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1.

发明公开
球珊阵列（BGA）装置和方法有权

公开(公告)号：CN107924904A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680050932.4

申请日：2016-08-02

申请人： 英特尔公司

发明人： M.索德 , B.刘 , W.谭 , H.徐 , K.J.米尔普里

IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/00

CPC分类号： B23K35/262 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/131 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13118 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/1339 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16502 , H01L2224/16505 , H01L2224/812 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/8192 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/3511 , H01L2924/3841 , H05K1/141 , H05K1/144 , H05K1/181 , H05K3/3436 , H05K3/363 , H05K2201/042 , H05K2201/10234 , H05K2201/10378 , H05K2201/10734 , H05K2203/041 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01323 , H01L2924/01324 , H01L2924/01079 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665

摘要： 本文的实施例可以涉及一种具有球珊阵列（BGA）封装的装置，所述球珊阵列（BGA）封装包括非共晶材料的多个焊料球。在实施例中，所述多个焊料球中的相应焊料球可以在BGA的衬底与第二衬底之间形成焊料接头。在一些实施例中，接头可以距彼此小于近似0.6微米。可以描述和/或要求保护其他实施例。

2.

发明授权
辐射探测器元件有权

公开(公告)号：CN104603640B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201480001837.6

申请日：2014-09-04

申请人： 皇家飞利浦有限公司

发明人： N·J·A·范费恩 , R·戈申 , D·约格夫 , A·利夫内

IPC分类号： G01T1/24

CPC分类号： H01L27/14634 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/042 , H01L25/043 , H01L27/14623 , H01L27/14661 , H01L27/14663 , H01L27/1469 , H01L2224/091 , H01L2224/09165 , H01L2224/16105 , H01L2224/16113 , H01L2224/16148 , H01L2224/16505 , H01L2224/16506 , H01L2224/171 , H01L2224/81047 , H01L2224/81224 , H01L2224/81801 , H01L2225/06551 , H01L2924/0002 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/12043 , H01L2924/00

摘要： 本发明总体上涉及一种辐射探测器元件，其中，光电二极管通过至少一个包括两个熔合的焊球的连接被横向地固定到探测器元件基板，其中，所述两个熔合的焊球中的第一个接触所述光电二极管，并且所述两个熔合的焊球中的第二个接触所述探测器元件基板。本发明还涉及一种横向地附接两个基板，具体为构造上述辐射探测器元件的方法。本发明还涉及包括至少一个辐射探测器元件的成像系统。

3.

发明授权
三维IC方法和器件有权

公开(公告)号：CN104576519B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201410738151.7

申请日：2006-08-07

申请人： 齐普特洛尼克斯公司

发明人： P·M·恩奎斯特 , 小盖厄斯·G·方丹 , 童勤义

IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/603 , H01L23/48 , H01L25/065

CPC分类号： H01L21/76838 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/0401 , H01L2224/81121 , H01L2224/81201 , H01L2224/8123 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/81931 , H01L2224/83894 , H01L2224/9202 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01055 , H01L2924/01059 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2224/81

摘要： 本发明提供一种三维地集成元件诸如被分切管芯或晶片的方法以及具有连接元件诸如被分切管芯或晶片的集成结构。管芯和晶片之一或全部可以具有形成于其中的半导体器件。具有第一接触结构的第一元件被键合到具有第二接触结构的第二元件。第一和第二接触结构可以在键合时被暴露并由于键合的结果被电互连。通孔可以在键合之后被蚀刻和填充以暴露和形成电互连以电互连第一和第二接触结构并提供从表面到该互连的电通路。替代地，第一和/或第二接触结构在键合时不被暴露，而通孔在键合后被蚀刻和填充以将第一和第二接触结构电连接，并对表面提供对互连了的第一和第二接触结构的电通路。并且，器件可以被形成于第一衬底中，该器件被放置于第一衬底的器件区中并具有第一接触结构。通孔可以在键合之前被蚀刻、或蚀刻并填充，其穿过器件区并进入到第一衬底中，并且第一衬底可以在键合之后被减薄以暴露出通孔或被填充的通孔。

4.

发明公开
电路部件的连接方法有权

公开(公告)号：CN107369631A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710315343.0

申请日：2017-05-05

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 岸新 , 圆尾弘树

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： B23K1/0016 , B23K35/26 , B23K35/264 , B23K2101/36 , B23K2103/08 , C22C12/00 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/13144 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/9211 , H01L2924/01049 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L24/80 , H01L2224/80203

摘要： 本发明提供一种电路部件的连接方法，包括：第1工序，准备在粘合剂中分散了焊料的连接材料；第2工序，以第1电路部件的第1电极与第2电路部件的第2电极隔着连接材料对置的方式，配置第1电路部件和第2电路部件；和第3工序，一边对连接材料加热，一边对第1电路部件与第2电路部件进行压接。第3工序具有：在连接材料的温度达到焊料的熔点之前进行的第1按压工序、以及继第1按压工序之后的第2按压工序。

5.

发明授权
半导体装置的制造方法及倒装片安装用粘接剂有权

公开(公告)号：CN104170070B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201380013477.7

申请日：2013-08-05

申请人： 积水化学工业株式会社

发明人： 胁冈纱香 , 中川弘章 , 西村善雄 , 定永周治郎

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/29 , C08K9/06 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L21/76841 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29387 , H01L2224/2949 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81444 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/83091 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/83986 , H01L2224/9205 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/20106 , H01L2924/3512 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012

摘要： 本发明的目的在于，提供能够通过抑制孔隙来实现高可靠性的半导体装置的制造方法。此外，本发明的目的还在于，提供在该半导体装置的制造方法中使用的倒装片安装用粘接剂。本发明的半导体装置的制造方法具有如下工序：工序1，使形成有突起电极的半导体芯片隔着粘接剂与基板对位，其中，所述突起电极具有由焊料形成的前端部；工序2，将上述半导体芯片加热到焊料熔点以上的温度，使上述半导体芯片的突起电极与上述基板的电极部熔融接合，同时使上述粘接剂临时粘接；以及工序3，在加压气氛下对上述粘接剂进行加热而除去孔隙，上述粘接剂利用差示扫描量热测定及小泽法所求出的活化能ΔE为100kJ/mol以下、于260℃经过2秒后的反应率为20％以下，于260℃经过4秒后的反应率为40％以下。

6.

发明授权
一种芯片封装组件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN104701272B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510126379.5

申请日：2015-03-23

申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

发明人： 叶佳明 , 申屠军立

IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/50

CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/565 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/49805 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/131 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29166 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32 , H01L2224/32227 , H01L2224/32502 , H01L2224/33181 , H01L2224/73253 , H01L2224/81801 , H01L2224/83805 , H01L2224/92242 , H01L2924/0133 , H01L2924/0665 , H01L2924/182 , H01L2924/186 , H01L2924/30101 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2224/81

摘要： 本申请提供了一种芯片封装组件及其制造方法，在本发明提供的芯片封装组件中，通过将用于与芯片第三表面和第四表面上的电极分别与位于芯片上下方和上方的第一组内引脚、第二组内引脚以及层间内引脚引出，再通过位于塑封体侧面且延伸至封装组件最底面或最顶面的第一组外引脚、第二组外引脚、层间外引脚组与第一组件内引脚、第二组内引脚、层间内引脚组电连接，以将芯片上的电极引到所述封装组件的外部，以用于与外部电路电连接，可有效的减小了芯片的封装面积和厚度，提高了芯片封装的效率，以及通过内引脚和外引脚引出电极的方式可有效减小了芯片封装的寄生电阻，且封装组件的外引脚均裸露在塑封体之外，有利于提高封装组件的散热性。

7.

发明授权
切割带集成晶片背面保护膜有权

公开(公告)号：CN104465515B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410568379.6

申请日：2010-01-29

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 高本尚英

IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , H01L23/544 , H01L21/68

CPC分类号： H01L21/6835 , H01L23/544 , H01L24/81 , H01L2223/5448 , H01L2224/16225 , H01L2224/27436 , H01L2224/81801 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , Y10T428/1467 , H01L2224/0401

摘要： 本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的，并且所述有色晶片背面保护膜具有3GPa以上的弹性模量(23℃)。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。

8.

发明公开
在基板与管芯之间包括光敏填料的集成器件封装有权

公开(公告)号：CN107004612A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066082.2

申请日：2015-12-10

申请人： 高通股份有限公司

发明人： V·诺维斯基 , M·P·沙哈 , R·库马

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5283 , H01L23/3157 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/03602 , H01L2224/03914 , H01L2224/05546 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/1111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11438 , H01L2224/13007 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16013 , H01L2224/16014 , H01L2224/16111 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/2711 , H01L2224/27438 , H01L2224/29006 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81101 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2924/2064 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 一种包括管芯、基板、填料以及导电互连的集成器件封装。管芯包括柱，其中柱具有第一柱宽度。基板(例如，封装基板、中介体)包括介电层和基板互连(例如，表面互连、嵌入式互连)。填料位于管芯与基板之间。导电互连位于填料内。导电互连包括与第一柱宽度大致相同或比其小的第一互连宽度。导电互连被耦合至柱和基板互连。填料是非导电光敏材料。填料是光敏膜。基板互连包括等于或大于第一柱宽度的第二互连宽度。导电互连包括至少糊剂、焊料和/或包括聚合材料的增强型焊料中的一者。

9.

发明授权
半导体封装中的CTE适配有权

公开(公告)号：CN103489850B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310225207.4

申请日：2013-06-07

申请人： 英特尔德国有限责任公司

发明人： T.迈耶 , G.奥夫纳 , S.施特克尔

IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/02 , H01L23/3171 , H01L23/5329 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02317 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/1148 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/301 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H05K3/3436 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/07811 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体封装中的CTE适配。提出了一种诸如晶片级封装（WLP）器件之类的器件，其中，电介质层被布置在半导体器件的表面和重分布层（RDL）的表面之间。所述电介质层可以具有延伸穿过电介质层的至少一个互连。所述电介质层可以具有垂直于半导体器件的表面的方向上的小于阈值的热膨胀系数（CTE）值，以及大于另一个阈值的杨氏模量。所述电介质层在平行于半导体器件的表面的方向上在面对RDL的电介质层的表面处可以具有大于另一个阈值的CTE值。