公开(公告)号：CN115775787A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210797626.4

申请日：2022-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  江宗宪 ,  曾明鸿 ,  蔡豪益 ,  胡毓祥 ,  林志伟 ,  庄立朴 ,  蔡玮伦 ,  江铠名 ,  林敬尧 ,  李兆伟 ,  谢静华

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

Abstract: 一种形成封装件的方法包括在载体上方形成第一金属网；在第一金属网上方形成第一介电层；以及在第一介电层上方形成第二金属网。第一金属网和第二金属网交错。该方法还包括在第二金属网上方形成第二介电层，将器件管芯附接在第二介电层上方，其中，器件管芯与第一金属网和第二金属网重叠，将器件管芯密封在密封剂中，以及在器件管芯上方形成再分布线，并且将再分布线电连接至器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件。

公开(公告)号：CN107424940A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201611024387.X

申请日：2016-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张智浩 ,  廖信宏 ,  蔡豪益 ,  黄见翎 ,  张纬森 ,  江宗宪 ,  郭庭豪

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111

Abstract: 一种集成扇出型封装的制造方法包括下列步骤。将多个导电柱体放置在衬底的多个开孔中。提供具有黏合层在其上的载板。将开孔中的导电柱体贴附至黏合层上，以使站立状态的导电柱体被转移到载板上。将集成电路组件设置在具有导电柱体贴附在其上的黏合层上。形成绝缘包封体以包覆集成电路组件以及导电柱体。在绝缘包封体、集成电路组件以及导电柱体上形成重布线路结构，重布线路结构与集成电路组件以及导电柱体电性连接。移除载板。移除至少部分的黏合层以将导电柱体的表面暴露。在导电柱体被暴露的表面上形成多个导电端子。

公开(公告)号：CN107026094A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710057578.4

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  江宗宪 ,  蔡豪益 ,  郭鸿毅 ,  曾明鸿

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/58 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明涉及一种线圈结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，所述方法包含：在载体上方形成线圈，将所述线圈囊封于囊封材料中，将所述囊封材料的顶部表面平面化直到暴露所述线圈为止，在所述囊封材料及所述线圈上方形成至少一个电介质层，及形成延伸到所述至少一个电介质层中的多个重布线。所述多个重布线电耦合到所述线圈。

公开(公告)号：CN113097184B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202011521563.7

申请日：2020-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  刘仁福 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  林彦良 ,  黄子松

IPC: H10D80/30 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 在一个实施例中，一种结构包括：第一集成电路管芯，包括第一管芯连接器；第一介电层，位于第一管芯连接器上；第一导电过孔，延伸穿过第一介电层，第一导电过孔连接至第一管芯连接器的第一子集；第二集成电路管芯，利用第一可回流连接器接合至第一管芯连接器的第二子集；第一密封剂，围绕第二集成电路管芯和第一导电过孔，第一密封剂和第一集成电路管芯横向地相邻；第二导电过孔，与第一集成电路管芯相邻；第二密封剂，围绕第二导电过孔、第一密封剂、和第一集成电路管芯；以及第一再分布结构，包括第一再分布线，第一再分布线连接至第一导电过孔和第二导电过孔。本申请的实施例还提供一种形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN109786267B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201810609924.X

申请日：2018-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  林修任 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  郭庭豪 ,  林彦良

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528

Abstract: 在实施例中，器件包括：背侧再分布结构，背侧再分布结构包括：金属化图案，位于第一介电层上；以及第二介电层，位于金属化图案上；通孔，穿过第一介电层延伸以接触金属化图案；集成电路管芯，邻近第一介电层上的通孔；模塑料，位于第一介电层上，模塑料密封通孔和集成电路管芯；导电连接件，穿过第二介电层延伸以接触金属化图案，导电连接件电连接至通孔；以及金属间化合物，位于导电连接件和金属化图案的界面处，金属间化合物仅部分地延伸至金属化图案内。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。

公开(公告)号：CN107946198A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710265915.9

申请日：2017-04-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈星兆 ,  林志伟 ,  江宗宪 ,  郑明达 ,  谢静华

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请公开一种形成芯片封装的方法，包括放置一半导体晶粒于承载基板上；形成保护层于承载基板上以围绕半导体晶粒；形成介电层于保护层及半导体晶粒上；切除介电层的上部以改善介电层的平坦性；以及于切除介电层的上部之后，形成导电层于介电层上。

公开(公告)号：CN110957229A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910912553.7

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宗宪 ,  黄育智 ,  郭婷婷 ,  戴志轩 ,  吴邦立 ,  曾英诚 ,  赖季晖 ,  刘家宏 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：传感器管芯，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，传感器管芯在第一表面处具有输入/输出区域和第一感测区域；密封剂，至少横向地密封传感器管芯；导电通孔，延伸穿过密封剂；以及前侧再分布结构，位于传感器管芯的第一表面上，前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯，前侧再分布结构覆盖传感器管芯的输入/输出区域，前侧再分布结构具有暴露传感器管芯的第一感测区域的第一开口。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103681541B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201310161095.0

申请日：2013-05-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张纬森 ,  江宗宪 ,  胡延章 ,  萧景文

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了具有嵌入式散热器的器件及其形成方法。载体衬底可以包括载体、粘合层、基底膜层和晶种层。形成具有散热器开口和通孔开口的图案化掩模。可以采用喷镀工艺在图案掩模开口中同时形成通孔和散热器，管芯通过管芯附接层附接至散热器。在管芯和散热器上方施加模塑料使得散热器设置在模制衬底的第二面处。第一RDL可以具有多个安装焊盘，在模制衬底上形成多条导线，安装焊盘的接合间距可以大于管芯接触焊盘的接合间距。

公开(公告)号：CN103594443A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310076571.9

申请日：2013-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 查名鸿 ,  庄其达 ,  庄曜群 ,  刘浩君 ,  江宗宪 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请描述的实施例在封装结构的边缘附近提供了伸长的接合结构，使得铜柱的基本上朝向封装结构的中心的一侧免于焊料润湿。焊料润湿发生在这些接合结构的铜柱的另一侧。伸长的接合结构以不同的排列布置并且降低了相邻接合结构之间间隔缩短的可能性。此外，伸长的接合结构改善了可靠性性能。本发明还公开了用于封装件和衬底的接合结构。

公开(公告)号：CN112687634B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202010093038.3

申请日：2020-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲁珺地 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  林彦良 ,  黄子松

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H10B80/00

Abstract: 提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述封装包括管芯、层间穿孔、介电膜、后侧膜及焊料膏部分。所述层间穿孔设置在半导体管芯旁边且模塑化合物在横向上环绕管芯及层间穿孔。所述介电膜设置在半导体管芯的后侧上，且所述后侧膜设置在介电膜上。后侧膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者比介电膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者大。所述焊料膏部分设置在层间穿孔上且位于穿透过介电膜及后侧膜的开口内。具有在开口内位于介电膜与后侧膜之间的界面处的凹槽。本公开提供的结构及方法与包含对已知良好管芯进行中间验证的测试方法结合使用以提高良率。