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公开(公告)号：CN115579341A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211175220.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN112018061B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202010155641.X
申请日：2020-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110021521B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201811447838.X
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/98 , H01L25/065
Abstract: 本发明的实施例提供了集成电路及其制造方法。本发明的实施例公开了集成电路组件的再分布层的示例性实施例。本发明的集成电路组件的再分布层包括一个或多个导电接触件阵列，一个或多个导电接触件阵列被配置和布置为允许接合波在接合期间排出再分布层之间的空气。这种一个或多个阵列的配置和布置在接合期间使再分布层之间的不连续部(诸如作为实例的气穴)最小化。
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公开(公告)号：CN109560094B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810889870.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含第一半导体装置、第二半导体装置及接合结构。第一半导体装置包含第一导电层形成于第一基板上，第一蚀刻停止层形成于第一导电层上，且与第一导电层直接接触，第一接合层形成于第一蚀刻停止层上，以及第一接合导孔穿过第一接合层和第一蚀刻停止层而形成。第二半导体装置包含第二导电层和第二蚀刻停止层形成于第二基板上，第二接合层形成于第二蚀刻停止层上，以及第二接合导孔穿过第二接合层和第二蚀刻停止层而形成。接合结构位于第一基板与第二基板之间，且包含第一接合导孔接合至第二接合导孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216494B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201810698562.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 一种光电探测器包括：具有第一掺杂类型的衬底；具有第二掺杂类型的第一半导体区，第一半导体区从衬底的前侧延伸到衬底中；以及具有第一掺杂类型的第二半导体区，第二半导体区进一步从第一半导体区的底部边界延伸到衬底中，其中，当光电探测器在盖革模式下工作时，第二半导体区完全耗尽以吸收从衬底的背侧所接收的辐射源。本发明还提供了新型单光子雪崩二极管、光电探测器的制造方法。
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公开(公告)号：CN106653744B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201610624175.9
申请日：2016-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/24
Abstract: 一种半导体结构包括：配置为与器件通信的收发器；围绕该收发器的模塑件；延伸穿过模塑件的导电通道；在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层；以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL)，其中，天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN105789228B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201510641283.2
申请日：2015-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括第一面、与第一面相对的第二面和设置在半导体衬底中的辐射感测器件；层间介电层(ILD)，设置在半导体衬底的第一面上方；以及导电焊盘，穿过ILD且设置在半导体衬底中并被配置为与设置在ILD上方的互连结构耦接，其中，半导体衬底围绕导电焊盘的部分，并且通过导电焊盘的部分的表面与半导体衬底的第二面来配置阶梯高度。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN109768057A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810204887.4
申请日：2018-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种影像感测装置，包含半导体基材、辐射感测元件、元件层和沟渠隔离。半导体基材具有前侧表面和与前侧表面相对的背侧表面。辐射感测元件设置于半导体基材的光感测区中且从半导体基材的前侧表面延伸出，此辐射感测元件包含带隙能量小于1.77电子伏特的半导体材料。元件层位于半导体基材的前侧表面及辐射感测元件上。沟渠隔离设置于半导体基材的隔离区中且从半导体基材的背侧表面延伸出。
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公开(公告)号：CN109560094A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810889870.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含第一半导体装置、第二半导体装置及接合结构。第一半导体装置包含第一导电层形成于第一基板上，第一蚀刻停止层形成于第一导电层上，且与第一导电层直接接触，第一接合层形成于第一蚀刻停止层上，以及第一接合导孔穿过第一接合层和第一蚀刻停止层而形成。第二半导体装置包含第二导电层和第二蚀刻停止层形成于第二基板上，第二接合层形成于第二蚀刻停止层上，以及第二接合导孔穿过第二接合层和第二蚀刻停止层而形成。接合结构位于第一基板与第二基板之间，且包含第一接合导孔接合至第二接合导孔。
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