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    基于垂直型纳米热电偶和超晶格光电结构的微型发电机
    2.
    发明公开
    基于垂直型纳米热电偶和超晶格光电结构的微型发电机 无效

    公开(公告)号：CN108540045A

    公开(公告)日：2018-09-14

    申请号：CN201810208117.7

    申请日：2018-03-14

    申请人： 东南大学

    发明人： 廖小平 ,  严嘉彬

    IPC分类号： H02S10/10 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L35/32 ,  B82Y40/00

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  H02S10/10 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/0682 ,  H01L35/32 ,  H01L35/325

    摘要： 本发明的基于垂直型纳米热电偶和超晶格光电结构的微型发电机，衬底为N型硅片，光电池的受光面上制作有绒面结构、第二氮化硅薄膜和背电场结构，超晶格结构上覆盖了一层外延的单晶硅薄膜，部分为P型掺杂区域，部分为N型掺杂区域，单晶硅薄膜上淀积了一层二氧化硅层钝化层，并开了一系列的电极接触孔，与光电池的基区电极和发射区电极相连；热电式发电机与光电池之间隔有第一氮化硅薄膜，垂直衬底表面的N型多晶硅纳米线簇和P型多晶硅纳米线簇构成了热电偶的半导体臂，通过热电堆下电极和热电堆上电极串联成热电堆，金属板位于热电堆的正上方，与热电堆上电极之间隔有第三氮化硅薄膜。

    太阳能电池及太阳能电池的制造方法
    6.
    发明公开
    太阳能电池及太阳能电池的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106463549A

    公开(公告)日：2017-02-22

    申请号：CN201580030808.7

    申请日：2015-04-07

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 远洞阳子 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L31/068

    CPC分类号： H01L31/022458 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/50

    摘要： 一种太阳能电池，其在基板的与受光面相反的面上，形成有第1导电型的扩散层与第2导电型的扩散层，所述太阳能电池具备：第1电极部、第2电极部、第1电极线部、第2电极线部、第1电极母线部及第2电极母线部；在第2电极部与第1电极母线部交叉的区域，以覆盖第2电极部的侧面部与上部的方式形成第1绝缘膜，在第1电极部与第2电极母线部交叉的区域，以覆盖第1电极部的侧面部与上部的方式形成第2绝缘膜，在第1绝缘膜的正下方，线状地连续形成第2电极部，在第2绝缘膜的正下方，线状地连续形成第1电极部。由此，提供一种配线电阻低、转换效率高的背面电极型太阳能电池及能够以低成本制造这种背面电极型太阳能电池的太阳能电池的制造方法。

    一种IBC电池制造方法
    8.
    发明公开
    一种IBC电池制造方法 无效

    公开(公告)号：CN105514184A

    公开(公告)日：2016-04-20

    申请号：CN201510887048.3

    申请日：2015-12-07

    申请人： 上海空间电源研究所

    发明人： 雷刚 ,  石梦奇 ,  曹佳晔 ,  范襄 ,  池卫英

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/1804

    摘要： 本发明公开一种IBC电池制造方法，在该制造方法中，采用碱腐蚀的方法在硅片的正面（即受光面）制作绒面陷光结构；采用离子注入的方法在硅片的背面制备出发射极和背场，离子束通过扫描的方式在硅片的特定区域有选择地进行掺杂，最终形成指状结构的发射极和背场；采用PECVD的方法在硅片的正面和背面淀积钝化层或减反射膜；采用丝网印刷的方法在硅片的背面制备电极。由于本发明采用离子注入的方法在硅片的背面直接制备出发射极和背场所需的图形，无需采用光刻技术或其他精确图形化技术，因此生产工序简单，生产成本较低。