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公开(公告)号：CN109148492B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201710864165.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种光传感装置的结构及制造方法。此光传感装置包含半导体基底和在半导体基底中的光感测区域。光传感装置也包含在半导体基底上方且与光感测区域对齐的滤光元件。滤光元件具有第一部分及第二部分，且第一部分位于第二部分与光感测区域之间。光传感装置还包含在半导体基底上方且在滤光元件的第一部分旁边的遮光元件。此外，光传感装置包含在遮光元件上且在滤光元件的第二部分旁边的介电元件。遮光元件的顶部宽度大于介电元件的底部宽度。
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公开(公告)号：CN105789228B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201510641283.2
申请日：2015-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括第一面、与第一面相对的第二面和设置在半导体衬底中的辐射感测器件；层间介电层(ILD)，设置在半导体衬底的第一面上方；以及导电焊盘，穿过ILD且设置在半导体衬底中并被配置为与设置在ILD上方的互连结构耦接，其中，半导体衬底围绕导电焊盘的部分，并且通过导电焊盘的部分的表面与半导体衬底的第二面来配置阶梯高度。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN105789228A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201510641283.2
申请日：2015-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括第一面、与第一面相对的第二面和设置在半导体衬底中的辐射感测器件；层间介电层(ILD)，设置在半导体衬底的第一面上方；以及导电焊盘，穿过ILD且设置在半导体衬底中并被配置为与设置在ILD上方的互连结构耦接，其中，半导体衬底围绕导电焊盘的部分，并且通过导电焊盘的部分的表面与半导体衬底的第二面来配置阶梯高度。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN109786404B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810805771.6
申请日：2018-07-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开实施例涉及图像传感器器件、图像传感器系统及其形成方法。本公开实施例涉及一种用于减小在图像传感器器件中的烘干工艺之后滤色器的表面变形的方法。可通过在烘干之前增大滤色器的表面面积来减小表面变形。例如，在图像传感器器件的半导体层的上方形成栅极结构，其中栅极结构包括具有一个或多个单元的第一区域，其中一个或多个单元具有共同侧壁；在栅极结构的第二区域中设置一个或多个滤色器；使栅极结构的第一区域中的共同侧壁凹陷以形成具有凹陷的共同侧壁的单元组；以及在该组单元中设置另一滤色器。
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公开(公告)号：CN109786404A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810805771.6
申请日：2018-07-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开实施例涉及图像传感器器件、图像传感器系统及其形成方法。本公开实施例涉及一种用于减小在图像传感器器件中的烘干工艺之后滤色器的表面变形的方法。可通过在烘干之前增大滤色器的表面面积来减小表面变形。例如，在图像传感器器件的半导体层的上方形成栅极结构，其中栅极结构包括具有一个或多个单元的第一区域，其中一个或多个单元具有共同侧壁；在栅极结构的第二区域中设置一个或多个滤色器；使栅极结构的第一区域中的共同侧壁凹陷以形成具有凹陷的共同侧壁的单元组；以及在该组单元中设置另一滤色器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109148492A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710864165.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14629 , H01L27/14685 , H01L27/14625
Abstract: 提供一种光传感装置的结构及制造方法。此光传感装置包含半导体基底和在半导体基底中的光感测区域。光传感装置也包含在半导体基底上方且与光感测区域对齐的滤光元件。滤光元件具有第一部分及第二部分，且第一部分位于第二部分与光感测区域之间。光传感装置还包含在半导体基底上方且在滤光元件的第一部分旁边的遮光元件。此外，光传感装置包含在遮光元件上且在滤光元件的第二部分旁边的介电元件。遮光元件的顶部宽度大于介电元件的底部宽度。
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公开(公告)号：CN109427831A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711224959.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 本发明实施例涉及一种影像感测器装置，影像感测器装置包括半导体基板、隔离结构、反射栅、第一滤色器及第二滤色器。半导体基板具有第一感光区及第二感光区，第二感光区邻近第一感光区；隔离结构位于半导体基板中且围绕第一感光区及第二感光区，其中隔离结构隔开第一感光区及第二感光区；反射栅位于隔离结构上且围绕第一感光区及第二感光区，其中反射栅的第一部分位于第一感光区及第二感光区间，且第一部分具有第一沟槽；第一滤色器位于第一感光区上且延伸进入第一沟槽中；第二滤色器位于第二感光区上且延伸进入第一沟槽中，以在第一沟槽中直接接触第一滤色器。
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公开(公告)号：CN222532105U
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202421194475.4
申请日：2024-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露的一些实施例描述半导体结构，半导体结构具有包围通道结构的倾斜的部分的隔离层。半导体结构包括通道结构，通道结构具有在基板上的第一部分、第二部分及第三部分。第一部分具有第一宽度。第二部分具有小于第一宽度的第二宽度。第三部分具有小于第二宽度的第三宽度。半导体结构进一步包括在基板上且包围第一部分的第一隔离层、第一隔离层上且包围通道结构的第二部分的第二隔离层，及在第二隔离层上且包围通道结构的第三部分的栅极结构。
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公开(公告)号：CN222721869U
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202421235842.0
申请日：2024-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D84/83
Abstract: 一种半导体装置包含：第一区域以及第二区域。第一区域包括：第一主动区域的第一区段和含金属的栅极结构。在截面侧视图中含金属的栅极结构在垂直方向设置在主动区域的第一区段上方。第二区域包括：主动区域的第二区段和介电质结构。介电质结构在截面侧视图中在垂直方向设置在主动区域的第二区段上方，其中在平面俯视图中，主动区域的第二区段比主动区域的第一区段厚。
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公开(公告)号：CN222547915U
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202421043784.1
申请日：2024-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种半导体结构。根据本实用新型的一些实施方式的一种半导体结构包括基板，在基板上方并沿一方向纵向延伸的鳍片结构，鳍片结构包括沿着此方向夹在第一末端部分与第二末端部分之间的中间部分，包覆于中间部分的通道区上方的栅极结构，以及沿着此方向夹持中间部分的通道区的第一源极/漏极特征及第二源极/漏极特征。中间部分包括第一半导体结构，第一末端部分及第二末端部分包括不同于第一半导体结构的第二半导体结构。
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