公开(公告)号：CN105980087B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201480074919.3

申请日：2014-02-04

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 川崎浩由 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F9/08 ,  B22F9/14 ,  B23K35/14 ,  H01L21/60 ,  B23K1/00

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F9/082 ,  B22F9/14 ,  B22F2009/0848 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K2101/42 ,  C22C9/00 ,  C22C19/03 ,  C22F1/08 ,  C22F1/10 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13338 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13363 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1337 ,  H01L2224/13371 ,  H01L2224/13372 ,  H01L2224/13373 ,  H01L2224/13376 ,  H01L2224/13378 ,  H01L2224/13379 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/13383 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/041 ,  B22F2202/13 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01004

摘要： 制造抑制了所释放的α射线量的金属球。包括如下工序：将纯金属在比作为去除对象的杂质的沸点高、比纯金属的熔点高、且比纯金属的沸点低的温度下进行加热而使纯金属熔融的工序；将熔融的纯金属造球成为球状的工序，其中，该纯金属与在纯金属所含的杂质中作为去除对象的杂质的对应于气压的沸点相比具有更高的沸点，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，纯度为99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的总量为1ppm以上。

公开(公告)号：CN105762128A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610173414.3

申请日：2011-08-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭庭豪 ,  陈玉芬 ,  陈承先 ,  余振华 ,  吴胜郁 ,  庄其达

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/14141 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485

摘要： 本发明提供了一种用于半导体器件的伸长凸块结构。最上方保护层中具有穿过该保护层的开口。在开口中形成有柱状物，并且该柱状物延伸至最上方保护层的至少一部分上方。延伸到最上方保护层上方的部分通常为伸长形状。在实施例中，相对于凸块结构的部分的开口的部分延伸到最上方保护层上方，使得从开口的边缘到凸块的边缘的距离与凸块结构的长度的比率大于或者等于大约0.2。在另一实施例中，开口的位置相对于凸块的中心产生偏移。

公开(公告)号：CN103985667A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201310556722.0

申请日：2013-11-11

申请人： 财团法人交大思源基金会

发明人： 陈智 ,  刘道奇 ,  黄以撒 ,  刘健民

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83208 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81

摘要： 本发明是有关于一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构及其制备方法，其中制备方法包括：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板上设有一第一铜膜，第二基板上设有一第一金属膜，第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将第一铜膜及第一金属膜相互接合以形成接点，其中第一铜膜的第一接合面与第一金属膜的第二接合面相互对应。

公开(公告)号：CN103547408A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024585.X

申请日：2012-03-28

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 大西司 ,  山中芳惠 ,  立花贤

IPC分类号： B23K35/26 ,  B23K35/14 ,  C22C13/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B32B15/018 ,  C22C13/00 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/2076 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供一种焊料球，其为抑制焊料球的接合界面的界面剥离并抑制焊料球与焊膏之间产生的未熔合的、电子部件落下时的故障模式低的焊料球，为镀Au等的Ni电极部与在Cu上涂布有水溶性预焊剂的Cu电极部均可使用的焊料球。本发明为一种无铅焊料球，其为Ag0.5～1.1质量%、Cu0.7～0.8质量%、Ni0.05～0.08质量%、余量Sn的BGA、CSP的电极用无铅焊料球，无论被接合的印刷电路板为Cu电极，还是表面处理使用镀Au、镀Au/Pd的Ni电极，落下冲击性都良好。进而，该组成中还可以以总计0.003～0.1质量%添加一种以上选自Fe、Co、Pt中的元素，或者以总计0.003～0.1质量%添加一种以上选自Bi、In、Sb、P、Ge中的元素。

公开(公告)号：CN101958289B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201010265667.6

申请日：2006-07-31

申请人： 米辑电子股份有限公司

发明人： 林茂雄 ,  罗心荣 ,  周秋明 ,  周健康 ,  陈科宏

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/525 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： 本发明涉及一种半导体组件，其结构在此半导体基底的顶部表面上设有至少一接垫；一保护层(passivation layer)是位于半导体基底的顶部表面上，且位于此保护层内的至少一开口暴露出接垫；及一金属层是堆栈形成在接垫上。

公开(公告)号：CN101681964A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880018019.1

申请日：2008-05-07

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 赫尔穆特·菲舍尔 ,  迪特尔·艾斯勒 ,  亚历山大·海因德尔

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/68

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/12 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提出了一种用于制造光电子器件(1)的方法，其中提供多个分别带有半导体层序列的半导体本体(2)。此外提供带有多个连接面(35)的器件支承复合结构(30)。将半导体本体(2)相对于器件支承复合结构(30)定位。在连接面(35)与关联的半导体本体(2)之间建立导电连接，并且将该半导体本体固定在器件支承复合结构(30)上。光电子器件(2)被制成，其中针对每个光电子器件(1)都构建有器件支承复合结构(30)构成的器件支承体(3)，半导体本体(2)固定在该器件支承复合结构上。此外提出了一种光电子器件。

公开(公告)号：CN104022090B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201310064575.5

申请日：2013-02-28

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 陈国华 ,  林慈桦 ,  陈冠能 ,  黄彦斌

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明关于一种半导体接合结构及方法，以及半导体芯片。该半导体接合结构依序包括一第一柱体、一第一界面、一中间区域、一第二界面及一第二柱体。该第一柱体、该第二柱体及该中间区域包含一第一金属。该第一界面及该第二界面包含该第一金属及一第二金属氧化物，其中该第一金属在该第一界面及该第二界面中的含量比例小于该第一金属在该中间区域中的含量比例。

公开(公告)号：CN103855124B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310597577.0

申请日：2013-11-22

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金钟薰 ,  裴弼淳

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/03312 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0579 ,  H01L2224/05839 ,  H01L2224/05847 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：半导体结构，在其一个表面上形成有用于暴露焊盘的开口；第一导电层，形成在开口中以使半导体结构的一个表面更加均匀；以及导电图案，形成在半导体结构的部分的一个表面上，该一个表面包括第一导电层。

公开(公告)号：CN104425389B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410446263.5

申请日：2014-09-03

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 服部贵洋 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： B23K1/203 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13605 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/13616 ,  H01L2224/13617 ,  H01L2224/13618 ,  H01L2224/1362 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13638 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1366 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/384 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10234 ,  H05K2201/10621 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2203/041 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01015

摘要： 本发明涉及凸块电极、凸块电极基板以及其制造方法，研究焊料镀层的熔融工序，以便在电极焊盘上可以将成为凸块电极的核层的Cu球的中心在其水平截面上再现性良好地配置于所包覆的焊料的外壳的中心。具备接合于电极焊盘(12)上、施加焊料(14)到成为核层的Cu球(13)上的凸块电极(30)，在凸块电极(30)涂布助焊剂(16)之后，搭载于电极焊盘(12)上，加热电极焊盘(12)以及Cu核球而将焊料镀层(24)熔融的熔融工序中，将搭载有电极焊盘(12)以及Cu核球的基板(11)的加热率设定为0.01[℃/sec]以上～不足0.3[℃/sec]的范围。

公开(公告)号：CN103107150B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210022531.1

申请日：2012-02-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 邱志威 ,  王姿予 ,  吴伟诚 ,  刘淳亦 ,  胡宪斌 ,  侯上勇

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5256 ,  H01L23/5382 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

摘要： 本发明公开了用于半导体器件的中介层及其制造方法。在一个实施例中，一种中介层包括：衬底；在衬底上设置的接触焊盘；以及位于衬底中的连接至接触焊盘的第一通孔；连接至第一通孔的第一熔丝；位于衬底中的连接至接触焊盘的第二通孔；以及连接至第二通孔的第二熔丝。