公开(公告)号：CN113078125B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202110246259.4

申请日：2021-03-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  郭鸿毅 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  谢政杰 ,  于宗源 ,  曾明鸿

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H10B80/00 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498

摘要： 一种形成管芯堆叠件的方法，包括：将第一器件管芯接合至第二器件管芯；将第一器件管芯密封在第一密封剂中；在第二器件管芯上实施背面研磨工艺，以露出第二器件管芯中的贯穿通孔；以及形成位于第二器件管芯上的第一电连接器，以形成封装件。封装件包括第一器件管芯和第二器件管芯。该方法还包括将第一封装件密封在第二密封剂中；以及形成与第一封装件和第二密封剂重叠的互连结构。互连结构包括第二电连接器。根据本申请的其他实施例，还提供了管芯堆叠结构。

公开(公告)号：CN117012709A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310861640.0

申请日：2023-07-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴政杰 ,  潘国龙 ,  郑淑蓉 ,  蔡豪益 ,  邓博元 ,  张楙曮 ,  刘政昱 ,  林嘉文

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/68 ,  H01L21/66

摘要： 形成封装件的方法包括形成重建晶圆，形成重建晶圆包括在载体上方放置多个封装组件，在多个封装组件上方形成互连结构，并且互连结构电互连多个封装组件，在互连结构上方形成顶部电连接件，并且将顶部电连接件电连接至互连结构，以及在与顶部电连接件相同的层级处形成对准标记。探测顶部电连接件中的探针焊盘，并且使用对准标记用于对准探针焊盘来执行探测。通过焊料区域将附加封装组件接合至重建晶圆。焊料区域物理地结合至顶部电连接件。

公开(公告)号：CN109524378B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201711017344.3

申请日：2017-10-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 戴志轩 ,  陈志华 ,  蔡豪益 ,  黄育智 ,  刘家宏 ,  郭婷婷

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 本揭露提供一种封装结构及其制造方法。所述封装结构包括管芯、重布线结构、集成扇出型穿孔以及第一连接件。重布线结构与管芯连接且包括多条重布线。集成扇出型穿孔位于管芯侧边且穿过重布线结构。第一连接件与集成扇出型穿孔电性接触，且与管芯电性连接。集成扇出型穿孔与重布线层结构的重布线电性接触。

公开(公告)号：CN115579341A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211175220.9

申请日：2020-03-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄子松 ,  曾明鸿 ,  林彦良 ,  蔡豪益 ,  蔡及铭 ,  刘重希 ,  林志伟 ,  何明哲

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

摘要： 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN112018061B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202010155641.X

申请日：2020-03-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄子松 ,  曾明鸿 ,  林彦良 ,  蔡豪益 ,  蔡及铭 ,  刘重希 ,  林志伟 ,  何明哲

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

摘要： 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN114937663A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202110801922.2

申请日：2021-07-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  潘国龙 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L21/50

摘要： 一种半导体器件包括：第一多个管芯，由包封体包封；中介层，位于所述第一多个管芯之上；内连线结构，位于所述中介层之上且电连接到所述中介层；以及多个导电焊盘，位于所述内连线结构的与所述中介层相对的表面上。所述中介层包括多个嵌置式无源组件。所述第一多个管芯中的每一管芯电连接到所述中介层。所述内连线结构包括位于所述内连线结构的金属化层中的螺线管电感器。

公开(公告)号：CN111384010B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201911358161.7

申请日：2019-12-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑淑蓉 ,  潘国龙 ,  李佩璇 ,  黄见翎 ,  赖昱嘉 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/40 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50

摘要： 在实施例中，一种器件包括：封装部件，包括集成电路管芯、位于集成电路管芯周围的密封剂、位于密封剂和集成电路管芯上方的再分布结构以及位于再分布结构上方的插座；机械支架，物理耦合到插座，机械支架具有开口，每个开口暴露相应的一个插座；热模块，物理地和热耦合到密封剂和集成电路管芯；以及螺栓，延伸穿过热模块、机械支架和封装部件。本发明的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110957295B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201910162856.1

申请日：2019-03-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 戴志轩 ,  赖季晖 ,  曾英诚 ,  吴邦立 ,  郭婷婷 ,  黄育智 ,  刘家宏 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 半导体封装件包括半导体器件，该半导体器件包括第一UBM结构，其中第一UBM结构包括：多个第一导电条，第一导电条沿第一方向延伸；多个第二导电条，多个第二导电条与多个第一导电条分离并交错，第二导电条沿第一方向延伸，其中多个第一导电条在第一方向上与多个第二导电条偏移第一偏移距离；以及衬底，包括：第二UBM结构，第二UBM结构包括多个第三导电条，多个第三导电条中的每一个接合到多个第一导电条中的一个或多个第二导电条中的一个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN113192897A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110110459.7

申请日：2021-01-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  谢潍冈 ,  陈世伟 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/40 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

摘要： 一种半导体器件包括：管芯；包封体，位于管芯的前侧表面之上；重布线结构，位于包封体上；热模块，耦合到管芯的后侧表面；以及螺栓，延伸穿过重布线结构及热模块。管芯包括被倒角的隅角。螺栓与被倒角的隅角相邻。

公开(公告)号：CN107342268B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201710165705.2

申请日：2017-03-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  黄子松 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  郭鸿毅

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/58

摘要： 本公开部分实施例提供一种半导体装置封装。半导体装置封装包括一半导体装置。半导体装置封装也包括配置用于在磁流通过时产生电流的一线圈。半导体装置封装还包括环绕半导体装置以及线圈的一成型材料。并且，半导体装置封装包括位于成型材料之上的一导电金属件。一开口形成于导电金属件之上。