公开(公告)号：CN104377183B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410341703.0

申请日：2014-07-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕志 ,  陈英豪 ,  郑志成 ,  简荣亮 ,  蔡富村 ,  林昆辉

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5226 ,  G06F17/5077 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05092 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，包括第一层、第二层和通孔，其中，第一层包括多个第一层金属焊盘；第二层形成在第一层的顶部上，该第二层包括多个第二层金属焊盘；并且通孔将第一层金属焊盘连接至第二层金属焊盘。第一层金属焊盘和第二层金属焊盘之间的表面区域重叠低于规定的阈值。本发明涉及用于多层金属布局的金属焊盘偏移。

公开(公告)号：CN109427831A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711224959.3

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昆辉 ,  黄胤杰 ,  郑允玮 ,  朱益兴 ,  李承远 ,  周俊豪

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明实施例涉及一种影像感测器装置，影像感测器装置包括半导体基板、隔离结构、反射栅、第一滤色器及第二滤色器。半导体基板具有第一感光区及第二感光区，第二感光区邻近第一感光区；隔离结构位于半导体基板中且围绕第一感光区及第二感光区，其中隔离结构隔开第一感光区及第二感光区；反射栅位于隔离结构上且围绕第一感光区及第二感光区，其中反射栅的第一部分位于第一感光区及第二感光区间，且第一部分具有第一沟槽；第一滤色器位于第一感光区上且延伸进入第一沟槽中；第二滤色器位于第二感光区上且延伸进入第一沟槽中，以在第一沟槽中直接接触第一滤色器。

公开(公告)号：CN119170614A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202410332823.8

申请日：2024-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨明宪 ,  林昆辉 ,  周俊豪 ,  李国政

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及图像传感器。根据本公开的半导体器件包括：半导体层；多个金属隔离特征，设置在半导体层中，其中，一些金属隔离特征延伸穿过衬底以提供相邻光电探测器之间的完全隔离，并且一些金属隔离特征部分地延伸穿过半导体层以提供相邻光电探测器之间的部分隔离。

公开(公告)号：CN117133781A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310495342.4

申请日：2023-05-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张柏钧 ,  林炳豪 ,  林昆辉 ,  李国政

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请提供了图像传感器结构及其形成方法。公开了一种半导体结构。该半导体结构包括被深沟槽隔离结构隔离的多个像素和相邻像素。在实施例中，一种形成半导体结构的方法包括：在衬底上外延生长p型半导体层；在p型半导体层之上外延生长n型半导体层；在n型半导体层的外延生长之后，在n型半导体层中形成p型阱；在n型半导体层中形成n型掺杂区域，该n型掺杂区域被p型阱围绕；形成第一沟槽，该第一沟槽延伸穿过n型半导体层和p型半导体层并围绕p型阱；以及在第一沟槽中形成第一隔离结构。

公开(公告)号：CN113725240A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110177764.8

申请日：2021-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昆辉 ,  郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  王钲源

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成图像传感器；从半导体衬底的背侧减薄半导体衬底；在半导体衬底的背侧上形成介电层；以及在半导体衬底的背侧上形成聚合物栅格。该聚合物栅格具有第一折射率值。该方法还包括在聚合物栅格中形成滤色器，其中，滤色器具有高于第一折射率值的第二折射率值；以及在滤色器上形成微透镜。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN113078177A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110201416.X

申请日：2021-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昆辉 ,  郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  贾钧伟

IPC: H01L27/146 ,  G01R29/08

Abstract: 本发明的实施例提供了一种IC结构，包括：具有第一掺杂类型以及包括上表面的衬底区域；在该衬底区域内的第一和第二区域，第一和第二区域中的每一个均具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；以及栅极导体，包括在垂直于上表面的平面的方向上延伸到衬底区域中的多个导电突起部。导电突起部彼此电连接，并且每个导电突起部的至少一部分位于第一与第二区域之间。本发明的实施例还提供了一种检测电磁辐射的方法。

公开(公告)号：CN113078177B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202110201416.X

申请日：2021-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昆辉 ,  郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  贾钧伟

IPC: H01L27/146 ,  G01R29/08

Abstract: 本发明的实施例提供了一种IC结构，包括：具有第一掺杂类型以及包括上表面的衬底区域；在该衬底区域内的第一和第二区域，第一和第二区域中的每一个均具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；以及栅极导体，包括在垂直于上表面的平面的方向上延伸到衬底区域中的多个导电突起部。导电突起部彼此电连接，并且每个导电突起部的至少一部分位于第一与第二区域之间。本发明的实施例还提供了一种检测电磁辐射的方法。

公开(公告)号：CN113725240B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202110177764.8

申请日：2021-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昆辉 ,  郑允玮 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  王钲源

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成图像传感器；从半导体衬底的背侧减薄半导体衬底；在半导体衬底的背侧上形成介电层；以及在半导体衬底的背侧上形成聚合物栅格。该聚合物栅格具有第一折射率值。该方法还包括在聚合物栅格中形成滤色器，其中，滤色器具有高于第一折射率值的第二折射率值；以及在滤色器上形成微透镜。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN104377183A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410341703.0

申请日：2014-07-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕志 ,  陈英豪 ,  郑志成 ,  简荣亮 ,  蔡富村 ,  林昆辉

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5226 ,  G06F17/5077 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05092 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，包括第一层、第二层和通孔，其中，第一层包括多个第一层金属焊盘；第二层形成在第一层的顶部上，该第二层包括多个第二层金属焊盘；并且通孔将第一层金属焊盘连接至第二层金属焊盘。第一层金属焊盘和第二层金属焊盘之间的表面区域重叠低于规定的阈值。本发明涉及用于多层金属布局的金属焊盘偏移。

公开(公告)号：CN222356856U

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202421063341.9

申请日：2024-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张柏钧 ,  陈威霖 ,  周俊豪 ,  林昆辉 ,  李国政

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种半导体结构，包含在基材中的光电二极管、在光电二极管上的高吸收结构、至少部分地包围高吸收结构的多个纳米级结构的阵列。纳米级结构的阵列大致以固定的间隔分开。在像素阵列的光电二极管上的纳米级结构的阵列改善短波长光线的量子效率，例如绿光及蓝光。纳米级结构可在没有高吸收结构下使用(例如：当像素阵列仅是配置给可见光时)，或可至少部分地围绕高吸收结构(例如：当像素阵列是同时配置给可见光及近红外光时)。除此之外，纳米级结构的阵列可利用光微影来形成，以使纳米级结构大致上以固定间隔分开。因此，相较于若纳米级结构阵列是利用随机(或类似随机)工艺(例如定向自组装)所形成者，像素阵列的量子效率可较佳地被改善。