公开(公告)号：CN106920787B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201611055735.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈承先 ,  黄育智 ,  陈玉芬 ,  潘国龙 ,  郑余任 ,  李明机 ,  普翰屏 ,  张纬森

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包含：半导体衬底；导电垫，其位于所述半导体衬底上；及第一电介质，其位于所述半导体衬底上方。所述半导体装置还包含：导电层，其放置于所述第一电介质中；及第二电介质，其放置于所述导电层上。在所述半导体装置中，所述导电层的至少一部分从所述第一电介质及所述第二电介质暴露。所述半导体装置进一步包含导电迹线，所述导电迹线部分地位于所述第二电介质上方且与所述导电层的所述经暴露部分接触。在所述半导体装置中，所述导电迹线在一端处连接到所述导电垫。

公开(公告)号：CN107133556B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201710096151.5

申请日：2017-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  陈玉芬 ,  陈志华 ,  蔡豪益 ,  刘重希

IPC: G06K9/00 ,  H01L23/522 ,  H01L25/16

Abstract: 本揭露提供一种制造半导体装置的方法和半导体装置。半导体装置包括：传感器芯片；贯穿通路，电连接传感器芯片的第一侧与位在传感器芯片的第二侧上的导电元件，第二侧与第一侧相对；高电压芯片，与贯穿通路电连接；以及衬底，与贯穿通路电连接，其中高电压芯片位于衬底的开口内。

公开(公告)号：CN107221521B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201610455147.9

申请日：2016-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 ,  陈志华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  郭宏瑞 ,  蔡惠榕 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体封装，具有第一重分布层、第一晶粒、第二重分布层以及表面涂布层。第一晶粒包覆在封胶材料内且设置在第一重分布层上并与第一重分布层电连接。第二重分布层设置在封胶材料上、第一晶粒上并与第一晶粒电连接。第二重分布层包括具有至少一接触垫的最顶金属化层，而至少一接触垫包括凹部。表面涂布层覆盖最顶金属化层的一部分且暴露至少一接触垫的凹部。

公开(公告)号：CN107026092B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201611019343.8

申请日：2016-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄育智 ,  陈志华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  林志伟 ,  蔡豪益 ,  陈玉芬 ,  郑余任

IPC: H01L21/50 ,  H01L25/16 ,  G06K9/00

Abstract: 本发明实施例提供制造指纹扫描器的方法以及半导体装置。实施例包含囊封于所述指纹传感器封装内的传感器与传感器表面材料。所述传感器的电极阵列是使用贯穿通路而电连接或经由其它连接(例如线接合)而连接，所述贯穿通路位于所述传感器中、与所述传感器分离的连接块中、或穿过连接块。附接高电压裸片，以增加所述指纹传感器的灵敏性。

公开(公告)号：CN104051386B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201310389008.7

申请日：2013-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐语晨 ,  林俊宏 ,  陈玉芬 ,  普翰屏

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种封装件，包括具有顶面的第一封装部件、接合至第一封装部件顶面的第二封装部件，以及位于第一封装部件顶面的多个电连接件。模塑料位于第一封装部件的上方并且将第二封装部件模塑在其中。模塑料包括与第二封装部件重叠的第一部分，其中，第一部分包括第一顶面；以及第二部分，第二部分包围第一部分并且将多个电连接件的底部模塑在其中。第二部分具有低于第一顶面的第二顶面。本发明还提供了具有模塑料形成的台阶的封装件。

公开(公告)号：CN104425419B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310594171.7

申请日：2013-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 ,  吴凯强 ,  吕俊麟 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的多个接触焊盘。接触焊盘被布置为球栅阵列（BGA），并且BGA包括多个拐角。金属坝被设置在BGA的多个拐角中的每一个拐角周围。

公开(公告)号：CN107221521A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201610455147.9

申请日：2016-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 ,  陈志华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  郭宏瑞 ,  蔡惠榕 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体封装，具有第一重分布层、第一晶粒、第二重分布层以及表面涂布层。第一晶粒包覆在封胶材料内且设置在第一重分布层上并与第一重分布层电连接。第二重分布层设置在封胶材料上、第一晶粒上并与第一晶粒电连接。第二重分布层包括具有至少一接触垫的最顶金属化层，而至少一接触垫包括凹部。表面涂布层覆盖最顶金属化层的一部分且暴露至少一接触垫的凹部。

公开(公告)号：CN107026154A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611219635.6

申请日：2016-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志华 ,  陈玉芬 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/98

Abstract: 在一个实施例，半导体结构包括多芯片封装件系统(MCPS)。MCPS包括一个或多个管芯、沿着一个或多个管芯的侧壁延伸的模塑料、以及位于一个或多个管芯和模塑料上方的再分布层(RDL)。半导体结构还包括连接至RDL的至少一个传感器，RDL插入在至少一个传感器和一个或多个管芯之间。半导体结构还包括具有在衬底的第一侧上的导电部件的衬底。导电部件连接至RDL。衬底具有从衬底的第一侧延伸至衬底的与第一侧相对的第二侧的空腔，并且至少一个传感器设置在空腔中。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN103295986B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210189750.9

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈玉芬 ,  林俊宏 ,  普翰屏 ,  郑明达 ,  吴凯强

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了形成用于堆叠封装件的连接件的机构。形成用于堆叠封装件的连接件的机构的所述实施例能够实现具有更细间距的更小连接件，该连接件实现了更小的封装件尺寸以及额外的连接。一个封装件上的导电元件部分地嵌入在该封装件的模塑料中从而与另一个封装件上的接触件或金属焊盘相接合。通过嵌入导电元件，可以将导电元件制造得更小并且在导电元件和模塑料之间不具有间隙。可以通过向连接件的最大宽度加入间隔边距来确定连接件的间距。其他封装件上的各种类型的接触件可以与导电元件相接合。

公开(公告)号：CN103107152B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210041605.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  陈玉芬 ,  林宗澍 ,  普翰屏 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

Abstract: 芯片级半导体器件包括半导体管芯、第一凸块和第二凸块。具有第一直径和第一高度的第一凸块形成在半导体管芯的外部区域上。具有第二直径和第二高度的第二凸块形成在半导体管芯的内部区域上。第二直径大于第一直径，而第二高度与第一高度相同。通过改变凸块的形状，可以重新分配整个凸块的应力和应变。因此，提高了芯片级半导体器件的热循环可靠性。本发明还提供了一种用于芯片级封装的凸块。