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公开(公告)号：CN117012793A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310530997.0
申请日：2023-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及CMOS图像传感器。一种图像传感器，包括：衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面；图像像素区域；以及黑色电平校准(BLC)区域，邻近图像像素区域。BLC区域包括：暗电流感测电路，包括设置在衬底中的光电二极管；第一密封环，设置在第二表面之上并在平面视图中围绕图像像素区域；第二密封环，设置在第二表面之上并在平面视图中围绕图像像素区域，使得暗电流感测电路设置在第一密封环和第二密封环之间；不透明覆盖，设置在第一表面之上并覆盖暗电流感测电路、第一密封环和第二密封环；以及一个或多个第一沟槽隔离结构，从第一表面延伸到衬底的内部，并设置在第一密封环和不透明覆盖之间。
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公开(公告)号：CN114709206A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210115716.0
申请日：2022-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供了键合半导体器件及其形成方法。一种用于晶圆键合的方法，包括：接收键合层的布图，该布图具有不对称图案，通过设计规则检查器来确定布图的不对称程度是否在预定范围内，如果不对称程度超出预定范围，则修改布图以降低布图的不对称程度。该方法还包括：以计算机可读格式输出布图。
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公开(公告)号：CN106469701B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610595263.0
申请日：2016-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了半导体器件结构。该半导体器件结构包括具有第一表面、第二表面和凹槽的第一半导体衬底。第二表面与第一表面相对。该凹槽穿过第一半导体衬底。该半导体器件结构包括位于第二表面上方的第一布线层。该半导体器件结构包括第一接合焊盘，该第一接合焊盘位于凹槽中并且延伸至第一布线层以电连接至第一布线层。该半导体器件结构包括位于第一接合焊盘上方的镍层。该半导体器件结构包括位于镍层上方的金层。本发明的实施例还涉及半导体器件结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN117423712A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311225332.5
申请日：2023-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS影像感测器包括在平面图中分布于一影像像素阵列中的多个PDAF像素。每一PDAF像素包括m×m个格化光电二极管、上覆格化光电二极管且由一第一隔离结构侧向包围的一PDAF彩色滤光片以及上覆PDAF彩色滤光片的一PDAF微型透镜。PDAF彩色滤光片的一中心与格化光电二极管的一中心之间的一第一水平距离依据CMOS影像感测器中PDAF像素在平面图中的一方位发生变化。第一隔离结构包括第一低n介电质栅格、第二低n介电质栅格及金属栅格。第二低n介电质栅格包括不同于第二低n介电质栅格材料的一填料介电材料。因此，CMOS影像感测器的量子效率及均匀性得以改良。
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公开(公告)号：CN119170614A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410332823.8
申请日：2024-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及图像传感器。根据本公开的半导体器件包括：半导体层；多个金属隔离特征，设置在半导体层中，其中，一些金属隔离特征延伸穿过衬底以提供相邻光电探测器之间的完全隔离，并且一些金属隔离特征部分地延伸穿过半导体层以提供相邻光电探测器之间的部分隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106469701A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610595263.0
申请日：2016-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了半导体器件结构。该半导体器件结构包括具有第一表面、第二表面和凹槽的第一半导体衬底。第二表面与第一表面相对。该凹槽穿过第一半导体衬底。该半导体器件结构包括位于第二表面上方的第一布线层。该半导体器件结构包括第一接合焊盘，该第一接合焊盘位于凹槽中并且延伸至第一布线层以电连接至第一布线层。该半导体器件结构包括位于第一接合焊盘上方的镍层。该半导体器件结构包括位于镍层上方的金层。本发明的实施例还涉及半导体器件结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN110838499B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910750283.4
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括用以增强性能的复合背照式(CBSI)结构的图像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸到衬底的背侧至第一深度并且包括一对第一沟槽隔离段。光电探测器位于衬底中、第一沟槽隔离段之间并且邻接所述第一沟槽隔离段。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离段之间并且延伸到衬底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离段。吸收增强结构位于光电探测器上面、第二沟槽隔离段之间，并且凹进至半导体衬底的背侧。吸收增强结构和第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。本发明的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN110838499A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910750283.4
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括用以增强性能的复合背照式(CBSI)结构的图像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸到衬底的背侧至第一深度并且包括一对第一沟槽隔离段。光电探测器位于衬底中、第一沟槽隔离段之间并且邻接所述第一沟槽隔离段。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离段之间并且延伸到衬底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离段。吸收增强结构位于光电探测器上面、第二沟槽隔离段之间，并且凹进至半导体衬底的背侧。吸收增强结构和第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。本发明的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN106920808A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610785489.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/03529 , H01L31/107 , H01L27/14643 , H01L27/14647 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及具有接合在一起的CMOS芯片和成像芯片的堆叠的SPAD图像传感器以及相关的形成方法，以改进SPAD图像传感器的填充因子。在一些实施例中，成像芯片具有设置在第二衬底内的多个SPAD单元。CMOS芯片具有设置在第一衬底上方的第一互连结构。成像芯片具有设置在第二衬底和第一互连结构之间的第二互连结构。CMOS芯片和成像芯片通过沿着设置在第一互连结构和第二互连结构之间的界面接合在一起。
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公开(公告)号：CN222396003U
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202420748109.2
申请日：2024-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种互补性金属氧化物半导体影像感测器，包含单位像素阵列，单位像素阵列包含光电二极管阵列、彩色滤光阵列、微透镜阵列及横向分离相邻彩色滤光器的栅格隔离结构。栅格隔离结构包含第一低n栅格、第二低n栅格及金属栅格，第一低n栅格比第二低n栅格窄。彩色滤光阵列包含彩色滤光矩阵，所有彩色滤光矩阵具有相同的配置图案。每一彩色滤光矩阵中彩色滤光器的尺寸取决于彩色滤光矩阵中彩色滤光器的位置而变化。在边缘部分中，平面图中彩色滤光矩阵的中心与对应单位像素矩阵的中心之间的距离取决于单位像素矩阵在CMOS影像感测器中的位置而变化。
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