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公开(公告)号：CN115377074A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210166439.6
申请日：2022-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/16 , H01L23/498 , H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 一种内存装置，包括基座半导体管芯、导电端子、内存管芯、绝缘包封体和缓冲盖。导电端子设置在基座半导体管芯的第一表面上。内存管芯堆栈在基座半导体管芯的第二表面上，且基座半导体管芯的第二表面与基座半导体管芯的第一表面相对。绝缘包封体设置在基座半导体管芯的第二表面上并且侧向地包覆内存管芯。缓冲盖覆盖基座半导体管芯的第一表面、基座半导体管芯的侧壁以及绝缘包封体的侧壁。
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公开(公告)号：CN115390197B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210142209.6
申请日：2022-02-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底。半导体器件还包括在衬底的第一侧上的波导。半导体器件还包括在衬底的与衬底的第一侧相对的第二侧上的光电探测器(PD)。半导体器件还包括将PD与波导光学连接的光贯通孔(OTV)，其中OTV从衬底的第一侧延伸穿过衬底到衬底的第二侧。
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公开(公告)号：CN114975754A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210419506.0
申请日：2022-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括光组件及热控制机构。光组件包括第一主路径，第一主路径分裂成第一侧路径及第二侧路径，使得第一侧路径及第二侧路径彼此分开。热控制机构用以控制第一侧路径及第二侧路径两者的温度，其中第一热控制机构包括定位于第一侧路径与第二侧路径之间的第一热电构件及第二热电构件，且第一热电构件及第二热电构件具有相反的导电类型。
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公开(公告)号：CN114815049A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210275751.9
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请公开了定向可调光学反射器。一种光学电路包括一个或多个输入波导、多个输出波导和反射器结构。反射器结构的至少一部分与一个或多个输入波导形成界面。反射器结构的该部分具有比一个或多个输入波导小的折射率。电子电路电耦合到光学电路。电子电路生成不同的电信号并向反射器结构发送不同的电信号。响应于反射器结构接收到不同的电信号，界面处或界面附近的载流子浓度水平或界面处或界面附近的温度发生变化，使得从一个或多个输入波导接收的入射辐射被反射器结构可调整地反射到多个输出波导中的目标输出波导中。
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公开(公告)号：CN113658944B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202110690696.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B80/00 , H01L23/367 , H01L21/50
Abstract: 半导体封装件包括第一封装组件，该第一封装组件包括：第一半导体管芯；第一密封剂，位于第一半导体管芯周围；以及第一再分布结构，电连接至第一半导体管芯。半导体封装件还包括接合至第一封装组件的第二封装组件，其中，第二封装组件包括：第二半导体管芯；散热器，位于第一半导体管芯和第二封装组件之间；以及第二密封剂，位于第一封装组件和第二封装组件之间，其中，第二密封剂具有比散热器低的热导率。本申请的实施例还涉及形成半导体封装件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114994831B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202110786160.3
申请日：2021-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开用于硅光子(SiPh)结构的装置和方法，硅光子结构包括以下各项的集成：电子集成电路(EIC)；光子集成电路(PIC)，安置在电子集成电路的顶部上；两个或大于两个聚合物波导(PWG)，安置在光子集成电路的顶部上且由包覆聚合物层和芯聚合物层形成；以及集成扇出型重布线(InFO RDL)层，安置在两个或大于两个聚合物波导的顶部上。聚合物波导的操作是基于包覆聚合物和芯聚合物的折射率。通过边缘耦合、反射棱镜以及光栅耦合提供层间光信号耦合。晶片级系统实施硅光子结构管芯且在聚合物波导之间提供管芯间信号光学内连。
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公开(公告)号：CN115390197A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210142209.6
申请日：2022-02-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底。半导体器件还包括在衬底的第一侧上的波导。半导体器件还包括在衬底的与衬底的第一侧相对的第二侧上的光电探测器(PD)。半导体器件还包括将PD与波导光学连接的光贯通孔(OTV)，其中OTV从衬底的第一侧延伸穿过衬底到衬底的第二侧。
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公开(公告)号：CN115020357A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210110709.1
申请日：2022-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 方法包括形成封装件，这包括：在载体上方形成多个再分布线；以及在载体上方形成散热块。多个再分布线和散热块通过共同的工艺形成。散热块具有第一金属密度，并且多个再分布线具有小于第一金属密度的第二金属密度。方法还包括：在载体上方形成金属杆；将器件管芯放置在散热块正上方；以及将器件管芯和金属杆密封在密封剂中。然后将封装件从载体剥离。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114815049B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210275751.9
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请公开了定向可调光学反射器。一种光学电路包括一个或多个输入波导、多个输出波导和反射器结构。反射器结构的至少一部分与一个或多个输入波导形成界面。反射器结构的该部分具有比一个或多个输入波导小的折射率。电子电路电耦合到光学电路。电子电路生成不同的电信号并向反射器结构发送不同的电信号。响应于反射器结构接收到不同的电信号，界面处或界面附近的载流子浓度水平或界面处或界面附近的温度发生变化，使得从一个或多个输入波导接收的入射辐射被反射器结构可调整地反射到多个输出波导中的目标输出波导中。
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公开(公告)号：CN118228643A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410168877.5
申请日：2024-02-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/323
Abstract: 本发明提供一种在电路设计中选择装置的方法及系统及计算机可读取媒体。在电路设计中选择装置的方法包括：对源‑电路设计(SCD)中的源PDK装置(SPD)进行标记；基于SCD中的SPD的源设计关键效能指示符(KPI)仿真数据产生源设计仿真数据库(SDSD)；基于多个目标PDK装置(TPD)的目标设计KPI仿真数据产生目标制程设计套件(PDK)仿真数据库(TPSD)；基于SDSD及TPSD创建匹配表；基于匹配表将来自TPSD的一或多个TPD与SDSD中基于SPD KPI的每一SPD进行匹配；对自TPSD匹配的所述一或多个TPD与SDSD中基于SPD KPI的每一SPD进行排序；以及基于包括TPD对SCD中的SPD的一对一关系的迁移映射表而将SCD中的一或多个SPD与一对一关系型TPD进行交换。
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