公开(公告)号：CN115390197B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202210142209.6

申请日：2022-02-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈又豪 ,  翁崇铭 ,  于宗源 ,  李惠宇 ,  郭鸿毅 ,  管瑞丰 ,  吴建德

IPC: G02B6/42

Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底。半导体器件还包括在衬底的第一侧上的波导。半导体器件还包括在衬底的与衬底的第一侧相对的第二侧上的光电探测器(PD)。半导体器件还包括将PD与波导光学连接的光贯通孔(OTV)，其中OTV从衬底的第一侧延伸穿过衬底到衬底的第二侧。

公开(公告)号：CN113156578B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202110002382.1

申请日：2021-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁崇铭 ,  余振华 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  谢政杰 ,  郭鸿毅 ,  戴志轩 ,  林华奎 ,  于宗源 ,  徐敏翔

IPC: G02B6/10

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了光子器件和制造方法。在实施例中，利用填充材料和/或辅助波导，以便保护其他内部结构(例如，光栅耦合器)免受后续处理步骤的严格影响。通过在制造工艺期间的适当时间处使用这些结构，可以避免可能以其他方式干扰器件的制造工艺或器件的操作的损坏和碎屑。

公开(公告)号：CN113078125A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110246259.4

申请日：2021-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郭鸿毅 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  谢政杰 ,  于宗源 ,  曾明鸿

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 一种形成管芯堆叠件的方法，包括：将第一器件管芯接合至第二器件管芯；将第一器件管芯密封在第一密封剂中；在第二器件管芯上实施背面研磨工艺，以露出第二器件管芯中的贯穿通孔；以及形成位于第二器件管芯上的第一电连接器，以形成封装件。封装件包括第一器件管芯和第二器件管芯。该方法还包括将第一封装件密封在第二密封剂中；以及形成与第一封装件和第二密封剂重叠的互连结构。互连结构包括第二电连接器。根据本申请的其他实施例，还提供了管芯堆叠结构。

公开(公告)号：CN112864119A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011361227.0

申请日：2020-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志轩 ,  翁崇铭 ,  郭鸿毅 ,  谢政杰 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件包括光子集成电路管芯。光子集成电路管芯包括光耦合器。集成电路封装件还包括密封光子集成电路管芯的密封剂、位于光子集成电路管芯和密封剂上方的第一再分布结构以及延伸穿过第一再分布结构并且暴露光耦合器的开口。

公开(公告)号：CN109585309B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201810979949.9

申请日：2018-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  余振华 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/58

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：在第一介电层上的导电屏蔽件；在第一介电层和导电屏蔽件上的第二介电层，第一和第二介电层围绕导电屏蔽件，第二介电层包括：沿着导电屏蔽件的外围设置的第一部分；延伸穿过导电屏蔽件的中心区域的第二部分；以及延伸穿过导电屏蔽件的通道区的第三部分，第三部分将第一部分连接至第二部分；在第二介电层上的线圈，线圈设置在导电屏蔽件上方；在第二介电层上的集成电路管芯，集成电路管芯设置在线圈的外部；以及围绕线圈和集成电路管芯的密封剂，密封剂、集成电路管芯和线圈的顶表面是平齐的。

公开(公告)号：CN107026094B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201710057578.4

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  江宗宪 ,  蔡豪益 ,  郭鸿毅 ,  曾明鸿

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/58 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明涉及一种线圈结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，所述方法包含：在载体上方形成线圈，将所述线圈囊封于囊封材料中，将所述囊封材料的顶部表面平面化直到暴露所述线圈为止，在所述囊封材料及所述线圈上方形成至少一个电介质层，及形成延伸到所述至少一个电介质层中的多个重布线。所述多个重布线电耦合到所述线圈。

公开(公告)号：CN107017236B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201611135645.1

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  陈韦廷 ,  陈颉彦 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  郭鸿毅 ,  余振华

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明的实施例涉及具有槽的金属板上的集成扇出线圈。本发明实施例揭示一种结构，其包含囊封材料和包含贯穿导体的线圈。所述贯穿导体在所述囊封材料中，其中所述贯穿导体的顶面与所述囊封材料的顶面共面，且所述贯穿导体的底面与所述囊封材料的底面共面。金属板下伏于所述囊封材料。槽在所述金属板中且塡充有介电材料。所述槽具有与所述线圈重叠的部分。

公开(公告)号：CN107706171A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201610954883.9

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  余振华 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿

IPC: H01L23/522 ,  H01F38/14

Abstract: 一种线圈结构的形成方法。线圈结构包括衬底。多个线圈设置在衬底上，且每一线圈包括形成连续螺旋结构的导电元件。连续螺旋结构在线圈结构的上视图中呈六边形。线圈排列成蜂窝状图案，且每一导电元件与外部电路电连接。

公开(公告)号：CN107644863A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610891691.8

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱嘉 ,  余振华 ,  黄章斌 ,  刘重希 ,  杜贤明 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  梁世纬 ,  刘人瑄

IPC: H01L23/498

Abstract: 一种半导体结构包括集成电路组件、导电接垫、密封环结构、导电通孔、环型阻障及模塑材料。导电接垫配置于且电性连接于集成电路组件。密封环结构配置于集成电路组件且环绕导电接垫。导电通孔配置于且电性连接于导电接垫。环型阻障配置于密封环结构上。密封环结构环绕导电通孔。模塑材料覆盖集成电路组件的多个侧面。本发明提供的半导体结构具有较佳的结构强度与可靠性。

公开(公告)号：CN106653744A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610624175.9

申请日：2016-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈颉彦 ,  郭鸿毅 ,  王垂堂 ,  蔡豪益 ,  余振华 ,  陈韦廷 ,  曾明鸿 ,  林彦良

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/768 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/24

Abstract: 一种半导体结构包括：配置为与器件通信的收发器；围绕该收发器的模塑件；延伸穿过模塑件的导电通道；在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层；以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL)，其中，天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。