公开(公告)号：CN113140535B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202011344978.1

申请日：2020-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱永祺 ,  廖思豪 ,  王博汉 ,  胡毓祥 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 器件包括：传感器管芯，具有位于传感器管芯的顶面处的感测区域；密封剂，至少横向密封传感器管芯；导电通孔，穿过密封剂；以及前侧再分布结构，位于密封剂上和位于传感器管芯顶面上，其中，前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯，其中，前侧再分布结构中的开口暴露传感器管芯的感测区域，并且其中，前侧再分布结构包括：第一介电层，在密封剂和传感器管芯的顶面上方延伸；金属化图案，位于第一介电层上；以及第二介电层，在金属化图案和第一介电层上方延伸。申请的实施例还涉及传感器器件、传感器封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN117542836A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310991683.0

申请日：2023-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卓鸿钧 ,  廖思豪 ,  胡毓祥 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48

Abstract: 半导体器件包括第一管芯、第二管芯、第一再分布层(RDL)结构和连接件。RDL结构设置在第一管芯和第二管芯之间，并且电连接至第一管芯和第二管芯，并且包括第一聚合物层、第二聚合物层、第一导电图案和粘合促进剂层。粘合促进剂层位于第二聚合物层和第一导电图案之间并且与第二聚合物层和第一导电图案直接接触。连接件设置在第一聚合物层中，并且与第二管芯和第一导电图案直接接触。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN107591391B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201610833915.X

申请日：2016-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郭宏瑞 ,  胡毓祥

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明实施例提供一种组件封装，组件封装包括逻辑晶粒以及逻辑晶粒上的第一钝化层。组件封装还包括存储器晶粒以及沿着所述逻辑晶粒与所述存储器晶粒的侧壁延伸的模制化合物。组件封装还包括延伸通过所述模制化合物的导通孔以及所述模制化合物上的第一重配置层结构。所述模制化合物延伸至所述存储器晶粒的顶面与所述第一重配置层结构的底面之间。所述第一钝化层的顶面与所述第一重配置层结构的底面接触。

公开(公告)号：CN115116980A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210083484.5

申请日：2022-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卓鸿钧 ,  廖思豪 ,  胡毓祥 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56

Abstract: 在实施例中，器件包括：半导体管芯，包括半导体材料；通孔，邻近半导体管芯，通孔包括金属；密封剂，位于通孔和半导体管芯周围，密封剂包括聚合物树脂；以及粘合层，位于密封剂和通孔之间，粘合层包括具有芳香族化合物和氨基的粘合剂化合物，氨基结合至密封剂的聚合物树脂，芳香族化合物结合至通孔的金属，芳香族化合物对半导体管芯的半导体材料是化学惰性的。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN114023718A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111013374.3

申请日：2021-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈韦志 ,  廖思豪 ,  胡毓祥 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 使用具有高收缩率的无填充物绝缘材料制成再分布结构。因此，可以实现良好的平面性而不需要实施再分布结构的每个绝缘层的平坦化，从而简化再分布结构的形成。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN112992831A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202010315948.1

申请日：2020-04-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾庭箴 ,  郭宏瑞 ,  胡毓祥 ,  廖思豪

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括半导体管芯、多个导电柱、绝缘包封体、重布线路结构及阻焊层。导电柱排列在半导体管芯旁边。绝缘包封体包封半导体管芯及导电柱，且绝缘包封体具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。重布线路结构位于绝缘包封体的第一表面上。阻焊层位于绝缘包封体的第二表面上，其中阻焊层的材料包含填料。

公开(公告)号：CN109216296B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201810722317.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王博汉 ,  郭宏瑞 ,  胡毓祥

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 在实施例中，器件包括：模塑料；密封在模塑料中的集成电路管芯；邻近集成电路管芯的通孔；以及位于集成电路管芯、模塑料和通孔上方的再分布结构，再分布结构电连接至集成电路管芯和通孔，再分布结构包括：设置在模塑料上方的第一介电层；穿过第一介电层延伸的第一导电通孔；设置在第一介电层和第一导电通孔上方的第二介电层；以及穿过第二介电层延伸并且延伸至第一导电通孔的部分内的第二导电通孔，第一导电通孔和第二导电通孔之间的界面是非平面的。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。

公开(公告)号：CN112017971A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010265226.X

申请日：2020-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宛谕 ,  林强 ,  林岳霆 ,  曾华伟 ,  黄立贤 ,  胡毓祥

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 形成集成电路器件的封装件的方法包括：形成重构晶圆，包括将器件管芯密封在密封剂中，在器件管芯和密封剂上方形成介电层，形成延伸至介电层中以电耦接至器件管芯的多条再分布线，以及在用于形成多条再分布线的常规工艺中形成金属环。金属环环绕多条再分布线，并且金属环延伸至重构晶圆的划线中。沿重构晶圆的划线实施管芯锯切工艺以将封装件从重构晶圆分离。封装件包括器件管芯和至少部分金属环。本发明的实施例还涉及集成电路器件的封装件。

公开(公告)号：CN109817587B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201810765974.7

申请日：2018-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王博汉 ,  胡毓祥 ,  郭宏瑞 ,  余振华

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括将封装组件密封在密封材料中，其中，密封材料包括直接位于封装组件上方的一部分。图案化密封材料的该部分以形成露出封装组件中的导电部件的开口。再分布线延伸到开口中以接触导电部件。电连接件形成在导电部件上方并电连接至导电部件。本发明实施例还提供另一种形成半导体结构的方法和一种封装件。

公开(公告)号：CN110660731A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910575998.0

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王博汉 ,  胡毓祥 ,  郭宏瑞

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了包括以下步骤的制造再分布电路结构的方法。形成导电通孔。形成光敏介电层以覆盖导电通孔。至少通过曝光和显影工艺部分地去除光敏介电层以露出导电通孔。在光敏介电层和露出的导电通孔上形成再分布线。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。