公开(公告)号：CN113097184B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202011521563.7

申请日：2020-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  刘仁福 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  林彦良 ,  黄子松

IPC: H10D80/30 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 在一个实施例中，一种结构包括：第一集成电路管芯，包括第一管芯连接器；第一介电层，位于第一管芯连接器上；第一导电过孔，延伸穿过第一介电层，第一导电过孔连接至第一管芯连接器的第一子集；第二集成电路管芯，利用第一可回流连接器接合至第一管芯连接器的第二子集；第一密封剂，围绕第二集成电路管芯和第一导电过孔，第一密封剂和第一集成电路管芯横向地相邻；第二导电过孔，与第一集成电路管芯相邻；第二密封剂，围绕第二导电过孔、第一密封剂、和第一集成电路管芯；以及第一再分布结构，包括第一再分布线，第一再分布线连接至第一导电过孔和第二导电过孔。本申请的实施例还提供一种形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN109786267B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201810609924.X

申请日：2018-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  林修任 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  郭庭豪 ,  林彦良

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528

Abstract: 在实施例中，器件包括：背侧再分布结构，背侧再分布结构包括：金属化图案，位于第一介电层上；以及第二介电层，位于金属化图案上；通孔，穿过第一介电层延伸以接触金属化图案；集成电路管芯，邻近第一介电层上的通孔；模塑料，位于第一介电层上，模塑料密封通孔和集成电路管芯；导电连接件，穿过第二介电层延伸以接触金属化图案，导电连接件电连接至通孔；以及金属间化合物，位于导电连接件和金属化图案的界面处，金属间化合物仅部分地延伸至金属化图案内。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。

公开(公告)号：CN109585404A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810141147.0

申请日：2018-02-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  郭庭豪 ,  林彦良 ,  黄子松

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 提供一种半导体封装，所述半导体封装包括第一装置封装，所述第一装置封装包括：第一重布线结构，包括第一重布线及第二重布线；管芯，位于第一重布线结构上；第一通孔，耦合到第一重布线的第一侧；第二通孔，耦合到第二重布线的第一侧且延伸穿过所述第二重布线；包封体，环绕管芯、第一通孔、及第二通孔；以及第二重布线结构，位于包封体之上，所述第二重布线结构电连接到管芯、第一通孔、及第二通孔。所述半导体封装还包括：第一导电连接件，耦合到第一重布线的第二侧，所述第一导电连接件沿与第一通孔的纵向轴线不同的轴线设置；第二导电连接件，耦合到第二重布线的第二侧，所述第二导电连接件沿第二通孔的纵向轴线设置。

公开(公告)号：CN103066053B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201210078637.3

申请日：2012-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜尚耘 ,  庄曜群 ,  曾明鸿 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/06132 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13541 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及一种集成电路的连接件结构，其中，一种管芯包括衬底、衬底之上的金属焊盘和覆盖金属焊盘的边缘部分的钝化层。金属柱形成在金属焊盘的上方。金属柱的一部分与金属焊盘的一部分重叠。金属柱的中心与金属焊盘的中心没有对准。

公开(公告)号：CN107665881A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201610932622.7

申请日：2016-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁世纬 ,  杜贤明 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿

IPC: H01L23/522 ,  H02J50/12

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括第一模塑层；第二模塑层，形成于所述第一模塑层上；第一导电线圈，包括连续形成于所述第一模塑层中的第一部分与连续形成于所述第二模塑层中的第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分彼此横向移置；以及第二导电线圈，形成于所述第二模塑层中。所述第二导电线圈与位于所述第二模塑层中的所述第一导电线圈的所述第二部分交织在一起。

公开(公告)号：CN107342268A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710165705.2

申请日：2017-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  黄子松 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  郭鸿毅

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/58

CPC classification number: H02J7/025 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/645 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H02J7/0042 ,  H02J50/10 ,  H04B5/0037 ,  H04B5/0075 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/585

Abstract: 本公开部分实施例提供一种半导体装置封装。半导体装置封装包括一半导体装置。半导体装置封装也包括配置用于在磁流通过时产生电流的一线圈。半导体装置封装还包括环绕半导体装置以及线圈的一成型材料。并且，半导体装置封装包括位于成型材料之上的一导电金属件。一开口形成于导电金属件之上。

公开(公告)号：CN101814477B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201010119558.3

申请日：2010-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾明鸿 ,  黃招胜

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了利用钝化后互连结构形成硅通孔的集成电路结构，包括：半导体衬底；硅通孔(TSV)，延伸到半导体衬底中；焊盘，形成在半导体衬底上方，并与TSV隔开；以及互连结构，形成在半导体衬底上方，并电连接TSV和焊盘。该互连结构包括形成在焊盘上的上部和与焊盘相邻的下部，并且上部延伸以电连接TSV。

公开(公告)号：CN101740553B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200910222543.7

申请日：2009-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卿恺明 ,  萧景文 ,  王宗鼎 ,  曾明鸿 ,  陈承先

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/473 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/46 ,  H01L23/473 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括3DIC叠层中的冷却通道的集成电路结构，该管芯包括：半导体衬底；第一介电层，在半导体衬底之上；互连结构，包括介电层中的金属线和通孔；多个通道，从半导体衬底内部延伸到介电层内部；以及介电膜，在互连结构之上并密封多个通道的一部分。多个通道被配置为使液体流过其中。

公开(公告)号：CN101728362B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200910119324.6

申请日：2009-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾明鸿 ,  卿恺明 ,  陈承先 ,  萧景文 ,  黃宏麟 ,  王宗鼎 ,  谢元智

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提出了一种堆叠半导体衬底的系统、结构和制造方法。第一衬底包括第一侧与第二侧。穿透衬底通孔从第一衬底的第一侧突出，穿透衬底通孔的第一突出部具有导电保护涂层，以及穿透衬底通孔的第二突出部具有隔离衬垫。该系统还包括第二衬底以及接合界面结构，其中接合界面结构在穿透衬底通孔的第一突出部的导电保护涂层处将所述第二衬底结合到第一衬底上。

公开(公告)号：CN115775787A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210797626.4

申请日：2022-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  江宗宪 ,  曾明鸿 ,  蔡豪益 ,  胡毓祥 ,  林志伟 ,  庄立朴 ,  蔡玮伦 ,  江铠名 ,  林敬尧 ,  李兆伟 ,  谢静华

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

Abstract: 一种形成封装件的方法包括在载体上方形成第一金属网；在第一金属网上方形成第一介电层；以及在第一介电层上方形成第二金属网。第一金属网和第二金属网交错。该方法还包括在第二金属网上方形成第二介电层，将器件管芯附接在第二介电层上方，其中，器件管芯与第一金属网和第二金属网重叠，将器件管芯密封在密封剂中，以及在器件管芯上方形成再分布线，并且将再分布线电连接至器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件。