公开(公告)号：CN115527926A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210811825.6

申请日：2022-07-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖彦锟 ,  吴逸文 ,  张国钦 ,  蔡柏豪 ,  李明机

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485

摘要： 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法，制造半导体器件的方法包括：在顶部再分布结构上方沉积第一钝化层，顶部再分布结构位于半导体管芯上方；在第一钝化层上方沉积第二钝化层；形成穿过第二钝化层的第一开口，第一开口具有垂直于第一钝化层的侧壁；将第一开口再成形为第二开口，其中，第二开口具有相对于第一钝化层的喇叭形侧壁；形成穿过第一钝化层的第三开口，其中，第三开口具有与喇叭形侧壁不同的斜率；以及用导电材料填充第二开口和第三开口。

公开(公告)号：CN111081683B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201910779620.2

申请日：2019-08-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曾俊凯 ,  林政仁 ,  赵永清 ,  郑明达 ,  李明机

IPC分类号： H01L23/64

摘要： 根据本申请的实施例，提供了形成集成电路结构的方法，包括形成第一磁性层，在第一磁性层上方形成第一导线，以及在第一磁性层上涂覆光敏涂层。光敏涂层包括位于第一导线正上方的第一部分，以及从第一导线偏移的第二部分。第一部分连接至第二部分。该方法还包括对光敏涂层的第一部分实施第一曝光，对光敏涂层的第一部分和第二部分实施第二曝光，显影光敏涂层，以及在光敏涂层上方形成第二磁性层。本申请的实施例还提供了其他形成集成电路结构的方法以及集成电路结构。

公开(公告)号：CN110379717B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201910448386.5

申请日：2016-12-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈承先 ,  吴胜郁 ,  李明机 ,  庄其达

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

摘要： 本发明实施例提供了一种连接件结构及其形成方法。该方法包括在工件上形成第一图案化的钝化层，第一图案化的钝化层具有暴露工件的导电部件的开口。在第一图案化的钝化层上方及第一开口中形成晶种层。在晶种层上方形成图案化的掩模层，图案化的掩模层具有暴露晶种层的第二开口，第二开口与第一开口重叠。在第二开口中形成连接件。部分地去除图案化的掩模层，图案化的掩模层的未去除部分保留在第一开口中。使用图案化的掩模层的未去除部分作为掩模来图案化晶种层。本发明实施例涉及连接件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN111081683A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910779620.2

申请日：2019-08-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曾俊凯 ,  林政仁 ,  赵永清 ,  郑明达 ,  李明机

IPC分类号： H01L23/64

摘要： 根据本申请的实施例，提供了形成集成电路结构的方法，包括形成第一磁性层，在第一磁性层上方形成第一导线，以及在第一磁性层上涂覆光敏涂层。光敏涂层包括位于第一导线正上方的第一部分，以及从第一导线偏移的第二部分。第一部分连接至第二部分。该方法还包括对光敏涂层的第一部分实施第一曝光，对光敏涂层的第一部分和第二部分实施第二曝光，显影光敏涂层，以及在光敏涂层上方形成第二磁性层。本申请的实施例还提供了其他形成集成电路结构的方法以及集成电路结构。

公开(公告)号：CN104037098B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201310226454.6

申请日：2013-06-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 孟宪樑 ,  林威宏 ,  梁裕民 ,  何明哲 ,  郭宏瑞 ,  刘重希 ,  李明机

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/7806 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种封装结构及其形成方法。通过选择性地将两个载体衬底接合在一起以及同时处理两个载体衬底来形成诸如中介层的封装结构。处理包括在载体衬底上方形成牺牲层。在牺牲层中形成开口且在开口中形成柱状物。衬底接合到牺牲层。再分配线可形成在衬底的相对侧上，并且可形成孔以提供至柱状物的电接触件。可进行分离工艺以将载体衬底分离开。集成电路管芯可附接到再分布线的一侧，然后去除牺牲层。本发明还公开了封装结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN105097567A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510427008.0

申请日：2009-06-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王宗鼎 ,  李建勋 ,  陈承先 ,  赵智杰 ,  李明机 ,  郭祖宽

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L23/481 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种制造半导体器件的方法，提供第一器件，所述第一器件包括第一穿透硅通孔(TSV)结构；在所述第一器件上方形成第一涂层材料，其中，所述第一涂层材料在所述第一器件上方连续地延伸并且覆盖所述第一穿透硅通孔结构；将第二器件设置在所述第一器件上方以及所述第一涂层材料内，其中，所述第二器件包括第二穿透硅通孔结构和多个导电凸点，设置所述第二器件包括所述多个导电凸点位于所述第一涂层材料内；在所述第二器件上方形成第二涂层材料；将第三器件设置在所述第二涂层材料上方；对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行预处理；以及此后，同一处理中对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行固化。

公开(公告)号：CN104037143A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310364727.3

申请日：2013-08-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  李明机 ,  陈承先 ,  曾裕仁

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种封装件以及制造封装件的方法。实施例封装件包括支撑导电柱的集成电路，具有在每个嵌入式金属迹线上的接触焊盘的衬底，接触焊盘宽度大于相应的嵌入式金属迹线宽度，以及将导电柱电连接至接触焊盘的导电材料。在实施例中，接触焊盘与金属迹线在一个方向上相重叠。本发明还公开了具有与接触焊盘重叠的嵌入式金属迹线的衬底的封装件。

公开(公告)号：CN103311202A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210209937.0

申请日：2012-06-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  李明机 ,  李建勋 ,  陈永庆

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01079

摘要： 一种器件包括衬底、衬底上方的焊盘。保护层设置在接合焊盘上方。保护层和接合焊盘包括不同的材料。接合焊球设置在保护层上方。接合引线连接至焊球。本发明还提供了集成电路的引线接合结构。

公开(公告)号：CN103050461A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210192147.6

申请日：2012-06-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 梁世纬 ,  陈宪伟 ,  陈英儒 ,  于宗源 ,  李明机

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件包括：依次形成在半导体衬底上的钝化层、第一保护层、互连层、以及第二保护层。互连层具有暴露部分，在该暴露部分上形成有阻挡层和焊料凸块。钝化层、第一保护层、互连层和第二保护层中的至少一层包括形成在导电焊盘区域之外的区域中的至少一个槽状件。本发明提供了钝化后互连结构。

公开(公告)号：CN103000593A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210190004.1

申请日：2012-06-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林志伟 ,  郑明达 ,  吕文雄 ,  林修任 ,  张博平 ,  刘重希 ,  李明机 ,  余振华 ,  陈孟泽 ,  林俊成 ,  蔡钰芃 ,  黄贵伟 ,  林威宏

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/52 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了用于半导体器件的封装方法和结构。在一个实施例中，封装的半导体器件包括再分布层(RDL)，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。至少一个集成电路连接至RDL的第一表面，以及多个金属凸块连接至RDL的第二表面。模塑料被设置在至少一个集成电路和RDL的第一表面的上方。