服务公司

发明人： 林承笵 ,  马蒂厄·穆尔斯

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0682 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明描述了使用简化的沉积工艺制造太阳能电池的方法和所得的太阳能电池。在一个示例中，制造太阳能电池的方法涉及将模板基板装载到沉积室中，并且在不从所述沉积室移除所述模板基板的情况下执行沉积方法。所述沉积方法涉及在所述模板基板上形成第一硅层，所述第一硅层为第一导电类型。所述沉积方法还涉及在所述第一硅层上形成第二硅层，所述第二硅层为所述第一导电类型。所述沉积方法还涉及在所述第二硅层上方形成第三硅层，所述第三硅层为第二导电类型。所述沉积方法还涉及在所述第三硅层上形成固态掺杂层，所述固态掺杂层为所述第一导电类型。

公开(公告)号：CN106463550A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580028858.1

申请日：2015-05-21

申请人： 太阳能公司

发明人： 大卫·D·史密斯 ,  斯塔凡·韦斯特贝格

IPC分类号： H01L31/0256 ,  H01L31/06 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/065 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可包括基板，所述基板具有面向太阳以在正常操作期间接收太阳辐射的正面和与所述正面相背对的背面。所述太阳能电池还可包括形成在所述基板的所述背面上方的多晶硅层。P型扩散区和N型扩散区可形成在所述多晶硅层中以提供对接的PN结。所述P型扩散区可具有第一掺杂物浓度水平并且所述N型扩散区可具有第二掺杂物浓度水平，以使得所述第一掺杂物浓度水平小于所述第二掺杂物浓度水平。

公开(公告)号：CN103700713B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201310450083.X

申请日：2013-09-27

申请人： LG电子株式会社

发明人： 李贤镐 ,  李暻洙 ,  朴昶绪

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括半导体基板、形成在半导体基板处并且包括p型杂质的p型导电区域和形成在p型导电区域上并且包括铝氧化物的钝化膜。钝化膜具有7至17Å的厚度。

公开(公告)号：CN105977268A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610344361.7

申请日：2016-05-23

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘英明 ,  董学 ,  薛海林 ,  王海生 ,  陈小川 ,  丁小梁 ,  杨盛际 ,  许睿 ,  李昌峰 ,  刘伟 ,  王鹏鹏

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L27/15

CPC分类号： H01L31/1136 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/15 ,  H01L29/78675 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/115 ,  H01L31/119 ,  H01L27/14

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光敏器件及光敏装置，用以在低温多晶硅薄膜晶体管中实现对光线强弱识别的目的。在本发明中，该光敏器件包括作为控制开关的顶栅型第一薄膜晶体管以及与第一薄膜晶体管连接且作为光敏单元的顶栅型第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管中栅极至少部分透明，且对应第二薄膜晶体管中的部分有源层，以在两个薄膜晶体管同时导通时实现对进入第二薄膜晶体管的光线强弱的识别，另外，第二薄膜晶体管的存在，能够有效区分不同光线照射下输出信号端的电流信号的读取情况，提升该光敏器件的灵敏度。该光敏器件在顶栅型薄膜晶体管中实现了对光线强弱的感应，有效扩展了光敏器件适用范围；而且，其识别效率以及速度相对较高。

公开(公告)号：CN105723525A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480053567.3

申请日：2014-09-24

申请人： 原子能与替代能源委员会

发明人： 让-马里·勒布伦 ,  让-保罗·加朗代 ,  让-米歇尔·米西安 ,  赛琳·帕斯卡

IPC分类号： H01L31/18 ,  C30B1/02

CPC分类号： H01L31/1872 ,  C30B1/02 ,  C30B28/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种用于制备平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底的方法，至少包括以下步骤：(i)提供多晶硅衬底，所述多晶硅衬底的平均颗粒尺寸小于或等于10μm；(ii)使所述衬底在至少1000℃的温度下经受整体均匀的塑性变形；(iii)使所述衬底经受被定位在多个被称为外部应力区的衬底区(3)中的塑性变形，在两个连续的区(3)之间的间距为至少20μm，衬底的局部变形严格地大于在步骤(ii)中执行的整体变形，步骤(iii)能够与步骤(ii)相继地或者同时地执行；以及(iv)在严格高于步骤(ii)中使用的温度的温度下，使在步骤(iii)中获得的衬底经受固相再结晶热处理，以便获得期望的所述衬底。