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公开(公告)号：CN106030783B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201480076416.X
申请日：2014-03-27
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H01L24/73 , H01L21/4867 , H01L23/49816 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/05147 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/0569 , H01L2224/11 , H01L2224/13014 , H01L2224/13026 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/29026 , H01L2224/29109 , H01L2224/29113 , H01L2224/73104 , H01L2224/92143 , H01L2924/014
摘要： 文中描述了与具有提高的z高度和降低的回流温度的互连有关的设备、过程和系统。在实施例中，互连可以包括焊料球和用以将焊料球耦合至基板的焊料膏。焊料球和/或焊料膏可以由具有相对低的熔点的合金和具有相对高的熔点的合金构成。
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公开(公告)号：CN109791920A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780058209.5
申请日：2017-08-18
申请人： 原子能和替代能源委员会
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/10145 , H01L2224/11472 , H01L2224/1148 , H01L2224/11602 , H01L2224/1182 , H01L2224/13007 , H01L2224/13011 , H01L2224/13012 , H01L2224/13014 , H01L2224/13019 , H01L2224/13023 , H01L2224/13078 , H01L2224/13147 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13171 , H01L2224/13184 , H01L2224/13186 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/1601 , H01L2224/81099 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2224/81345 , H01L2224/81898 , H01L2225/06513 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01014 , H01L2924/049 , H01L2924/01074 , H01L2924/04941
摘要： 本发明涉及一种通过第一部件(100)与第二部件(200)的混合进行电连接的方法。方法包括以下步骤：形成分别与第一部件(100)的连接区域(110，120)接触的延性材料的垫(111，121)；形成与第二部件(200)的连接区域(210，220)接触的导电材料的插入件(211，221)；形成布置在插入件(211，221)之间并且彼此电绝缘的混合屏障(212，222)，在第一部件(100)的连接区域(210，220)与第二部件(200)的连接区域连接期间，所述第一混合屏障和第二混合屏障(212，222)通过将延性材料的垫(111，121)的变形包含在内而用作屏障。本发明还涉及两个连接部件(100，200)的组件(1)。
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公开(公告)号：CN105765716B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201580002601.9
申请日：2015-04-01
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： H01L25/115 , H01L23/049 , H01L23/053 , H01L23/15 , H01L23/16 , H01L23/24 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/48 , H01L23/4924 , H01L23/49805 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/5386 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2023/4087 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16237 , H01L2224/16257 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81424 , H01L2224/81447 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/17747 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/014 , H01L2224/48
摘要： 功率半导体模块(1)在筐体(2)内具备将半导体元件(5)的正面电极与绝缘基板(3)的电路板(33)电连接的布线部件(10)。设置在筐体(2)的第二树脂(15)覆盖布线部件(10)，并且设为布线部件(10)附近的高度。在筐体(2)内的第二树脂(15)与第一盖(12)之间设有覆盖外部端子(9a)、(9b)周围的罩(13)。在筐体(2)的开口部设有比第一盖(12)更靠近外侧的第二盖(14)，在第二盖(14)与第一盖(12)之间填充有第一树脂(11)。
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公开(公告)号：CN106169463B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201610329719.9
申请日：2016-05-18
申请人： 普罗科技有限公司
IPC分类号： H01L23/552
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L21/6836 , H01L24/14 , H01L2221/68381 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025
摘要： 本发明提供一种形成电磁干扰屏蔽层的方法和用于所述方法的基带，且更确切地说，提供一种在具有下表面(在下表面上形成多个焊料球)的BGA半导体封装的上表面和侧表面上形成用于阻挡EMI的屏蔽层的方法以及在所述方法中使用的基带。该方法包括：提供球栅阵列半导体封装；提供基带；通过抵着基带按压球栅阵列半导体封装；通过在封装‑带组合件上溅镀导电层；从封装‑带组合件移除基带。根据形成BGA半导体封装的EMI屏蔽层的方法，可以通过使用基带在BGA半导体封装上快速地、容易地且有效地形成EMI屏蔽层，由此不仅提高过程效率而且显着减少制造成本。
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公开(公告)号：CN103247587B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201210244569.3
申请日：2012-07-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05012 , H01L2224/05013 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/1131 , H01L2224/1134 , H01L2224/114 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1161 , H01L2224/11616 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13011 , H01L2224/13012 , H01L2224/13014 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13664 , H01L2224/13671 , H01L2224/13672 , H01L2224/1601 , H01L2224/16237 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/15787 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/00012 , H01L2224/10125 , H01L2224/10155 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了用于阻止裂纹的系统和方法。一种实施例包括将止裂器置入半导体管芯和衬底之间的连接件。止裂器可以为空心或者实心圆柱形并且可被放置成便于阻止穿过止裂器的任何裂纹扩展。本发明还公开了互连止裂器结构及方法。
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公开(公告)号：CN103066053B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201210078637.3
申请日：2012-03-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01L24/16 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/061 , H01L2224/06132 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13027 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13541 , H01L2224/1405 , H01L2224/141 , H01L2224/16105 , H01L2224/16237 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/206 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及一种集成电路的连接件结构，其中，一种管芯包括衬底、衬底之上的金属焊盘和覆盖金属焊盘的边缘部分的钝化层。金属柱形成在金属焊盘的上方。金属柱的一部分与金属焊盘的一部分重叠。金属柱的中心与金属焊盘的中心没有对准。
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公开(公告)号：CN103547408B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201280024585.X
申请日：2012-03-28
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/0244 , B23K1/0016 , B23K35/0222 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B32B15/018 , C22C13/00 , H01L23/3114 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13169 , H01L2224/16225 , H01L2224/81815 , H01L2924/01015 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/2076 , H05K3/3463 , H05K2201/10734 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/207 , H01L2924/00014
摘要： 提供一种焊料球，其为抑制焊料球的接合界面的界面剥离并抑制焊料球与焊膏之间产生的未熔合的、电子部件落下时的故障模式低的焊料球，为镀Au等的Ni电极部与在Cu上涂布有水溶性预焊剂的Cu电极部均可使用的焊料球。本发明为一种无铅焊料球，其为Ag0.5～1.1质量%、Cu0.7～0.8质量%、Ni0.05～0.08质量%、余量Sn的BGA、CSP的电极用无铅焊料球，无论被接合的印刷电路板为Cu电极，还是表面处理使用镀Au、镀Au/Pd的Ni电极，落下冲击性都良好。进而，该组成中还可以以总计0.003～0.1质量%添加一种以上选自Fe、Co、Pt中的元素，或者以总计0.003～0.1质量%添加一种以上选自Bi、In、Sb、P、Ge中的元素。
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公开(公告)号：CN104299952B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310464580.5
申请日：2013-10-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/02125 , H01L2224/02331 , H01L2224/02351 , H01L2224/02375 , H01L2224/02377 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05548 , H01L2224/05552 , H01L2224/05557 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13006 , H01L2224/13014 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/1411 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3841 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/05624 , H01L2224/05669 , H01L2224/05666 , H01L2224/0346 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要： 本发明提供了用于形成半导体管芯的机制的实施例。半导体管芯包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的保护层。半导体管芯还包括共形地形成在保护层上方的导电层和形成在导电层中的凹槽。凹槽环绕导电层的区域。半导体管芯还包括形成在被凹槽围绕的导电层区域上方的焊料凸块。本发明还提供了在宽金属焊盘上方形成凸块结构的机制。
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公开(公告)号：CN106169463A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610329719.9
申请日：2016-05-18
申请人： 普罗科技有限公司
IPC分类号： H01L23/552
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L21/6836 , H01L24/14 , H01L2221/68381 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025
摘要： 本发明提供一种形成电磁干扰屏蔽层的方法和用于所述方法的基带，且更确切地说，提供一种在具有下表面(在下表面上形成多个焊料球)的BGA半导体封装的上表面和侧表面上形成用于阻挡EMI的屏蔽层的方法以及在所述方法中使用的基带。该方法包括：提供球栅阵列半导体封装；提供基带；通过抵着基带按压球栅阵列半导体封装；通过在封装‑带组合件上溅镀导电层；从封装‑带组合件移除基带。根据形成BGA半导体封装的EMI屏蔽层的方法，可以通过使用基带在BGA半导体封装上快速地、容易地且有效地形成EMI屏蔽层，由此不仅提高过程效率而且显着减少制造成本。
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公开(公告)号：CN103354951B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201180067223.4
申请日：2011-12-08
申请人： 德塞拉股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/14 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/528 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 微电子元件(10)包括第一表面(22)和第一薄导电元件(52)，第一薄导电元件(52)在第一表面(22)暴露且具有由第一区域和第二区域组成的工作面(54)。具有与工作面(54)的第一区域连接并覆盖该区域的基底(58)的第一导电突起(56)延伸至远离基底的端部(62)。第一介电材料层(40)覆盖第一薄元件(52)的第二区域，并至少与第一导电突起(56)的基底(58)接触。组件(10)进一步包括第二基板(18)，第二基板具有第二工作面(24)和从第二工作面(24)向外延伸的第二导电突起(76)。第一易熔金属块(70)使第一突起(56)与第二突起(76)连接，并沿第一突起(56)的边缘朝第一介电材料层(40)延伸。
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