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公开(公告)号：CN110010628A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811384924.0
申请日：2018-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例针对锚定结构和用于形成锚定结构的方法，从而使得平坦化和晶圆接合可以是均匀的。锚定结构可以包括形成在介电层表面上的锚定层和形成在锚定层中和介电层表面上的锚定焊盘。锚定层材料可以选择为使得锚定层、锚定焊盘和互连材料的平坦化选择性可以彼此基本相同。锚定焊盘可以提供具有相同或类似材料的均匀密度的结构。本发明实施例涉及用于均匀晶圆平坦化和接合的锚定结构和方法。
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公开(公告)号：CN110021521B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201811447838.X
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/98 , H01L25/065
Abstract: 本发明的实施例提供了集成电路及其制造方法。本发明的实施例公开了集成电路组件的再分布层的示例性实施例。本发明的集成电路组件的再分布层包括一个或多个导电接触件阵列，一个或多个导电接触件阵列被配置和布置为允许接合波在接合期间排出再分布层之间的空气。这种一个或多个阵列的配置和布置在接合期间使再分布层之间的不连续部(诸如作为实例的气穴)最小化。
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公开(公告)号：CN112992855A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011057712.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
Abstract: 本揭露描述互连结构及其形成方法。一种互连结构可包含基底；导电材料层，位于基底上；金属盖层，位于导电材料层上；绝缘材料层，位于金属盖层的顶面与侧面上以及沟槽导体层，形成于绝缘材料层与金属盖层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109560094B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810889870.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含第一半导体装置、第二半导体装置及接合结构。第一半导体装置包含第一导电层形成于第一基板上，第一蚀刻停止层形成于第一导电层上，且与第一导电层直接接触，第一接合层形成于第一蚀刻停止层上，以及第一接合导孔穿过第一接合层和第一蚀刻停止层而形成。第二半导体装置包含第二导电层和第二蚀刻停止层形成于第二基板上，第二接合层形成于第二蚀刻停止层上，以及第二接合导孔穿过第二接合层和第二蚀刻停止层而形成。接合结构位于第一基板与第二基板之间，且包含第一接合导孔接合至第二接合导孔。
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公开(公告)号：CN109560094A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810889870.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含第一半导体装置、第二半导体装置及接合结构。第一半导体装置包含第一导电层形成于第一基板上，第一蚀刻停止层形成于第一导电层上，且与第一导电层直接接触，第一接合层形成于第一蚀刻停止层上，以及第一接合导孔穿过第一接合层和第一蚀刻停止层而形成。第二半导体装置包含第二导电层和第二蚀刻停止层形成于第二基板上，第二接合层形成于第二蚀刻停止层上，以及第二接合导孔穿过第二接合层和第二蚀刻停止层而形成。接合结构位于第一基板与第二基板之间，且包含第一接合导孔接合至第二接合导孔。
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公开(公告)号：CN110021521A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811447838.X
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/98 , H01L25/065
Abstract: 本发明的实施例提供了集成电路及其制造方法。本发明的实施例公开了集成电路组件的再分布层的示例性实施例。本发明的集成电路组件的再分布层包括一个或多个导电接触件阵列，一个或多个导电接触件阵列被配置和布置为允许接合波在接合期间排出再分布层之间的空气。这种一个或多个阵列的配置和布置在接合期间使再分布层之间的不连续部(诸如作为实例的气穴)最小化。
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公开(公告)号：CN109427831A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711224959.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 本发明实施例涉及一种影像感测器装置，影像感测器装置包括半导体基板、隔离结构、反射栅、第一滤色器及第二滤色器。半导体基板具有第一感光区及第二感光区，第二感光区邻近第一感光区；隔离结构位于半导体基板中且围绕第一感光区及第二感光区，其中隔离结构隔开第一感光区及第二感光区；反射栅位于隔离结构上且围绕第一感光区及第二感光区，其中反射栅的第一部分位于第一感光区及第二感光区间，且第一部分具有第一沟槽；第一滤色器位于第一感光区上且延伸进入第一沟槽中；第二滤色器位于第二感光区上且延伸进入第一沟槽中，以在第一沟槽中直接接触第一滤色器。
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公开(公告)号：CN110010628B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201811384924.0
申请日：2018-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例针对锚定结构和用于形成锚定结构的方法，从而使得平坦化和晶圆接合可以是均匀的。锚定结构可以包括形成在介电层表面上的锚定层和形成在锚定层中和介电层表面上的锚定焊盘。锚定层材料可以选择为使得锚定层、锚定焊盘和互连材料的平坦化选择性可以彼此基本相同。锚定焊盘可以提供具有相同或类似材料的均匀密度的结构。本发明实施例涉及用于均匀晶圆平坦化和接合的锚定结构和方法。
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