公开(公告)号：CN119443020A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411403686.9

申请日：2024-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张育甄 ,  郑安皓 ,  林彦良 ,  萧茹雄

IPC: G06F30/39

Abstract: 提供了一种设计半导体结构的方法。该方法包括判定接触结构图的第一热点区域。该方法包括根据第一预定义扩大轮廓来扩大该第一热点区域，以判定该接触结构图的第一扩大区域。该方法包括判定该第一扩大区域的第一部分与功能组件的功能区域重叠。该方法包括判定该接触结构图的不包括该第一扩大区域的该第一部分的裁切区域。该方法包括基于该裁切区域来更新第一图案化氧化物层图，以产生更新的图案化氧化物层图。上述的方法达成了减少量的保留在半导体装置中的该组接触结构上的残留物，诸如金属残留物。减少的残留物量达成了半导体装置的改良的操作、减少的损失、增加的产量、改良的生产效率等中的至少一者。

公开(公告)号：CN119297179A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411272130.0

申请日：2024-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈晖闳 ,  余科京 ,  张育甄 ,  郑安皓 ,  林彦良 ,  萧茹雄

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底和电容器结构。电容器结构设置在衬底上。电容器结构包括第一电极和多个第二电极。多个第二电极中的至少一个嵌入第一电极内。