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公开(公告)号：CN106415853A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201480079169.9
申请日：2014-06-27
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/056 , H01L31/047
CPC分类号： H01L31/022458 , H01L31/022475 , H01L31/028 , H01L31/047 , H01L31/0516 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1884 , H02S40/38 , Y02E10/52 , Y02E10/547
摘要： 实施例包括一种装置，该装置包括：第一光伏电池；第一穿硅过孔(TSV)，第一穿硅过孔包括在第一光伏电池中并穿过掺杂的硅衬底的至少一部分，第一TSV包括(a)(ⅰ)第一侧壁，第一侧壁被与掺杂的硅衬底相反地进行掺杂，以及(a)(ⅱ)第一接触部，第一接触部大体上填充第一TSV；以及第二TSV，第二TSV包括在第一光伏电池中并穿过掺杂的硅衬底的至少另一部分，第二TSV包括(b)(ⅰ)第二侧壁，该第二侧壁包括掺杂的硅衬底，以及(b)(ⅱ)第二接触部，第二接触部大体上填充第二TSV；其中，第一接触部和第二接触部均包括大体上透明的导电材料。本文中描述了其它实施例。
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公开(公告)号：CN106463533B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201480079089.3
申请日：2014-06-20
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/335
摘要： 跨多个非平面半导体主体的高电压晶体管(例如，鳍状物或纳米线)利用个体的非平面半导体主体与非平面晶体管单片地集成。非平面FET可以用于IC内的低电压CMOS逻辑电路，而高电压晶体管可以用于在IC内的高电压电路。栅极叠置体可以设置在将一对鳍状物分隔开的高电压沟道区之上，所述鳍状物中的每个鳍状物用作高电压器件的源极/漏极的部分。高电压沟道区可以是相对于鳍状物凹进的衬底的平面长度。高电压栅极叠置体可以使用包围鳍状物的隔离电介质作为厚栅极电介质。高电压晶体管可以包括被形成到衬底中的由高电压栅极叠置体分隔开的一对掺杂阱，一个或多个鳍状物被包含在每个阱内。
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公开(公告)号：CN106415853B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480079169.9
申请日：2014-06-27
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/056 , H01L31/047
CPC分类号： H01L31/022458 , H01L31/022475 , H01L31/028 , H01L31/047 , H01L31/0516 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1884 , H02S40/38 , Y02E10/52 , Y02E10/547
摘要： 实施例包括一种装置，该装置包括：第一光伏电池；第一穿硅过孔(TSV)，第一穿硅过孔包括在第一光伏电池中并穿过掺杂的硅衬底的至少一部分，第一TSV包括(a)(ⅰ)第一侧壁，第一侧壁被与掺杂的硅衬底相反地进行掺杂，以及(a)(ⅱ)第一接触部，第一接触部大体上填充第一TSV；以及第二TSV，第二TSV包括在第一光伏电池中并穿过掺杂的硅衬底的至少另一部分，第二TSV包括(b)(ⅰ)第二侧壁，该第二侧壁包括掺杂的硅衬底，以及(b)(ⅱ)第二接触部，第二接触部大体上填充第二TSV；其中，第一接触部和第二接触部均包括大体上透明的导电材料。本文中描述了其它实施例。
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公开(公告)号：CN107660312B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201580080104.0
申请日：2015-06-19
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L23/48
摘要： 描述了使用穿硅过孔作为栅极的竖直晶体管。在一个示例中，结构包括衬底；衬底中的过孔，过孔被填充有导电材料并具有电介质内衬；耦合到过孔的深阱；耦合到深阱的、具有漏极接触部的漏极区；位于漏极区与过孔之间的、具有源极接触部的源极区；以及位于过孔之上的栅极接触部。
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公开(公告)号：CN107660312A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201580080104.0
申请日：2015-06-19
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L23/48
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L23/481 , H01L29/0653 , H01L29/66734 , H01L29/7809 , H01L29/945
摘要： 描述了使用穿硅过孔作为栅极的竖直晶体管。在一个示例中，结构包括衬底；衬底中的过孔，过孔被填充有导电材料并具有电介质内衬；耦合到过孔的深阱；耦合到深阱的、具有漏极接触部的漏极区；位于漏极区与过孔之间的、具有源极接触部的源极区；以及位于过孔之上的栅极接触部。
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公开(公告)号：CN106463533A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480079089.3
申请日：2014-06-20
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7834 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L27/0886 , H01L27/0922 , H01L27/0924 , H01L29/0684 , H01L29/0847 , H01L29/66621 , H01L29/7835
摘要： 跨多个非平面半导体主体的高电压晶体管(例如，鳍状物或纳米线)利用个体的非平面半导体主体与非平面晶体管单片地集成。非平面FET可以用于IC内的低电压CMOS逻辑电路，而高电压晶体管可以用于在IC内的高电压电路。栅极叠置体可以设置在将一对鳍状物分隔开的高电压沟道区之上，所述鳍状物中的每个鳍状物用作高电压器件的源极/漏极的部分。高电压沟道区可以是相对于鳍状物凹进的衬底的平面长度。高电压栅极叠置体可以使用包围鳍状物的隔离电介质作为厚栅极电介质。高电压晶体管可以包括被形成到衬底中的由高电压栅极叠置体分隔开的一对掺杂阱，一个或多个鳍状物被包含在每个阱内。
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