公开(公告)号：CN107611100A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201610812256.1

申请日：2016-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯皓程 ,  李建勋 ,  余振华 ,  刘重希 ,  郑荣伟 ,  黄炳刚 ,  邱绍玲 ,  王宗鼎

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18162

Abstract: 一种整合扇出型封装，其包括芯片模块、第二集成电路、第二绝缘包封体以及重布线路结构。芯片模块包括第一绝缘包封体以及嵌于第一绝缘包封体中的至少一第一集成电路，第一集成电路包括第一表面以及分布于第一表面上的多个第一导电端子。第二集成电路包括第二表面以及分布于第二表面上的多个第二导电端子。芯片模块与第二集成电路嵌于第二绝缘包封体中。第一导电端子以及第二导电端子藉由第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体而暴露。重布线路结构覆盖第一表面、第二表面、第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体。重布线路结构与第一导电端子以及第二导电端子电性连接。此外，整合扇出型封装的制造方法亦被提出。

公开(公告)号：CN104051382B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310294054.9

申请日：2013-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李建勋 ,  郑荣伟 ,  侯皓程 ,  王宗鼎 ,  吴俊毅 ,  宋明忠

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了层叠封装结构及其形成方法，该方法包括压印底部封装件的焊球，其中在压印步骤之后，焊球的顶面变平。焊球模制在模制材料中。焊球的顶面通过模制材料中的沟槽露出。

公开(公告)号：CN103811355B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201310051231.0

申请日：2013-02-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  李建勋 ,  郑荣伟 ,  王宗鼎 ,  郑明达 ,  陈永庆

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/73 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文公开了具有模制底部填充物的叠层封装器件及其形成方法，该方法包括应用将管芯安装至载体封装件的第一侧的封装安装件。模制底部填充物可被应用在载体封装件的第一侧，并且与载体安装件的一部分和管芯侧壁的一部分接触。具有至少一个连接盘的顶部封装件可被安装至载体封装件的第一侧且位于管芯之上，并且可选地与管芯的顶面分离。可在应用模制底部填充物之前、期间或之后削平封装安装件，以可选地与底部填充物的表面齐平。与封装安装件接触的底部填充物区可位于与管芯侧壁接触的底部填充物区表面之下或之上。

公开(公告)号：CN102800600B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201110391058.X

申请日：2011-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄启铭 ,  王宗鼎

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/67126 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 实施例是用于半导体封装的方法。该方法包括：将芯片穿过夹具的第一侧面附接到载体基板，该芯片通过凸块附接；将球穿过夹具的第二侧面施加在载体基板上的接合焊盘；以及同时回流凸块和球。根据另一个实施例，封装夹具包括盖板、基座和连接件。盖板具有穿过该盖板的第一窗口。基座具有穿过该基座的第二窗口。第一窗口暴露出盖板和基座中间的体积的第一表面，而第二窗口暴露出该体积的第二表面。第一表面相对于体积与第二表面相对。连接件对齐和连接盖板与基座。本发明还公开了一种用于半导体封装的封装夹具及工艺。

公开(公告)号：CN105097567A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510427008.0

申请日：2009-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王宗鼎 ,  李建勋 ,  陈承先 ,  赵智杰 ,  李明机 ,  郭祖宽

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/481 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种制造半导体器件的方法，提供第一器件，所述第一器件包括第一穿透硅通孔(TSV)结构；在所述第一器件上方形成第一涂层材料，其中，所述第一涂层材料在所述第一器件上方连续地延伸并且覆盖所述第一穿透硅通孔结构；将第二器件设置在所述第一器件上方以及所述第一涂层材料内，其中，所述第二器件包括第二穿透硅通孔结构和多个导电凸点，设置所述第二器件包括所述多个导电凸点位于所述第一涂层材料内；在所述第二器件上方形成第二涂层材料；将第三器件设置在所述第二涂层材料上方；对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行预处理；以及此后，同一处理中对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行固化。

公开(公告)号：CN101958255B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010143185.3

申请日：2010-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨固峰 ,  吴文进 ,  邱文智 ,  王宗鼎

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明公开了一种超薄晶片加工处理的方法及薄晶片加工处理的产品，该方法包括下列步骤：提供一晶片，其具有多个半导体芯片，该晶片具有一第一侧以及一第二侧；使多个裸晶附着于该晶片的该第一侧，其中所述多个裸晶的其中之一接合于所述多个半导体芯片的其中之一；提供一晶片载盘，该晶片载盘附着于该晶片的该第二侧；以一平面支持层封装该晶片的该第一侧以及所述多个裸晶；使一第一粘着带附着于该平面支持层。本发明可得到较高的合格率以及较低的损坏率。

公开(公告)号：CN102024802A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010282274.6

申请日：2010-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李柏毅 ,  王宗鼎

IPC: H01L25/03 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供集成电路结构及其形成方法，该结构包含第一裸片，其包含穿透基底的导孔；第二裸片粘合至第一裸片之上，第一裸片具有一表面，面对第二裸片；以及模塑料，其包含一部分在第一裸片与第二裸片之上。模塑料接触第二裸片的表面，此外，模塑料包含一部分延伸至第二裸片的表面下方。本发明具有许多优点，借由让模塑料延伸至硅穿孔裸片面对顶端裸片的表面下方，可以降低在裸片切割工艺中发生脱层与裂开的可能性，因此可改善所产生的封装组件的可靠度。

公开(公告)号：CN101740553A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910222543.7

申请日：2009-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卿恺明 ,  萧景文 ,  王宗鼎 ,  曾明鸿 ,  陈承先

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/473 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/46 ,  H01L23/473 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括3DIC叠层中的冷却通道的集成电路结构，该管芯包括：半导体衬底；第一介电层，在半导体衬底之上；互连结构，包括介电层中的金属线和通孔；多个通道，从半导体衬底内部延伸到介电层内部；以及介电膜，在互连结构之上并密封多个通道的一部分。多个通道被配置为使液体流过其中。

公开(公告)号：CN101615585A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910150015.5

申请日：2009-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王宗鼎 ,  李建勋 ,  陈承先 ,  赵智杰 ,  李明机 ,  郭祖宽

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/481 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种制造半导体器件的方法，其中包括：提供第一器件、第二器件和第三器件；提供在第一器件和第二器件之间的第一涂层材料，所述第一涂层材料未经固化处理；提供在第二器件和第三器件之间的第二涂层材料；以及所述第二涂层材料未经固化处理；此后，在同一处理中对第一和第二涂层材料进行固化。

公开(公告)号：CN101308813A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200710199881.4

申请日：2007-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 普翰屏 ,  楼百尧 ,  王宗鼎 ,  萧景文 ,  卿恺明 ,  郭正铮 ,  邱文智 ,  鲁定中 ,  侯上勇

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种元件的制造方法。提供基底，包括多个芯片，芯片间是以切割线区域分隔，其中基底上至少形成一结构层。以黄光光刻和蚀刻工艺移除切割线区域中的部分结构层，形成多个开口。沿着切割线区域切割基底。在另一个实施例中，提供第一基底，其中第一基底上至少形成第一结构层。图形化第一结构层，于第一切割线区域中形成多个第一开口。提供第二基底，其中第二基底上至少形成第二结构层。图形化第二结构层，于第二切割线区域中形成多个第二开口。接合第一基底和第二基底，形成堆叠结构。沿着第一切割线区域和第二切割线区域切割堆叠结构。本发明提出的半导体元件的制造方法可减少切割工艺产生的剥离、崩缺或脱层等问题，改善生产合格率。