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公开(公告)号：CN112864119B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202011361227.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H10B80/00 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件包括光子集成电路管芯。光子集成电路管芯包括光耦合器。集成电路封装件还包括密封光子集成电路管芯的密封剂、位于光子集成电路管芯和密封剂上方的第一再分布结构以及延伸穿过第一再分布结构并且暴露光耦合器的开口。
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公开(公告)号：CN114994831A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110786160.3
申请日：2021-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开用于硅光子(SiPh)结构的装置和方法，硅光子结构包括以下各项的集成：电子集成电路(EIC)；光子集成电路(PIC)，安置在电子集成电路的顶部上；两个或大于两个聚合物波导(PWG)，安置在光子集成电路的顶部上且由包覆聚合物层和芯聚合物层形成；以及集成扇出型重布线(InFO RDL)层，安置在两个或大于两个聚合物波导的顶部上。聚合物波导的操作是基于包覆聚合物和芯聚合物的折射率。通过边缘耦合、反射棱镜以及光栅耦合提供层间光信号耦合。晶片级系统实施硅光子结构管芯且在聚合物波导之间提供管芯间信号光学内连。
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公开(公告)号：CN113156578A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110002382.1
申请日：2021-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/10
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了光子器件和制造方法。在实施例中，利用填充材料和/或辅助波导，以便保护其他内部结构(例如，光栅耦合器)免受后续处理步骤的严格影响。通过在制造工艺期间的适当时间处使用这些结构，可以避免可能以其他方式干扰器件的制造工艺或器件的操作的损坏和碎屑。
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公开(公告)号：CN119601472A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411627617.6
申请日：2024-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种制造半导体结构的方法包括：形成管芯，形成所述管芯包括：形成从半导体衬底的前侧延伸到所述半导体衬底中的第一贯通孔和第二贯通孔。所述第一贯通孔和所述第二贯通孔分别连接到所述管芯中的第一集成电路器件和第二集成电路器件。执行背侧研磨工艺以露出所述第一贯通孔和所述第二贯通孔。形成背侧再分布线，以物理结合到所述第一贯通孔和所述第二贯通孔两者。本公开的实施例还提供了半导体结构。
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公开(公告)号：CN115390197B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210142209.6
申请日：2022-02-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底。半导体器件还包括在衬底的第一侧上的波导。半导体器件还包括在衬底的与衬底的第一侧相对的第二侧上的光电探测器(PD)。半导体器件还包括将PD与波导光学连接的光贯通孔(OTV)，其中OTV从衬底的第一侧延伸穿过衬底到衬底的第二侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113156578B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110002382.1
申请日：2021-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/10
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了光子器件和制造方法。在实施例中，利用填充材料和/或辅助波导，以便保护其他内部结构(例如，光栅耦合器)免受后续处理步骤的严格影响。通过在制造工艺期间的适当时间处使用这些结构，可以避免可能以其他方式干扰器件的制造工艺或器件的操作的损坏和碎屑。
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公开(公告)号：CN112864119A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011361227.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H01L25/16 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件包括光子集成电路管芯。光子集成电路管芯包括光耦合器。集成电路封装件还包括密封光子集成电路管芯的密封剂、位于光子集成电路管芯和密封剂上方的第一再分布结构以及延伸穿过第一再分布结构并且暴露光耦合器的开口。
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公开(公告)号：CN114994831B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202110786160.3
申请日：2021-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开用于硅光子(SiPh)结构的装置和方法，硅光子结构包括以下各项的集成：电子集成电路(EIC)；光子集成电路(PIC)，安置在电子集成电路的顶部上；两个或大于两个聚合物波导(PWG)，安置在光子集成电路的顶部上且由包覆聚合物层和芯聚合物层形成；以及集成扇出型重布线(InFO RDL)层，安置在两个或大于两个聚合物波导的顶部上。聚合物波导的操作是基于包覆聚合物和芯聚合物的折射率。通过边缘耦合、反射棱镜以及光栅耦合提供层间光信号耦合。晶片级系统实施硅光子结构管芯且在聚合物波导之间提供管芯间信号光学内连。
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公开(公告)号：CN118173453A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410178579.4
申请日：2024-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种制造封装件的方法包括形成第一封装组件和第二封装组件。第一封装组件包括第一聚合物层和第一电连接件，第一电连接件的至少一部分位于第一聚合物层中。第二封装组件包括第二聚合物层和第二电连接件，第二电连接件的至少一部分位于第二聚合物层中。将第一封装组件接合至第二封装组件，其中第一聚合物层接合至第二聚合物层，并且第一电连接件接合至第二电连接件。本发明的实施例还提供了封装件。
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公开(公告)号：CN115497929A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210137523.5
申请日：2022-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/528 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供一种包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、第一绝缘包封体、介电层结构、导体结构和第二绝缘包封体的半导体封装。第一半导体晶粒包括从半导体基底的第一侧延伸到第二侧的第一半导体基底和硅穿孔(TSV)。第二半导体晶粒设置在半导体基底的第一侧。第二半导体晶粒上的第一绝缘包封体封装了第一半导体晶粒。TSV的末端与第一绝缘包封体的表面共面。介电层结构覆盖了第一半导体晶粒和第一绝缘包封体。导体结构延伸穿过介电层结构并与硅穿孔接触。第二绝缘包封体与第二半导体晶粒、第一绝缘封装和介电层结构接触。
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