公开(公告)号：CN105190894B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201480008732.3

申请日：2014-02-17

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： R·杜塔

IPC: H01L29/66 ,  H01L27/08 ,  H01L29/93 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/93 ,  H01L27/0808 ,  H01L29/66174 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 描述了用于实现可变(例如，可调谐)3端电容器件的方法和装置。在各实施例中，彼此间隔开的垂直控制柱在具有与控制柱的极性相反的极性的阱中延伸。控制柱按平行于深沟槽栅极与阱拾取区但在深沟槽栅极与阱拾取区之间延伸的一行来安排。通过改变施加到控制柱的电压，柱周围耗尽区的大小可变化，从而造成沟槽栅极与连接到阱拾取区的拾取端之间的电容的变化。控制柱的一般垂直的性质便于控制大范围的电压，同时允许使用常见半导体制造步骤进行制造，使得器件易于与其他半导体器件一起实现在芯片上。

公开(公告)号：CN104465521B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410333665.4

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彦 ,  林伯耕 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L28/90 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的新方法和半导体器件。半导体器件包括：衬底、沟槽电容器、接触焊盘、层间介电(ILD)层和接触元件。沟槽电容器包括掺杂区、第一介电层、底电极、第二介电层和顶电极，其中，接触焊盘位于掺杂区上。ILD层具有接触窗口和设置在其中的接触元件。由于存在位于掺杂区上的接触焊盘，因此增加了顶电极上方的ILD层的厚度，但是仍然满足对蚀刻ILD层的接触窗口的最大深度限制的需求。

公开(公告)号：CN105957902A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610571751.8

申请日：2016-07-20

Applicant: 无锡宏纳科技有限公司

Inventor： 吕耀安

IPC: H01L29/92 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/92 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明公开了一种电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法，包括以下步骤：在硅衬底上表面生长一层第一硅氧化物；在第一硅氧化物上表面覆盖一层光刻胶；之后进行光刻过程，在光刻胶上刻蚀出电容沟槽的开口；使用湿法刻蚀的方法进行刻蚀过程，生成电容沟槽；对沟槽进行重掺杂过程，形成重掺杂硅；在重掺杂硅上生长第二硅氧化物；在第二硅氧化物之上、电容沟槽中，生长多晶硅。在相同的沟槽深度下，本发明所述的方法制作出来的电容结构，电容面积大于现有技术，由基本的电路的原理中的电容定义可知，本发明的电容数值更大。

公开(公告)号：CN105845744A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610069313.1

申请日：2016-02-01

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： F·陈 ,  C·D·格拉斯 ,  T·L·卡内 ,  M·A·欣奥斯克伊

IPC: H01L29/94

CPC classification number: H01L29/945 ,  H01L29/495 ,  H01L29/518 ,  H01L47/005 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明提供呈现具有负阻特性的装置结构以及此类装置结构的制造方法。施加信号于金属-绝缘体-半导体电容器的金属层，以使该金属-绝缘体-半导体电容器的绝缘体层在一位置击穿。在该绝缘体层的该位置处的该击穿使该金属-绝缘体-半导体电容器呈现负阻。该金属层可由多晶金属组成。该多晶金属的晶粒可穿过该绝缘体层并进入位于该击穿的该位置处的衬底的部分中。

公开(公告)号：CN105633085A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510795235.9

申请日：2015-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  卢镇铉 ,  金寿台 ,  李炳烈 ,  张成熏 ,  全钟声

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/94 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/94 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/7851 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10829 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/945

Abstract: 半导体器件包括：基板，该基板包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，至少一个第二杂质扩散区被所述第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在第一杂质扩散区域与至少一个电极之间以及在至少一个第二杂质扩散区域与至少一个电极之间。

公开(公告)号：CN105493238A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201380079118.1

申请日：2013-09-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·加斯卡兰 ,  K·俊 ,  P·莫罗

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L27/10832 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10861 ,  H01L27/10867 ,  H01L27/1087 ,  H01L28/20 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91 ,  H01L29/945

Abstract: 描述了在器件层下方形成无源元件的方法。那些方法和结构可以包括在基板中形成至少一个无源结构，例如电容器和电阻器结构，其中所述无源结构垂直设置于所述基板之内。在所述无源结构的顶表面上形成绝缘体层，在所述绝缘体层上形成器件层，并且形成接触部以将设置在所述器件层中的器件耦合到所述至少一个无源结构。

公开(公告)号：CN104282770A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410309128.6

申请日：2014-06-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·P·迪萨罗 ,  R·J·小高蒂尔 ,  T·C·李 ,  李军俊 ,  S·米特拉 ,  裴成文 ,  C·S·帕特南 ,  T·E·斯坦德尔特

IPC: H01L29/87 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0744 ,  H01L27/075 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66371 ,  H01L29/7408 ,  H01L29/87 ,  H01L29/945

Abstract: 包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。

公开(公告)号：CN102272904B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080004366.6

申请日：2010-01-07

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： J.P.埃卢尔 ,  K.特兰 ,  A.伯格蒙特

IPC: H01L21/334 ,  H01L27/06 ,  H01L29/94 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过沉积绝缘层（26，30）和导电层（28，32）以及使用化学机械抛光来形成沟道式电容器。所述电容器连接到通孔（48）用于与其他器件集成。包括所述电容器和通孔的所述晶圆（20）结合到另一个晶圆（74）。

公开(公告)号：CN103515322A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210258842.8

申请日：2012-07-25

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 吴铁将 ,  廖伟明 ,  黄瑞成 ,  聂鑫誉

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/66181 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10861 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法。该方法提供具有第一区及第二区的基底。在基底上形成第一图案化罩幕层，其在第一区中具有至少一第一开口而在第二区中具有至少一第二开口。第一开口小于第二开口。以第一图案化罩幕层为罩幕，移除部分基底，以在第一区的基底中形成至少一第一沟渠，且同时在第二区的基底中形成至少一第二沟渠。第一沟渠的宽度及深度都小于第二沟渠。移除第一图案化罩幕层。在第一沟渠上及第二沟渠上形成第一介电层。在位于第一沟渠的至少部分侧壁上的第一介电层上及位于第二沟渠的至少部分侧壁上的第一介电层上形成导体层。

公开(公告)号：CN103390541A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210548208.8

申请日：2012-12-17

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴锺国 ,  赵瑢泰

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10847 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/60 ,  H01L28/87 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/94 ,  H01L29/945 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种电容器及其制造方法。一种制造电容器的方法包括以下步骤：在衬底之上形成模具结构，其中模具结构具有多个开口部分，并具有与支撑层层叠的模具层；在开口部分中形成筒型下电极；在包括筒型下电极的结构的整个表面之上形成第一上电极，以填充筒型下电极；限定穿通第一上电极和支撑层的部分的穿通孔洞；经由穿通孔洞去除模具层，并暴露出筒型下电极；形成第二上电极，以填充穿通孔洞和位于筒型下电极之间的空间；以及形成第三上电极，以使第二上电极和第一上电极彼此连接。